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公开(公告)号:CN101288212B
公开(公告)日:2010-11-17
申请号:CN200680038415.1
申请日:2006-08-17
Applicant: 阿尔卡特朗讯公司
IPC: H01S3/067
CPC classification number: C09K11/7701 , C03C3/06 , C03C4/0071 , C03C4/10 , C03C13/045 , C03C14/004 , C03C14/006 , C03C2201/20 , C03C2201/30 , C03C2201/3476 , H01S3/06716 , H01S3/06754 , H01S3/169
Abstract: 本发明涉及一种包括放大介质的光纤,其具有:由透明材料和纳米粒子(24)构成的芯(22),其中所述纳米粒子包括掺杂元素和至少一种改进所述掺杂元素的使用的元素;以及围绕所述芯的外包层(26)。本发明的特征在于,所述掺杂元素是铒(Er),并且所述改进元素是从锑(Sb)、铋(Bi)以及锑(Sb)和铋(Bi)的组合之中选出的。根据本发明,这种光纤的特征在于,所述纳米粒子的尺寸是变化的,该尺寸是1至500纳米并且优选地大于20纳米。
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公开(公告)号:CN1339072A
公开(公告)日:2002-03-06
申请号:CN00803451.6
申请日:2000-01-11
Applicant: MEMC电子材料有限公司
Inventor: 理查德·J·菲利普斯 , 史蒂文·J·凯尔特纳
IPC: C30B15/10
CPC classification number: C30B15/10 , C03C3/06 , C03C21/007 , C03C2201/30 , C03C2203/54 , Y10S117/90 , Y10T117/1032
Abstract: 揭示一种用于制造石英坩埚的方法,在此坩埚内表面,外表面或是内、外两表面具有一个钨掺加层。坩埚的一个或多个表面暴露于一蒸汽钨源,将钨退火渗入到坩埚表面,而生成一个钨掺加层,起到与用于拉晶过程的无泡层相同的作用。
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公开(公告)号:CN105793475B
公开(公告)日:2018-07-24
申请号:CN201480065877.7
申请日:2014-11-12
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: C30B15/10 , C03C3/04 , C03C2201/30 , C03C2201/32 , C30B15/30 , C30B29/06 , C30B30/04
Abstract: 本发明提供一种利用CZ法的单晶制造方法,其预先求出在石英坩埚的制造中使用的石英原料粉中包含的Al/Li比、石英坩埚的使用时间、该使用时间内的失透比例、是否发生由失透部分引起的漏液的相关关系,基于该相关关系,以不会发生漏液的方式设定生长单晶时使用的石英坩埚的失透比例的范围,以落入该设定的比例的范围内的方式,根据在石英坩埚的制造中使用的石英原料粉中包含的Al/Li比来确定石英坩埚的最大使用时间,在该最大使用时间的范围内使用石英坩埚进行单晶的生长。由此,提供一种能够在防止发生漏液的同时高效地使用石英坩埚进行单晶的生长的制造方法。
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公开(公告)号:CN105793475A
公开(公告)日:2016-07-20
申请号:CN201480065877.7
申请日:2014-11-12
Applicant: 信越半导体株式会社
CPC classification number: C30B15/10 , C03C3/04 , C03C2201/30 , C03C2201/32 , C30B15/30 , C30B29/06 , C30B30/04
Abstract: 本发明提供一种利用CZ法的单晶制造方法,其预先求出在石英坩埚的制造中使用的石英原料粉中包含的Al/Li比、石英坩埚的使用时间、该使用时间内的失透比例、是否发生由失透部分引起的漏液的相关关系,基于该相关关系,以不会发生漏液的方式设定生长单晶时使用的石英坩埚的失透比例的范围,以落入该设定的比例的范围内的方式,根据在石英坩埚的制造中使用的石英原料粉中包含的Al/Li比来确定石英坩埚的最大使用时间,在该最大使用时间的范围内使用石英坩埚进行单晶的生长。由此,提供一种能够在防止发生漏液的同时高效地使用石英坩埚进行单晶的生长的制造方法。
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公开(公告)号:CN103274583B
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201310226104.X
申请日:2013-06-07
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
Inventor: 潘家明
CPC classification number: C03C3/06 , C03B19/066 , C03B2201/30 , C03C2201/30 , C03C2203/10 , C30B11/002 , C30B15/10 , C30B29/06
Abstract: 本发明提供了一种石英坩埚及其制作方法、P型硅铸锭及其制作方法。该制作方法包括将坩埚原料依次经过注浆、脱模、干燥、烧结的处理过程,得到石英坩埚,坩埚原料包括高纯无机镓盐与高纯石英砂,其中坩埚原料中镓与高纯石英砂的重量比为3.7~370g:1000kg。上述石英坩埚的制作方法均可以采用现有技术中已有的工艺流程,只需要在坩埚原料中添加适量的无机镓盐并控制坩埚原料中镓元素的含量在3.7~370g/1000kg之间,得到的石英坩埚中镓重量含量在0.296g~29.6g/100kg之间,即可实现改善以其为容器制备得到的P型多晶硅铸锭的电阻率的目的,工艺简单、效果明显。
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公开(公告)号:CN102378925B
公开(公告)日:2014-05-07
申请号:CN201080015128.5
申请日:2010-03-11
Applicant: 赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司
Inventor: C·诺伊曼
CPC classification number: G02B5/208 , C03C3/06 , C03C4/0085 , C03C2201/30 , C03C2201/42 , C03C2203/10 , G02B5/226
Abstract: 本发明涉及一种由掺杂的石英玻璃制成的滤光器材料,这种材料在低的掺杂剂浓度下展现出了对于254nm的工作辐射尽可能高的至少80%cm-1的光谱透射率、在低于约250nm的波长范围内的尽可能低的透射率、以及在230至250nm波段内的一个截止波长λc。在此已经发现,通过进行包含一种镓化合物的掺杂实现了这个目的,该镓化合物在低于250nm的波段具有吸收带的最大值并且因此确定了这个截止波段λc。
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公开(公告)号:CN103476974A
公开(公告)日:2013-12-25
申请号:CN201280018220.6
申请日:2012-10-02
Applicant: 信越石英株式会社
Inventor: 山形茂
CPC classification number: C30B15/10 , C03B19/095 , C03C3/06 , C03C17/004 , C03C17/02 , C03C2201/30 , C03C2203/10 , C30B15/02 , C30B29/06 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
Abstract: 本发明涉及一种单晶硅提拉用二氧化硅容器,其具有由含有气泡的不透明二氧化硅玻璃所构成的外层、及由实质上不含气泡的透明二氧化硅玻璃所构成的内层,并具有底部、弯曲部及直胴部,其特征在于,在前述内层的表面形成有槽,所述槽自至少前述底部的一部分,经由前述弯曲部,延续到至少前述直胴部的一部分。由此,提供一种单晶硅提拉用二氧化硅容器及此种二氧化硅容器的制造方法,所述单晶硅提拉用二氧化硅容器可降低提拉的单晶硅中的被称为孔隙或针孔的缺陷。
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公开(公告)号:CN103274583A
公开(公告)日:2013-09-04
申请号:CN201310226104.X
申请日:2013-06-07
Applicant: 英利能源(中国)有限公司
Inventor: 潘家明
CPC classification number: C03C3/06 , C03B19/066 , C03B2201/30 , C03C2201/30 , C03C2203/10 , C30B11/002 , C30B15/10 , C30B29/06
Abstract: 本发明提供了一种石英坩埚及其制作方法、P型硅铸锭及其制作方法。该制作方法包括将坩埚原料依次经过注浆、脱模、干燥、烧结的处理过程,得到石英坩埚,坩埚原料包括高纯无机镓盐与高纯石英砂,其中坩埚原料中镓与高纯石英砂的重量比为3.7~370g:1000kg。上述石英坩埚的制作方法均可以采用现有技术中已有的工艺流程,只需要在坩埚原料中添加适量的无机镓盐并控制坩埚原料中镓元素的含量在3.7~370g/1000kg之间,得到的石英坩埚中镓重量含量在0.296g~29.6g/100kg之间,即可实现改善以其为容器制备得到的P型多晶硅铸锭的电阻率的目的,工艺简单、效果明显。
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公开(公告)号:CN102067036B
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN200980123604.2
申请日:2009-07-23
Applicant: 株式会社尼康
CPC classification number: C03B19/1469 , C03B19/1453 , C03B2201/07 , C03B2201/42 , C03C3/06 , C03C2201/30 , C03C2201/32 , C03C2201/42 , C03C2201/50 , C03C2203/40 , C03C2203/42 , C03C2203/54 , G03F1/50
Abstract: 本发明涉及光掩模用光学构件,其为在合成石英玻璃中添加了TiO2的光学构件。含有3.0~6.5重量%的TiO2。本发明还涉及光掩模用光学构件的制造方法,其在合成了石英玻璃铸锭后,成形为平板状的所定形状,之后,在氧化气氛中进行退火。通过退火使石英玻璃铸锭中的Ti3+变化成Ti4+,可降低Ti3+导致的光的吸收。由于对波长365nm的光之透射率为90%以上,因此即使在波长365nm附近也具有实用上充分的透射率,且与石英玻璃相比不易热膨胀。
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