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公开(公告)号：CN115537738B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202211319048.X
申请日：2022-10-26
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种高剩磁比高矫顽力的M型铁氧体异质结薄膜的制备方法，该方法选用了SrTiO3(111)衬底，Sr3Al2O6作为缓冲层，得到结构为BaFe12O19(0001)/Sr3Al2O6/SrTiO3的异质结薄膜。其制备方法包括以下步骤：（1）使用脉冲激光沉积系统（PLD）在SrTiO3(111)衬底上沉积作为缓冲层的Sr3Al2O6薄膜。（2）使用脉冲激光沉积系统在Sr3Al2O6/SrTiO3异质结结构上沉积M型铁氧体BaFe12O19薄膜。本实验以Sr3Al2O6作为缓冲层，制备了BaFe12O19(0001)/Sr3Al2O6/SrTiO3异质结薄膜。后续的磁性结果显示，材料的剩磁比高达0.97，矫顽力增加至15 kOe，这使得该材料在微波吸收、垂直磁记录、永磁等方面具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114783768B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202210330809.5
申请日：2022-03-30
申请人： 深圳大学
摘要： 本发明公开了一种界面失配应变提升SrFeO2.0薄膜磁学性能的方法及应用，涉及材料技术应用领域。所述方法包括以下步骤：(1)用脉冲激光在单晶衬底上轰击SrFeO3靶材制备SrFeO2.5薄膜，单晶衬底与SrFeO2.5薄膜间产生界面失配应变；所述单晶衬底包括KTaO3、(LaAlO3)0.3(SrAl0.5Ta0.5O3)0.7、LaAlO3、YAlO3中的一种，所述界面失配应变的范围为‑8.0％至2.0％；所述SrFeO2.5薄膜厚度为10nm‑50nm；(2)将CaH2粉体和SrFeO2.5薄膜在高真空状态下进行密封和烧结，得到SrFeO2.0薄膜。本发明利用脉冲激光沉积和软化学拓扑结构相变的方法在不同单晶衬底制备具有 取向的SrFeO2.0/SrTiO3两层薄膜体系，其中上盖层SrTiO3薄膜为结构保护层。衬底与薄膜间的界面失配应变效应可显著改善SrFeO2.0薄膜的磁性，为高温铁磁绝缘氧化物薄膜相关的基础与应用研究提供思路。
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公开(公告)号：CN116564646A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310416770.3
申请日：2023-04-19
申请人： 电子科技大学
摘要： 高共振频率高磁导率软磁薄膜及制备方法，涉及薄膜制备技术领域。本发明的薄膜包括衬底和设置于衬底表面的软磁图形层，其特征在于，所述软磁图形层包括第一菱形单元阵列和第二菱形单元阵列，第一菱形单元阵列和第二菱形单元阵列按列构成交错互补，第一菱形单元阵列和第二菱形单元阵列皆由预定数量的菱形单元正交排列构成，同一列的菱形单元中，任意相邻两个菱形单元的长对角线相连；所有的菱形单元形状和尺寸相同。本发明具有高应用频率和较高磁导率的优点。
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公开(公告)号：CN109355625B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201811470668.7
申请日：2018-12-04
申请人： 吉林师范大学
摘要： 一种在Pb(Mg1/3Nb2/3)O3‑PbTiO3(PMN‑PT)单晶基片上采用脉冲激光沉积CoFe2O4磁性薄膜的方法，制备薄膜颗粒致密、均匀且磁电效应明显的钴铁氧体铁磁薄膜，获得了明显的面内各向异性，外加面内磁场沿着薄膜不同方向时，薄膜的矫顽场产生了明显的变化，分别采用直流和交流电压调控磁光克尔信号的变化，结果表明薄膜异质结展示了明显的应变诱导的逆磁电耦合效应。
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公开(公告)号：CN111334767A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010161341.2
申请日：2020-03-10
申请人： 沈阳中北通磁科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种钕铁硼永磁器件的处理方法。将装有钕铁硼永磁器件的承载装置送入带有进料室和出料室的真空镀膜设备的镀膜室内，镀膜室内的辊道上方设置有溅射装置，溅射装置为3台以上，溅射装置至少包括离子源、多弧靶、磁控溅射靶和射频溅射靶中的2种以上。多弧靶、磁控溅射靶和射频溅射靶上包含靶材，靶材表面到在镀膜室内进行涂层的钕铁硼永磁器件表面的空间垂直距离在30-200mm范围内，靶材的一部分从靶材表面溅射出来沉积到经过镀膜室内的承载装置上的钕铁硼永磁器件表面形成涂层，靶材至少为选自Tb、Dy、Nd、Pr、Y、Nb、Al、Ti、Zr、Ni、Cr中的一种以上。沉积在钕铁硼永磁器件表面形成涂层的靶材占靶材总消耗量的70%以上。
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公开(公告)号：CN106024266B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201610169775.0
申请日：2016-03-23
申请人： 国际商业机器公司
摘要： 本公开涉及片上磁性结构及其形成方法，其中一种片上磁性结构包括磁性材料，包括基于磁性材料的总原子数、在从约80至约90原子百分比范围中的钴，基于磁性材料的总原子数、在从约4至约9原子百分比范围中的钨，基于磁性材料的总原子数、在从约7至约15原子百分比范围中的磷，以及基本上分散遍布磁性材料的钯。
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公开(公告)号：CN105742005B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201610093143.0
申请日：2016-02-21
申请人： 林志苹
发明人： 林志苹
摘要： 本发明针对现有MEMS三维电感线圈存在的不足，提供一种三维电感线圈，包括柔性衬底、薄膜导线、磁性电极、软磁薄膜电极、软磁薄膜引线电极、绝缘层、磁芯薄膜、引线，其中，软磁薄膜电极和软磁薄膜引线电极位于柔性衬底的上边缘，磁性电极位于柔性衬底的下边缘，且柔性衬底上边缘、下边缘的电极通过薄膜导线连通；柔性衬底沿着中心线弯折后，通过磁性电极与软磁薄膜电极、软磁薄膜引线电极的吸引，自动实现三维电感线圈电极的对应和连通。本发明采用柔性衬底、磁性电极，结构、制备方法简单，只需要光刻的lift‑off工艺，不需要后续刻蚀工艺，适合低成本的MEMS三维电感的制作，也为发展新型的三维MEMS电感提供了思路。
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公开(公告)号：CN105925937A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610469974.3
申请日：2016-06-26
申请人： 彭晓领
CPC分类号： C23C14/28 , C23C14/0021 , C23C14/0641 , H01F41/205
摘要： 本发明涉及一种取向磁性薄膜的制备方法。该方法是采用激光脉冲沉积的方法，通过控制衬底基片处磁场、沉积温度和氮气气压，来控制薄膜的相结构，进而获得一系列不同相组成的氮化铁薄膜。该方法可以低温制备氮化铁薄膜，有利于薄膜器件的集成应用，同时采用磁场诱导的方法，使薄膜生长时产生晶体学取向，方便的控制薄膜的晶体学易磁化轴。
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公开(公告)号：CN105742005A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610093143.0
申请日：2016-02-21
申请人： 林志苹
发明人： 林志苹
CPC分类号： H01F17/0013 , B81B7/0009 , B81C1/00349 , H01F27/2804 , H01F41/042 , H01F41/205 , H01F2017/006 , H01F2017/0066 , H01F2027/2809
摘要： 本发明针对现有MEMS三维电感线圈存在的不足，提供一种三维电感线圈，包括柔性衬底、薄膜导线、磁性电极、软磁薄膜电极、软磁薄膜引线电极、绝缘层、磁芯薄膜、引线，其中，软磁薄膜电极和软磁薄膜引线电极位于柔性衬底的一边，磁性电极位于柔性衬底的另一边，且柔性衬底上两边的电极通过薄膜导线连通；柔性衬底沿着中心线弯折后，通过磁性电极与软磁薄膜电极、软磁薄膜引线电极的吸引，自动实现三维电感线圈电极的对应和连通。本发明采用柔性衬底、磁性电极，结构、制备方法简单，只需要光刻的lift?off工艺，不需要后续刻蚀工艺，适合低成本的MEMS三维电感的制作，也为发展新型的三维MEMS电感提供了思路。
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公开(公告)号：CN1473956A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN02129143.8
申请日：2002-08-19
申请人： 乐金电子(天津)电器有限公司
摘要： 本发明公开了一种带有磁铁的等离子体的连续蒸镀装置，包括工艺间、上部电极、下部电机、开卷机、卷绕机和N/S极磁铁。上部电极作为负极设置在工艺间的内部上侧；下部电极也作为负极，与上部电极保持一定间距设置在工艺间的下侧；开卷机设置在工艺间的一侧，开卷机上卷绕有带状材料，带状材料用于向上部电极和下部电极之间进行供应；卷绕机设置在工艺间的另外一侧，卷绕机用于卷绕经过上部电极和下部电极之间进行等离子体蒸镀之后的材料；N/S极磁铁交替设置在上部电极和下部电极的后面，利用产生的磁场提高反应气体的离子化率。增加了电子与反应气体之间的冲撞概率，提高了蒸镀效率。
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