公开(公告)号：CN102313621A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110175619.2

申请日：2011-06-17

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S·K·加米奇 ,  N·V·曼特拉瓦迪 ,  M·克利茨克 ,  T·L·库克森

IPC: G01L7/08

CPC classification number: G01L9/0042 ,  G01L9/0054

Abstract: 公开传感器和用于制造传感器的方法，在一个实施例中将蚀刻的半导体衬底晶片(300)接合到包括绝缘体上硅晶片的蚀刻的第一器件晶片(100)，其然后接合到包括绝缘体上硅晶片的第二器件晶片(200)以形成通气的悬置结构，该结构的挠曲由嵌入的感测元件(140)确定以测量差分压力。在一个实施例中，嵌入该传感器中的互连通道(400)便于器件的流水线化封装同时满足与其他装置的互连性。

公开(公告)号：CN102313621B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110175619.2

申请日：2011-06-17

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S·K·加米奇 ,  N·V·曼特拉瓦迪 ,  M·克利茨克 ,  T·L·库克森

IPC: G01L7/08

CPC classification number: G01L9/0042 ,  G01L9/0054

Abstract: 公开传感器和用于制造传感器的方法，在一个实施例中将蚀刻的半导体衬底晶片(300)接合到包括绝缘体上硅晶片的蚀刻的第一器件晶片(100)，其然后接合到包括绝缘体上硅晶片的第二器件晶片(200)以形成通气的悬置结构，该结构的挠曲由嵌入的感测元件(140)确定以测量差分压力。在一个实施例中，嵌入该传感器中的互连通道(400)便于器件的流水线化封装同时满足与其他装置的互连性。

公开(公告)号：CN102285632B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110175536.3

申请日：2011-06-17

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S·K·加米奇 ,  N·V·曼特拉瓦迪 ,  M·克利茨克 ,  T·L·库克森

IPC: B81C1/00 ,  G01L7/08

CPC classification number: G01L9/0054 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/019 ,  G01L9/0042 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49002

Abstract: 本发明名称为传感器及其制造方法。公开传感器和用于制造传感器的方法，在一个实施例中将蚀刻的半导体衬底晶片(300)接合到包括绝缘体上硅晶片的蚀刻的器件晶片(100)以形成悬置结构，该悬置结构的挠曲由嵌入的感测元件(140)确定以测量绝对压力。嵌入该传感器中的互连通道(400)便于器件的流水线化封装同时满足与其他装置的互连性。

公开(公告)号：CN102285632A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110175536.3

申请日：2011-06-17

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S·K·加米奇 ,  N·V·曼特拉瓦迪 ,  M·克利茨克 ,  T·L·库克森

IPC: B81C1/00 ,  G01L7/08

CPC classification number: G01L9/0054 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/019 ,  G01L9/0042 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49002

Abstract: 本发明名称为传感器及其制造方法。公开传感器和用于制造传感器的方法，在一个实施例中将蚀刻的半导体衬底晶片(300)接合到包括绝缘体上硅晶片的蚀刻的器件晶片(100)以形成悬置结构，该悬置结构的挠曲由嵌入的感测元件(140)确定以测量绝对压力。嵌入该传感器中的互连通道(400)便于器件的流水线化封装同时满足与其他装置的互连性。