公开(公告)号：CN105283975A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201480033457.0

申请日：2014-06-13

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 斯卡特·巴洛克拉夫 ,  詹姆士·S·贝福

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01J37/3007 ,  H01F7/20 ,  H01F27/10 ,  H01J37/1472 ,  H01J37/1475 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/152 ,  H01J2237/1526 ,  H01J2237/303 ,  H01J2237/31701 ,  H05K7/20

Abstract: 大致描述一种具有环形冷却剂流体通道的磁铁。各种示例提供一种包括配置于离子束耦合器周围的第一磁铁与第二磁铁的磁铁，所述离子束耦合器具有孔隙通过之。第一磁铁与第二磁铁的各者包括具有空腔于其中的金属核心、配置于金属核心周围的一或多个导线包以及经设置以嵌入于空腔中的环形核心元件，其中在空腔与环形核心元件之间形成环形冷却剂流体通道。此外，各环形核心元件可具有第一直径且中间部分具有第二直径，第二直径小于第一直径。已揭示与主张其他实施例。

公开(公告)号：CN105283975B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201480033457.0

申请日：2014-06-13

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 斯卡特·巴洛克拉夫 ,  詹姆士·S·贝福

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01J37/3007 ,  H01F7/20 ,  H01F27/10 ,  H01J37/1472 ,  H01J37/1475 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/152 ,  H01J2237/1526 ,  H01J2237/303 ,  H01J2237/31701 ,  H05K7/20

Abstract: 本发明公开一种用于离子装置的磁铁以及离子装置。各种示例提供一种包括配置于离子束耦合器周围的第一磁铁与第二磁铁的磁铁，所述离子束耦合器具有孔隙通过之。第一磁铁与第二磁铁的各者包括具有空腔于其中的金属核心、配置于金属核心周围的一或多个导线包以及经设置以嵌入于空腔中的环形核心元件，其中在空腔与环形核心元件之间形成环形冷却剂流体通道。此外，各环形核心元件可具有第一直径且中间部分具有第二直径，第二直径小于第一直径。已揭示与主张其他实施例，该磁铁的冷却能力增加，因此可通过导线包的电流量可增加。