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公开(公告)号：CN105556621A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480051203.1
申请日：2014-08-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 康妮·P·王 , 保罗·沙利文 , 保罗·墨菲 , 可赛格·D·特拉斯狄克 , 巴拉特哇·雷马克利斯那
CPC classification number: H01L39/248 , H01B12/06 , H01L39/16 , Y10T428/12618 , Y10T428/31678
Abstract: 在一实施例中，超导带包括：基底，其包括多个层；定向超导层，位在基底上；以及合金涂层，位在超导层上，合金涂层包括一层或更多层的金属层，其中至少一层金属层包括金属合金。
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公开(公告)号：CN102428541B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201080019578.1
申请日：2010-04-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/266 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/266 , H01J37/3171 , H01J2237/024 , H01J2237/045 , H01J2237/31711 , H01L31/18 , Y10T428/2457
Abstract: 本发明中揭示一种用于处理基板的改良技术。在一特定例示性实施例中，所述技术可使用用于处理基板的遮罩而达成。所述遮罩可并入至诸如离子植入系统的基板处理系统中。所述遮罩可包括：第一基座；以及多个指状物，其彼此间隔开以界定一或多个间隙。
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公开(公告)号：CN102428543B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201080021681.X
申请日：2010-04-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L31/068 , H01J2237/31711 , H01L21/266 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本文中揭示一种用于处理基板的改良技术。在一特定例示性实施例中，所述技术可作为用于处理基板的方法而实现。所述方法可包括：沿离子束路径将包括多个离子的离子束自离子源引导至基板；在所述离子源与所述基板之间在所述离子束路径中安置遮罩的至少一部分；以及使所述基板及所述遮罩中的一者相对于所述基板及所述遮罩中的另一者平移。
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公开(公告)号：CN105340052A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201480036223.1
申请日：2014-05-27
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/1477 , H01J37/3171
Abstract: 一种用以在离子注入机中扫描离子束的静电扫描器。静电扫描器可以包含第一扫描板，第一扫描板具有面向离子束的第一内表面，第一内表面在垂直于离子束传播方向的第一平面中具有凹面形状；以及与第一扫描板相对的第二扫描板，第一扫描板与第二扫描板以间隙间隔开以容纳离子束，第二扫描板具有面向离子束的第二内表面并且在第一平面中具有凸面形状，第一扫描板以及第二扫描板经配置以在间隙中生成静电场，从而沿着垂直于离子束传播方向的水平方向来回扫描离子束。
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公开(公告)号：CN105283975A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201480033457.0
申请日：2014-06-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/3007 , H01F7/20 , H01F27/10 , H01J37/1472 , H01J37/1475 , H01J37/3171 , H01J2237/002 , H01J2237/152 , H01J2237/1526 , H01J2237/303 , H01J2237/31701 , H05K7/20
Abstract: 大致描述一种具有环形冷却剂流体通道的磁铁。各种示例提供一种包括配置于离子束耦合器周围的第一磁铁与第二磁铁的磁铁，所述离子束耦合器具有孔隙通过之。第一磁铁与第二磁铁的各者包括具有空腔于其中的金属核心、配置于金属核心周围的一或多个导线包以及经设置以嵌入于空腔中的环形核心元件，其中在空腔与环形核心元件之间形成环形冷却剂流体通道。此外，各环形核心元件可具有第一直径且中间部分具有第二直径，第二直径小于第一直径。已揭示与主张其他实施例。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105264634A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480032406.6
申请日：2014-05-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 斯坦尼斯拉夫·S·托多罗夫 , 乔治·M·葛梅尔 , 理查·艾伦·斯普林克 , 诺曼·E·赫西 , 法兰克·辛克莱 , 常胜武 , 约瑟·C·欧尔森 , 大卫·罗杰·汀布莱克 , 库尔·T·岱可-路克
IPC: H01J37/304 , H01J37/317
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/48 , G21K5/00 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/24535 , H01J2237/24542 , H01J2237/31703
Abstract: 一种控制离子植入机中的离子束的系统，包括检测器以沿着垂直于离子束的传播方向的第一方向，进行所述离子束的多个束电流量测。所述系统也包括分析组件与调整组件。所述分析组件用以基于所述多个束电流量测来判定束电流轮廓，所述束电流轮廓包括沿着所述第一方向的束电流的变化。当束电流轮廓指示束高度低于阀时，所述调整组件沿着所述第一方向调整所述离子束的高度。
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公开(公告)号：CN103046116B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310010356.9
申请日：2009-06-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 法兰克·辛克莱 , 菲德梨克·卡尔森 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 罗伯特·J·米歇尔
CPC classification number: C30B11/003 , C30B11/001 , C30B28/06 , C30B29/06 , C30B29/60
Abstract: 一种形成板的装置。可自熔体形成无错位板。使用冷却平板在材料的熔体上形成具有第一宽度的所述材料的板。此板具有错位。相对于所述冷却平板而输送所述板，且所述错位迁移至所述板的边缘。所述板的所述第一宽度藉由所述冷却平板而增加至第二宽度。所述板在所述第二宽度处不具有错位。在一种情况下，所述冷却平板可具有具两个不同宽度的形状。在另一情况下，所述冷却平板可具有在不同温度下操作的区段，以增加所述板的宽度。所述板可相对于所述冷却平板而被拉动或流动。
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公开(公告)号：CN105191042A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480014603.5
申请日：2014-03-10
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡森·D·泰克雷特萨迪克 , 卡尔斯·L·史坦利
IPC: H02H9/02
Abstract: 电流限制器系统包括超导错误电流限制器(SCFCL)，此超导错误电流限制器在超导错误电流限制器处于超导状态的正常操作状态期间经操作以传导负载电流。电流限制器系统亦包括分路电抗器以及保护开关。分路电抗器以电性并联方式连接超导错误电流限制器，且在正常操作状态经配置以传导相较于超导错误电流限制器更少的电流。保护开关连接超导错误电流限制器及分路电抗器，并且经配置以在错误电流超过临限电流值之后的错误条件期间将超导错误电流限制器由负载电流路径断开而持续预定时间。
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公开(公告)号：CN105190861A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480010717.2
申请日：2014-02-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/6833
Abstract: 揭露从平台夹持与解除夹持晶圆的方法。平台包括一个或多个电极，将一个或多个电极电压偏置以静电地夹持晶圆至平台。将电极偏压至可进行晶圆处理的第一电压。此后，一个或多个电压接续地施加至电极。在一些实施例中，每一个后续的电压小于先前的施加电压。在其他实施例中，一个或多个后续的电压可大于先前的施加电压。这种电压序列可减少晶圆在移除的过程中贴附或附着至平台的可能性。
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公开(公告)号：CN105190787A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480014152.5
申请日：2014-03-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡森·D·泰克雷特萨迪克 , 卡尔斯·L·史坦利 , 希马恩·飞三 , 尼可拉斯·A·贝努透 , 史考特·尼柯森
Abstract: 揭示一种应用于低温与高电压的电气衬套。衬套包括第一衬套部、第二衬套部及于第一衬套部与第二衬套部中沿着纵向配置的电性导体。电性导体包括由第一衬套部延伸的第一终端部，及由第二衬套部延伸的第二终端部。第一终端部被配置以耦接在环境温度下的第一电子构件，且第二终端部被配置以耦接在低温温度下的第二电子构件。第一衬套部与第二衬套部包括底绝缘材料，且第一衬套部可更包括配置在底绝缘部上的环境保护层。
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