-
公开(公告)号：CN115985962A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211255764.6
申请日：2022-10-13
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件，包括其中形成有多个单位单元的单元区、以及在平面图中围绕该单元区的外围区。多个单位单元中的每个单位单元包括具有漂移区的半导体衬底、体区、源区、一对第一柱区、以及被形成在沟槽中的栅电极，栅绝缘膜被插入在沟槽与栅电极之间。阱区被形成在外围区中的漂移区的表面上。第二柱区被形成在阱区下方的漂移区中并且在Y和X方向上延伸以包围单元区。阱区被连接到体区，第二柱区被连接到阱区。
-
公开(公告)号：CN111354186B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201911171963.7
申请日：2019-11-22
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体装置、无线电终端装置、无线电通信系统以及无线电终端装置的通信方法。半导体装置包括：通信单元，该通信单元以第一发射周期接收帧，从接收到的帧解调控制信息，调制发射数据，并且以第二发射周期广播经调制的发射数据作为射频分组信号；周期确定单元，该周期确定单元基于车辆信息确定第二发射周期；以及发射和接收控制单元，该发射和接收控制单元基于控制信息和第二发射周期生成用于确定发射数据的发射定时的发射定时触发信号，并且与发射定时触发信号同步地将发射输出输出至通信单元。第二发射周期等于或长于第一发射周期。
-
公开(公告)号：CN109390387B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201810886896.6
申请日：2018-08-06
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件及其制造方法。根据超结结构中的热处理，半导体衬底容易因形成在深沟槽内的绝缘膜的收缩而翘曲。为了解决上述问题，在半导体器件中，元件区域和端子区域被限定在半导体衬底的一个主表面上。端子区域被布置为围绕元件区域。在端子区域中，多个埋置绝缘体以穿透n型扩散层和n型柱层并且到达n型外延层的方式从半导体衬底的主表面形成。埋置绝缘体形成在深沟槽内。多个埋置绝缘体布置为彼此相互相距一定距离呈岛状。
-
公开(公告)号：CN109950225B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201811573029.3
申请日：2018-12-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/498
Abstract: 半导体器件包括安装在布线衬底上方的半导体芯片。用于输入的信号布线和用于输出的信号布线被布置在布线衬底中的不同布线层中并且彼此重叠，用于输入的信号布线传输至半导体芯片的输入信号，用于输出的信号布线传输来自半导体芯片的输出信号。在布线衬底的厚度方向上，每个信号布线被夹置在被供给有参考电位的导体平面之间。在半导体芯片的前表面中，用于输入的信号电极和用于输出的信号电极布置在不同的行中。在用于输出的信号布线比用于输入的信号布线在布线衬底中位于更高层中的情况下，与用于输入的信号电极相比，用于输出的信号电极被布置在更靠近前表面的外边缘的行中。
-
公开(公告)号：CN107833856B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201710350119.5
申请日：2017-05-18
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 山本芳树
Abstract: [课题]本发明涉及半导体装置的制造方法。提高半导体装置的可靠性。[解决手段]准备在半导体基板SB上层叠绝缘层BX、半导体层SM和绝缘膜ZM1，在沟槽TR内埋入有元件分离区域ST的基板。通过干法蚀刻除去体区域1B的绝缘膜ZM1，然后通过干法蚀刻除去体区域1B的半导体层SM，然后通过干法蚀刻使体区域1B的绝缘层BX变得更薄。通过离子注入在SOI区域1A的半导体基板SB上形成第1半导体区域，通过离子注入在体区域1B的半导体基板SB上形成第2半导体区域。然后，通过湿法蚀刻除去SOI区域1A的绝缘膜ZM1和体区域1B的绝缘层BX。然后，在SOI区域1A的半导体层SM上形成第1晶体管，在体区域1B的半导体基板SB上形成第2晶体管。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115774534A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202210966576.8
申请日：2022-08-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 小川义人
IPC: G06F3/14
Abstract: 本发明涉及显示控制设备和显示控制方法。提供了一种显示控制装置和显示控制方法，其能够在不考虑无线通信状态的情况下显示所需的图像。无线控制单元使外部装置根据输入信息绘制第一图像。第一单元经由无线通信获取第一图像，并在显示装置上显示第一图像。第二单元使GPU根据输入信息绘制第二图像，并在显示装置上显示第二图像。切换单元确定接收无线电波处于良好状态还是不良状态，当确定结果为接收无线电波处于良好状态时选择第一单元，当确定结果为接收无线电波处于不良状态时选择第二单元。
-
公开(公告)号：CN115732460A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210833073.3
申请日：2022-07-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H01L23/552
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件。一种布线衬底包括：第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的接地平面；第二绝缘层，形成在第一绝缘层上，使得接地平面被第二绝缘层覆盖；形成在第二绝缘层上的第一信号布线；第三绝缘层，形成在第二绝缘层上，使得第一信号布线被第三绝缘层覆盖；以及第二信号布线，形成在第三绝缘层上并且与第一信号布线电连接。第一信号布线布置在与散热板的部分重叠的区域中。第二信号布线未布置在该区域中。接地平面具有位于与第一信号布线重叠的位置处的开口部分。开口部分形成为沿着第一信号布线延伸。
-
公开(公告)号：CN111355880B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201911147552.4
申请日：2019-11-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体器件、图像处理系统和方法及计算机可读存储介质。一种半导体器件包括：图像数据获取电路，图像数据获取电路在第一时间和第二时间获取多个第一捕获图像数据和多个第二捕获图像数据；调节区域确定电路，调节区域确定电路从多个第一捕获图像数据中检测目标对象，并且通过估计第二时间的目标对象的位置来确定调节区域；颜色调节电路，被配置为基于调节区域，确定颜色调节增益，并且基于颜色调节增益，对多个第二捕获图像数据执行颜色平衡调节处理；以及图像合成电路，被配置为合成多个第二捕获图像数据，使得多个第二捕获图像数据的多个图像中包括的重叠区域彼此重叠。
-
公开(公告)号：CN107919294B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN201710827018.2
申请日：2017-09-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件制造方法和半导体器件，用于提高半导体器件的可靠性。该半导体器件制造方法包括：(a)将具有焊球的BGA安装到用于老化测试的插座的步骤；以及(b)通过用插座的中导电触针夹持焊球来执行BGA的老化测试的步骤。插座的触针具有导电的并且沿BGA的附接方向延伸的第一突出部、和导电的并且沿与第一突出部的延伸方向相交的方向提供的且在焊球的BGA的附接侧面向表面布置的第二突出部。在步骤(b)中，在触针的第一突出部与焊球接触的状态下，执行BGA的老化测试。
-
公开(公告)号：CN115691597A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210849248.X
申请日：2022-07-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体装置和半导体系统。提供了一种能够根据情况以简单的方式改变数据编程处理的半导体装置。半导体装置包括多个存储器单元、用于向存储器单元供应编程电流的编程电路、以及用于向编程电路供电的电源电路。电源电路包括用于对外部电源升压的电荷泵电路、根据选择指示的外部电源的电压、以及能够切换由电荷泵电路升压的升压电压的可选择电路。控制电路还包括用于通过切换选择指示由编程电路执行数据编程处理的控制电路。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
4889
records
(took 0.066 seconds)
