公开(公告)号：CN105887031A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610287817.0

申请日：2016-05-04

申请人： 苏州瑞众新材料科技有限公司

发明人： 乔辉

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/56 ,  C23C14/02

CPC分类号： C23C14/562 ,  C23C14/02 ,  C23C14/35

摘要： 本发明提供一种抗电磁波天然面料的制备装置及其制造工艺，制备装置包括可开合的壳体，所述壳体内设置放卷辊和收卷辊，所述基布通过一溅射平台的表面，所述溅射平台的表面和底部分别由金属网和罩体构成，所述壳体上设置有抽气道和进气道，所述罩体连通所述抽气道，所述基布的另一侧设置有平行于所述溅射平台的基座，所述基座上设置有溅射靶，本发明通过真空冷凝基布的方式，使基布中纤维内的水分凝固和升华，在纤维内形成空穴，利用空穴中残余的水分蒸发时的反向力控制镀膜进入所述空穴的程度或者在空穴对应镀膜的位置形成孔洞，使镀膜后的基布即能有抗电磁波的性能也具有良好的透气性和吸湿性。

公开(公告)号：CN105839059A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610202655.6

申请日：2016-03-31

申请人： 东莞酷派软件技术有限公司

发明人： 陈浩

IPC分类号： C23C14/32 ,  C23C14/16 ,  C23C14/02 ,  C23F3/03 ,  C25D11/04 ,  C25D11/18 ,  C23C28/00

CPC分类号： C23C14/32 ,  C23C14/02 ,  C23C14/16 ,  C23C28/322 ,  C23F3/03 ,  C25D11/04 ,  C25D11/18

摘要： 本发明提供了一种压铸铝合金外观件的表面处理方法和压铸铝合金外观件制品，该表面处理方法包括：以铝为阳极，以压铸铝合金外观件为阴极，对压铸铝合金外观件进行离子镀膜处理，以在压铸铝合金外观件表面形成镀铝层；对进行离子镀膜处理后的压铸铝合金外观件进行阳极氧化处理，以在压铸铝合金外观件表面形成氧化膜层。本发明提供的压铸铝合金外观件的表面处理方法，在进行阳极氧化处理之前，在外观件的表面形成一层镀铝层，由于镀铝层中不含Si、Fe、Cu等元素，有效的保证了阳极氧化的效果及后续染色效果，且工艺简单，成本低，外观件的正品率高。

公开(公告)号：CN105463375A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510913418.6

申请日：2015-12-12

申请人： 中原工学院

发明人： 梁宝岩 ,  张旺玺 ,  张艳丽 ,  穆云超

IPC分类号： C23C14/10 ,  C23C14/02

CPC分类号： C23C14/10 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/02

摘要： 本发明公开了一种利用热处理在金刚石表面镀覆氧化硅涂层材料的方法，硅源可采用硅粉和硅块，纯度为99.0wt.%。被镀覆的金刚石颗粒的粒度为20~200微米。通过热处理蒸发硅源，使金刚石表面镀覆氧化硅，主要通过以下步骤制备而成：首先将硅粉和金刚石放入坩埚，金刚石颗粒下面放一个方形氧化铝垫块，然后再在坩埚上盖上一个氧化铝垫片，把坩埚置于管式炉中进行热处理。所述的热处理的升温速率为5～10℃/min,温度为1300～1500℃，保温时间为0.5～1h，升温速率为7℃/min，真空度约1~10Pa。所得金刚石颗粒产物表面即镀覆氧化硅涂层，本发明采用的热处理工艺简单、重复性好、产量高。

公开(公告)号：CN102245801B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN200980149624.7

申请日：2009-12-09

申请人： 山高刀具公司

发明人： 博·扬松 ,  雅各布·舍伦

IPC分类号： C23C16/02 ,  B22F3/24 ,  B23P15/36 ,  C23C14/02

CPC分类号： B23P15/36 ,  B22F2003/242 ,  B22F2003/247 ,  B22F2998/10 ,  B23B27/065 ,  C22C29/08 ,  C23C14/02 ,  C23C14/0641 ,  C22C1/1084 ,  B22F3/02 ,  B22F3/10 ,  B22F3/24

摘要： 本发明涉及制造对尺寸精度具有高要求的切削工具刀片的方法，所述方法通过如下方式实施：通过研磨形成硬质组分和粘结剂相的粉末而进行混合；将所述粉末混合物成形为希望形状的坯体；烧结所成形的坯体；将所述经烧结的坯体高精度地打磨成具有希望形状和尺寸的刀片；优选将切削刃进行刃修圆；和给所述经打磨的刀片提供耐磨的非金刚石或非类金刚石涂层。根据所述方法，在惰性气氛或真空或者其它保护性气氛中，在所述粘结剂相的固相线之下，在所述涂层操作之前进行热处理所述经打磨的刀片一段时间，使得所述表面区域的微结构再结构化而不导致显著的尺寸改变。以此方式，得到了如下刀片，该刀片具有出人意料改进的工具寿命和尺寸精度。

公开(公告)号：CN102477527B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201010555189.2

申请日：2010-11-23

申请人： 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 ,  鸿海精密工业股份有限公司

发明人： 张新倍 ,  陈文荣 ,  蒋焕梧 ,  陈正士 ,  张成

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/35

CPC分类号： C23C14/0641 ,  C23C14/0015 ,  C23C14/0068 ,  C23C14/02 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/35 ,  Y10T428/24851 ,  Y10T428/24917

摘要： 本发明提供一种壳体的制作方法，提供基体，采用磁控溅射方法在基体的表面形成色彩层，之后，在金属靶材前端设置一移动的挡板，开启靶材电源，该靶材为钛靶、铬靶或锆靶中的任一靶材，调节该挡板至靶材正前方，沉积一定时间，使靶材原子溅射到该挡板上，并当溅射到靶材原子数量和溅射速度都稳定时，移开挡板，使靶材原子溅射到基体上，继续溅射一段时间后，关闭靶材电源，使图案层于色彩层表面的沉积停留于形核阶段，以在该色彩层上形成图案层。由上述方法所制得的壳体，该壳体包括一基体、一色彩层、一图案层，所述色彩层形成于基体的表面，所述图案层形成于色彩层的表面，所述图案层为Ti、Cr或Zr膜层。

公开(公告)号：CN102485935B

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201010585727.2

申请日：2010-12-06

申请人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

发明人： 赵梦欣 ,  刘旭 ,  丁培军 ,  王厚工 ,  夏威 ,  文莉辉

IPC分类号： C23C14/02 ,  C30B33/02 ,  H01L21/203

CPC分类号： C23C16/46 ,  C23C14/02 ,  H01L21/67103

摘要： 本发明提供一种均热板及应用该均热板的基片处理设备，其中，上述均热板包括中心子均热板和至少一个位于中心子均热板外围的外环子均热板，并且在中心子均热板与外环子均热板之间以及在相邻的两个外环子均热板之间均具有隔热部，借助该隔热部能够有效阻止或降低相邻的子均热板之间的热传导。本发明所提供的均热板及应用该均热板的基片处理设备能够有效补偿基片边缘区域的热损失，从而使基片各区域的升温速度保持一致。

公开(公告)号：CN102016105B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN200980114306.7

申请日：2009-04-24

申请人： 鲍迪克热处理有限公司 ,  本特勒尔汽车技术有限公司

发明人： 沃尔弗拉姆·格拉夫 ,  弗兰克·纳特鲁皮 ,  梅尔廷·波尔

IPC分类号： C23C14/02 ,  C23C14/54 ,  C23C10/02 ,  C23C10/28

CPC分类号： C23C14/02 ,  C23C10/00 ,  C23C10/02 ,  C23C10/28 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/024 ,  C23C14/14 ,  C23C14/24 ,  C23C14/541 ,  C23C14/548 ,  C23C14/564

摘要： 本发明涉及一种在至少一个基底的表面上镀锌的方法，在此方法中，待镀的至少一个基底与作为镀层剂的锌一起在200-500℃的温度下进行热处理，在反应空间中开始所述热处理之前，将待镀基底进行热处理的反应空间中的气氛中的氧含量调整为少于/等于5体积百分数。然后在反应空间中由此得到的气氛中开始进行热处理，所述热处理在所述反应空间中进行，并且在所述热处理的过程中不向所述反应空间中供给任何气体，或者不供给任何含氧的气体，或供给经预处理使其氧含量不多于100ppm的气体。

公开(公告)号：CN102729713A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201110080427.3

申请日：2011-03-31

申请人： 深圳富泰宏精密工业有限公司

发明人： 刘伟 ,  张松 ,  陈明明

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： C23C14/0015 ,  B05D5/06 ,  B05D7/14 ,  B05D7/57 ,  B05D2425/01 ,  C23C14/02 ,  C23C14/04 ,  C23C14/58 ,  Y10T428/24479 ,  B05D1/02

摘要： 本发明提供一种电子装置壳体，其包括基体，所述基体表面具有通过激光雕刻的方法形成的多个凹陷，所述多个凹陷组合形成图案，所述多个凹陷在基体表面的分布由疏至密渐变或由密至疏渐变，每一凹陷的孔径为0.02-0.04mm，每一凹陷的深度在0.05-0.1mm之间，相邻二凹陷之间的间距可在0.2-2mm之间。本发明还提供了上述电子装置壳体的制造方法。

公开(公告)号：CN101330114B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200810088068.4

申请日：2008-03-31

申请人： 应用材料公司

发明人： 罗兰·特拉斯里 ,  斯万·斯拉莫 ,  托马斯·黑格玛尼

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/02168 ,  C23C14/02 ,  C23C14/0652 ,  C23C14/541 ,  C23C14/568 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明涉及一种制备用于太阳能电池的抗反射和/或钝化涂层的方法，包括步骤：在沉积室中提供硅晶片；将所述硅晶片预加热至大于400℃的温度；通过溅射工艺沉积含氢抗反射或钝化涂层。本发明还涉及一种制造太阳能电池、优选在Si晶片上制备抗反射和/或钝化涂层的涂覆装置，所述涂覆装置优选用于进行本发明的方法，所述涂覆装置包括第一真空室(1)、第二真空室(2)和用于将衬底(5)依次传送通过所述第一和第二真空室的输送装置(4)，所述第一真空室包括至少一个能够被加热以使加热丝温度为1800-3000℃的红外线辐射加热器(16)，并且所述第二真空室包括用于蒸发靶材的溅射装置(12)以及用于引入含氢反应性气体的气体进口。

公开(公告)号：CN102437001A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110287175.1

申请日：2011-09-15

申请人： 东京毅力科创株式会社 ,  岩谷产业株式会社

发明人： 土桥和也 ,  布濑晓志 ,  星野聪彦 ,  妹尾武彦 ,  吉野裕

IPC分类号： H01J37/32 ,  C23F4/00

CPC分类号： H01L21/306 ,  C23C14/02 ,  C23C14/165 ,  C23C14/568 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/386 ,  H01M10/0525

摘要： 本发明涉及真空处理装置、真空处理方法以及微细加工装置。在真空室(31)内设置有喷嘴部(5)，按照与喷嘴部(5)的喷出口对置的方式保持硅基板(W)。以0.3MPa～2.0MPa从喷嘴部(5)的基端侧供给例如ClF3气体以及Ar气体，使该混合气体从喷嘴部(5)的顶端侧向1Pa～100Pa的真空气氛喷出。由此混合气体进行绝热膨胀，Ar原子、ClF3的分子结合在一起成为气体团簇(C)。在该气体团簇(C)未离子化的情况下，向硅基板(W)的表面部喷射，使该表面部多孔质化。而且在不破坏真空的情况下，在其它的真空室(41)中对该硅基板(W)的表面进行锂的溅射成膜。