公开(公告)号：CN111538532B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202010040575.1

申请日：2020-01-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 王乃刚 ,  崔正旭 ,  K.戈帕拉克里什南 ,  A.阿格拉瓦尔 ,  S.M.米勒

IPC: G06F9/30 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/084

Abstract: 在一个实施例中，一种方法包括使用由混合格式表示的数来配置用于浮点计算的专用电路，其中混合格式包括第一格式和第二格式。在该实施例中，该方法包括操作进一步配置的专用电路，以在用于训练深度学习网络的正向传递期间以第一格式存储数值近似值。在该实施例中，该方法包括操作进一步配置的专用电路，以在用于训练深度学习网络的反向传递期间以第二格式存储第二数值近似值。

公开(公告)号：CN110457068B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN201910352202.5

申请日：2019-04-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 王乃刚 ,  K·高帕拉克里斯南 ,  崔正旭 ,  S·M·穆尔乐 ,  A·安哥拉瓦尔 ,  D·布兰德

IPC: G06F9/30 ,  G06F7/483

Abstract: 本公开涉及用于深度学习加速的非常低精度浮点表示。一种专用电路被配置为使用由非常低精度格式(VLP格式)表示的数字进行浮点计算。VLP格式包括少于十六位并且分配为符号位、指数位(e)和尾数位(p)。经配置的专用电路被操作以存储VLP格式的数值的近似，其中该近似被表示为分数的倍数的函数，其中分数是能够仅使用尾数位表示的离散值的数量的倒数。

公开(公告)号：CN110679086B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN201880035598.4

申请日：2018-05-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·卓什 ,  王乃刚 ,  B·多利斯

IPC: H03K5/00

Abstract: 提供了半导体器件以及与该半导体器件有关的方法。半导体器件包括谐振时钟电路。该半导体器件还包括电感器。该半导体器件还包括由磁性材料形成的磁性层，该磁性层设置在所述谐振时钟电路的一部分与所述电感器之间。所述谐振时钟电路的时钟信号被所述磁性层利用。

公开(公告)号：CN110622406B

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN201880032170.4

申请日：2018-05-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·卓什 ,  王乃刚 ,  B·多利斯

IPC: H02M3/158

Abstract: 公开了用于向一组其他电路的动态内部电源节点提供电源电压的电路和方法。一种电路包括不同沟道类型的第一晶体管和第二晶体管，并联耦合至提供恒定电源电压的静态电源。电路还包括磁感应器，具有第一端子和第二端子，第一端子连接到第一晶体管和第二晶体管之间的公共节点，第二端子连接到动态内部电源节点，以通过与耦合到动态内部电源节点的至少一个电容谐振，为动态内部电源节点提供幅度大于恒定电源电压幅度的升压电压。

公开(公告)号：CN110457068A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201910352202.5

申请日：2019-04-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 王乃刚 ,  K·高帕拉克里斯南 ,  崔正旭 ,  S·M·穆尔乐 ,  A·安哥拉瓦尔 ,  D·布兰德

IPC: G06F9/30 ,  G06F7/483

Abstract: 本公开涉及用于深度学习加速的非常低精度浮点表示。一种专用电路被配置为使用由非常低精度格式(VLP格式)表示的数字进行浮点计算。VLP格式包括少于十六位并且分配为符号位、指数位(e)和尾数位(p)。经配置的专用电路被操作以存储VLP格式的数值的近似，其中该近似被表示为分数的倍数的函数，其中分数是能够仅使用尾数位表示的离散值的数量的倒数。

公开(公告)号：CN109416969B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201780042833.6

申请日：2017-06-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： H·得里格亚尼 ,  E·奥苏理万 ,  王乃刚 ,  B·多利斯

IPC: H01F17/00

Abstract: 磁性层压结构和工艺包括交替的磁性材料层(112)和多层绝缘材料层，其中多层绝缘材料介于相邻的磁性材料层之间，包含邻接至少一个附加绝缘层(114B)的第一绝缘层(114A)，其中第一绝缘层(114A)和所述至少一个附加绝缘层(114B)包含不同的介电材料和/或是通过不同的沉积工艺形成的，并且其中所述磁性材料的层具有大于1微米的累积厚度。

公开(公告)号：CN111538532A

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN202010040575.1

申请日：2020-01-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 王乃刚 ,  崔正旭 ,  K.戈帕拉克里什南 ,  A.阿格拉瓦尔 ,  S.M.米勒

IPC: G06F9/30 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 在一个实施例中，一种方法包括使用由混合格式表示的数来配置用于浮点计算的专用电路，其中混合格式包括第一格式和第二格式。在该实施例中，该方法包括操作进一步配置的专用电路，以在用于训练深度学习网络的正向传递期间以第一格式存储数值近似值。在该实施例中，该方法包括操作进一步配置的专用电路，以在用于训练深度学习网络的反向传递期间以第二格式存储第二数值近似值。

公开(公告)号：CN106024266A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610169775.0

申请日：2016-03-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： H·迪利吉安尼 ,  W·J·加拉格 ,  A·J·科洛克 ,  E·J·奥苏利万 ,  L·T·罗曼基乌 ,  王乃刚

IPC: H01F10/13 ,  H01F41/20

CPC classification number: H01L28/10 ,  C23C18/16 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1673 ,  C23C18/168 ,  C23C18/1694 ,  C23C18/1696 ,  C23C18/1831 ,  C23C18/50 ,  H01F1/04 ,  H01F5/00 ,  H01F27/00 ,  H01F27/24 ,  H01F27/28 ,  H01F41/046 ,  H01F41/26 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L23/5227 ,  H01F10/137 ,  H01F41/205

Abstract: 本公开涉及片上磁性结构及其形成方法，其中一种片上磁性结构包括磁性材料，包括基于磁性材料的总原子数、在从约80至约90原子百分比范围中的钴，基于磁性材料的总原子数、在从约4至约9原子百分比范围中的钨，基于磁性材料的总原子数、在从约7至约15原子百分比范围中的磷，以及基本上分散遍布磁性材料的钯。

公开(公告)号：CN114341892A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080061406.4

申请日：2020-08-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 孙啸 ,  崔正旭 ,  王乃刚 ,  陈家佑 ,  K.戈帕拉克里什南

IPC: G06N3/08

Abstract: 一种用于训练和推断神经网络的装置包括经配置以至少部分地基于具有包括第二数量的位的第二格式的第二权重和具有包括第三数量的位的第三格式的残差来生成具有包括第一数量的位的第一格式的第一权重的电路。第二数量的位和第三数量的位各自少于第一数量的位。该电路进一步经配置以至少部分地基于第一权重来更新第二权重，以及至少部分地基于经更新的第二权重和第一权重来更新残差。该电路进一步经配置以至少部分基于经更新的第二权重和经更新的残差来更新第一权重。

公开(公告)号：CN110679086A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201880035598.4

申请日：2018-05-31

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·卓什 ,  王乃刚 ,  B·多利斯

IPC: H03K5/00

Abstract: 提供了半导体器件以及与该半导体器件有关的方法。半导体器件包括谐振时钟电路。该半导体器件还包括电感器。该半导体器件还包括由磁性材料形成的磁性层，该磁性层设置在所述谐振时钟电路的一部分与所述电感器之间。所述谐振时钟电路的时钟信号被所述磁性层利用。