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公开(公告)号：CN105609441A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510794281.7
申请日：2015-11-18
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 公开了用于制造半导体装置的方法。改善通过接触引脚与外部端子的多点接触的可靠性，而同时实现接触引脚的制造容易性的改善。接触引脚包括第一和第二接触引脚。此外，第一接触引脚具有在y方向上延伸的支撑部分和连接到支撑部分的末端部分。第二接触引脚也具有在y方向上延伸的支撑部分和连接到支撑部分的末端部分。这里，第一接触引脚的支撑部分和第二接触引脚的支撑部分沿着水平面(xy平面)中的x方向并排地布置。此外，第二接触引脚的末端部分沿着水平面中的与x方向相交(垂直)的y方向从第一接触引脚的末端部分偏移。
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公开(公告)号：CN105452886A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201380075525.5
申请日：2013-04-11
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明谋求提高半导体器件的成品率。另外，谋求延长插座端子的寿命。在插座端子(STE1)的前端部(PU)上设置突起部(PJ1)以及突起部(PJ2)。由此，例如，能够通过利用突起部(PJ1)的接触和利用突起部(PJ2)的接触这两点进行流过大电流的引线与插座端子(STE1)之间的接触。其结果为，从插座端子(STE1)流向引线的电流分开向流过突起部(PJ1)的路径和流过突起部(PJ2)的路径流动。因此，即使在插座端子(STE1)与引线之间有大电流流过的情况下，也能够抑制插座端子(STE1)与引线之间的接触部的温度上升。
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公开(公告)号：CN107919294B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN201710827018.2
申请日：2017-09-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件制造方法和半导体器件，用于提高半导体器件的可靠性。该半导体器件制造方法包括：(a)将具有焊球的BGA安装到用于老化测试的插座的步骤；以及(b)通过用插座的中导电触针夹持焊球来执行BGA的老化测试的步骤。插座的触针具有导电的并且沿BGA的附接方向延伸的第一突出部、和导电的并且沿与第一突出部的延伸方向相交的方向提供的且在焊球的BGA的附接侧面向表面布置的第二突出部。在步骤(b)中，在触针的第一突出部与焊球接触的状态下，执行BGA的老化测试。
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公开(公告)号：CN107919294A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710827018.2
申请日：2017-09-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件制造方法和半导体器件，用于提高半导体器件的可靠性。该半导体器件制造方法包括：(a)将具有焊球的BGA安装到用于老化测试的插座的步骤；以及(b)通过用插座的中导电触针夹持焊球来执行BGA的老化测试的步骤。插座的触针具有导电的并且沿BGA的附接方向延伸的第一突出部、和导电的并且沿与第一突出部的延伸方向相交的方向提供的且在焊球的BGA的附接侧面向表面布置的第二突出部。在步骤(b)中，在触针的第一突出部与焊球接触的状态下，执行BGA的老化测试。
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公开(公告)号：CN105452886B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201380075525.5
申请日：2013-04-11
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明谋求提高半导体器件的成品率。另外，谋求延长插座端子的寿命。在插座端子(STE1)的前端部(PU)上设置突起部(PJ1)以及突起部(PJ2)。由此，例如，能够通过利用突起部(PJ1)的接触和利用突起部(PJ2)的接触这两点进行流过大电流的引线与插座端子(STE1)之间的接触。其结果为，从插座端子(STE1)流向引线的电流分开向流过突起部(PJ1)的路径和流过突起部(PJ2)的路径流动。因此，即使在插座端子(STE1)与引线之间有大电流流过的情况下，也能够抑制插座端子(STE1)与引线之间的接触部的温度上升。
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