公开(公告)号：CN103228585A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180056730.8

申请日：2011-11-10

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： A·M·M·葛洛特 ,  P·G·J·马克斯 ,  A·塞拉姆

IPC: C03B23/02

CPC classification number: C03B23/02 ,  B81B2201/051 ,  B81B2203/0338 ,  B81C99/0085 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/036

Abstract: 提供一种制造包含限定在玻璃或玻璃-陶瓷结构中的流体通道（60）的流体模块（80）的方法。根据所述方法，提供了包含模具接合层（20）和层叠体骨架（30）的非均质的通道形成层叠体（10）。层叠体骨架（30）包含限定支持粘度μB的玻璃质体。在模塑温度TM下，通道形成模具（50）被压制与通道形成层叠体（10）的模具接合层（20）接合，以形成通道形成层叠体（10）中的流体通道组件（40）。在模塑温度TM下，模具接合层（20）的模塑粘度μM小于层叠体骨架（30）的支持粘度μB。压制的通道形成层叠体（10'）与多个互补压制通道形成层叠体（10'）叠置，以在叠置的层叠体结构（70）中限定多个流体通道（60）。在叠置的层叠体结构（70）中的多个流体通道（60）在密封温度TS下密封，该密封温度TS低于模塑温度TM并高于模具接合层（20）的软化点温度。还提供了包含叠置的层叠体结构（70）的流体模块（80）。

公开(公告)号：CN102874737A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210242505.X

申请日：2012-07-12

Applicant: 法国原子能与替代能委员会 ,  飞思卡尔半导体股份有限公司

Inventor： 奥黛莉·伯舍乐 ,  文森特·拉利 ,  尚·菲利浦·珀利紮 ,  玛丽·伊莲·沃黛安 ,  赫曼·德赛 ,  朴宇泰

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  G01C19/56

CPC classification number: B81C1/00015 ,  B81B3/00 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C3/008 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/036 ,  G01C19/5769 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H01L2224/83805

Abstract: 本发明公开一种微系统及/或纳米系统类型的装置及其制造方法，所述装置包含：第一衬底，包含称为下电极的至少一个电极，以及至少一个介电层；中间衬底，延伸横跨称为装置的主平面的平面，所述中间衬底包含移动部；上衬底，贴附至所述中间衬底，其中，所述移动部被设置为在所述下电极与所述上衬底之间移动。

公开(公告)号：CN101443286B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN200780017489.1

申请日：2007-05-14

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： Y·内德莱克

IPC: C03C27/06 ,  G01N1/00 ,  B01J19/00

CPC classification number: B81C1/00071 ,  B01L3/5027 ,  B81C2201/019 ,  C03C17/04 ,  C03C27/06 ,  C03C27/10 ,  Y10T29/494 ,  Y10T137/2224 ,  Y10T428/24562 ,  Y10T428/24661 ,  Y10T428/24744 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/24851 ,  Y10T428/24926

Abstract: 一种整体型结构(10)，由设置在两个或更多个平坦基板(30，40)之间的玻璃或玻璃-陶瓷烧结的图案化玻璃料(20)熔合在一起的所述两个或更多个平坦基板(30，40)组成。所述烧结的图案化玻璃料的图案在其中限定出通道(70)，所述烧结的图案化玻璃料(20)在平行于所述基板的方向具有特性最小特征尺寸(60)。所述玻璃料的颗粒在最大长度尺度上具有多分散尺寸分布，该多分散尺寸分布最高达到最大玻璃料粒度，烧结的图案化玻璃料的最小特征尺寸(60)大于所述最大玻璃料粒度的两倍，优选约等于或大于三倍，且小于最大玻璃料粒度的6.25倍，优选约等于或小于5倍，最优选约等于或小于4倍。还揭示了一种用来制造所述结构(10)的方法。

公开(公告)号：CN101158447B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN200710127398.5

申请日：2003-12-04

Applicant: 斯宾克斯公司

Inventor： 皮耶罗·祖凯利 ,  巴尔特·范德维维尔

IPC: B01L3/00

CPC classification number: F16K99/0001 ,  B01F11/0002 ,  B01F13/0059 ,  B01F13/0809 ,  B01F15/0205 ,  B01L3/502715 ,  B01L3/50273 ,  B01L3/502738 ,  B01L2300/0654 ,  B01L2300/0803 ,  B01L2300/0806 ,  B01L2300/0861 ,  B01L2300/0864 ,  B01L2300/0887 ,  B01L2400/0409 ,  B01L2400/0677 ,  B01L2400/0683 ,  B81B2201/058 ,  B81C1/00119 ,  B81C2201/019 ,  F16K99/003 ,  F16K99/0034 ,  F16K99/004 ,  F16K2099/0073 ,  F16K2099/008 ,  F16K2099/0084 ,  G01N21/01 ,  G01N35/00069 ,  G01N2001/2886 ,  G01N2035/00247 ,  Y10T137/1624 ,  Y10T137/1632 ,  Y10T436/2575

Abstract: 本发明通常涉及以可程控方式控制中等尺度的微流控部件中流体流动的装置和方法。具体地，本发明涉及在任意的位置和时间使两个微流控部件实现流体连通的装置和方法，所述两个微流控装置均受外部限定。本发明的装置使用电磁辐射以使具有选定吸收性能的材料层穿孔。材料层的穿孔使得微流控部件间实现流体连通。本发明的其它方面包括进行流体的体积定量的装置和方法、在一套输入毛细管和一套输出毛细管间可程控地任意连接的装置、和将在向心装置中的流体从较大半径处输送至较小半径处的方法。此外，本发明还涉及确定旋转装置的参考坐标系中的拾取器的径向和极线位置的方法。

公开(公告)号：CN102803126A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080057898.6

申请日：2010-12-17

Applicant: 艾罗克林有限公司

Inventor： A·菲舍尔 ,  G·斯特默 ,  F·尼克劳斯 ,  N·罗克斯赫德

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00293 ,  B01L3/502707 ,  B01L2300/042 ,  B81B2201/058 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0145 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49151 ,  Y10T29/49153 ,  Y10T29/49826 ,  Y10T29/49885

Abstract: 一种用于将塞子至少部分地插入孔中的方法，所述方法包括如下步骤：a)提供具有至少一个孔的至少一个基体，其中所述至少一个孔的最大尺寸为1μm到300μm，b)提供材料块，其中所述材料块的尺寸大于所述至少一个孔，c)用工具将所述材料块压向所述孔，以形成塞子，其中所述材料块的至少一部分被压入所述孔，d)从所述材料块移去所述工具。本发明还公开了用所述方法制造的填塞的孔。一种实施方式的一个优点是可应用工业上可获得的引线接合技术来密封不同的腔室。现有的引线接合技术使得填塞快速而廉价。

公开(公告)号：CN102782324A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201080051330.3

申请日：2010-11-12

Applicant: 法国原子能与替代能委员会

Inventor： 伊夫·法布里斯 ,  弗朗索瓦·贝厄罗斯 ,  马丁·切特 ,  桑德琳·毛贝特

IPC: F04B43/04 ,  B81B1/00

CPC classification number: F04B43/046 ,  A61M5/14586 ,  B81B2201/036 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/019 ,  F04B43/02 ,  F04B43/043 ,  F05C2203/02 ,  F05C2203/06 ,  Y10T29/494

Abstract: 本发明涉及一种制造至少一变形膜微泵的方法，所述变形膜微泵包含一第一衬底（10）及一与所述第一衬底（10）相互组装在一起的第二衬底（20），所述第一衬底（10）包含至少一孔穴（12-2）及所述第二衬底（20）包含面对所述孔穴（12-2）设置的至少一变形膜（22-2）。所述方法包含下列步骤：在所述第一衬底（10）内制造所述孔穴（12-2）；然后组装所述第一衬底（10）以及所述第二衬底（10）；然后在所述第二衬底内（20）制造所述变形膜（22-2）。

公开(公告)号：CN102742012A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201180005860.9

申请日：2011-01-10

Applicant: 艾尔默斯半导体股份公司

Inventor： 恩德·腾海夫

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/786

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B3/0018 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/007 ,  B81B3/0072 ,  B81B3/0081 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00626 ,  B81C99/0035 ,  B81C2201/019 ,  G01L9/0047 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/84

Abstract: 一种半导体部件，尤其是为了用作微机电半导体器件诸如压力传感器或加速度传感器中的对于机械应力敏感的部件，具有：半导体衬底(1，5)，在该半导体衬底的上侧上通过离子注入引入有源区(78a，200)，该有源区由第一导电类型的材料构成。在有源区(78a，200)内构建有限定的长度(L)和宽度(B)的半导体沟道区。在有源区(78a，200)中纵向伸展部中的沟道区的端部上分别连接有接触区(79，80)，接触区由第二导电类型的半导体材料构建。沟道区被离子注入掩膜材料(81)覆盖，其具有限定沟道区的长度(L)的横向边缘以及限定沟道区的宽度(B)的纵向边缘，并且在沟道区的对置的并且与沟道区的纵向延伸端部平齐的横向边缘上分别具有边缘留空部(201，202)，与沟道区邻接的接触区(79，80)延伸至边缘留空部中。

公开(公告)号：CN102741979A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201180005859.6

申请日：2011-01-10

Applicant: 艾尔默斯半导体股份公司

Inventor： 迈克尔·德勒

IPC: H01L21/18 ,  G01L19/04 ,  G01L9/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B3/0018 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/007 ,  B81B3/0072 ,  B81B3/0081 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00626 ,  B81C99/0035 ,  B81C2201/019 ,  G01L9/0047 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/84

Abstract: 一种微机电半导体器件，设置有：半导体衬底(4，5)，半导体材料构成的、能够可逆变形的弯曲元件(8a)，以及对机械应力敏感的至少一个晶体管，其构建为弯曲元件(8a)中的集成部件。晶体管设置在引入弯曲元件(8a)中的、第一导电类型的半导体材料构成的、注入的有源区阱(78a)中。在有源区阱(78a)中构建有两个彼此间隔的、第二导电类型的半导体材料构成的、注入的漏极区和源极区(79，80)，沟道区在所述漏极区和源极区之间延伸。第二导电类型的半导体材料构成的、注入的馈电线朝向漏极区和源极区(79，80)引导。有源区阱(78a)的上侧被栅极氧化物(81a)覆盖。在沟道区的区域中在栅极氧化物(81a)上有多晶硅构成的栅电极(81)，同样由多晶硅构成的馈电线引导至该栅电极。

公开(公告)号：CN102482074A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080039064.2

申请日：2010-08-02

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： S·平特

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00333 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118

Abstract: 本发明提出用于加盖的微机械构件的制造方法，相应的微机械构件和用于微机械构件的盖板。所述方法具有如下步骤：形成具有多个穿孔(K；K’)的中间衬底(1，1’，1”；2，2’)；将盖衬底(KD；KD’)层压到所述中间衬底(1，1’，1”；2，2’)的前侧(VS；VS’)上，所述盖衬底在所述前侧(VS；VS’)上封闭所述穿孔(K；K’)；将MEMS功能晶片(3；3’)层压到所述中间衬底(1，1’，1”；2，2’)的背侧(RS，RS’)上；其中，使所述MEMS功能晶片(3；3’)相对于所述中间衬底(1，1’，1”；2，2’)如此定向，使得所述穿孔(K；K’)形成所述MEMS功能晶片(3；3’)的相应功能区域(FB，FB’)上方的相应空腔。

公开(公告)号：CN102285632A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110175536.3

申请日：2011-06-17

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S·K·加米奇 ,  N·V·曼特拉瓦迪 ,  M·克利茨克 ,  T·L·库克森

IPC: B81C1/00 ,  G01L7/08

CPC classification number: G01L9/0054 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/019 ,  G01L9/0042 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49002

Abstract: 本发明名称为传感器及其制造方法。公开传感器和用于制造传感器的方法，在一个实施例中将蚀刻的半导体衬底晶片(300)接合到包括绝缘体上硅晶片的蚀刻的器件晶片(100)以形成悬置结构，该悬置结构的挠曲由嵌入的感测元件(140)确定以测量绝对压力。嵌入该传感器中的互连通道(400)便于器件的流水线化封装同时满足与其他装置的互连性。