传感器及其制造方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102313621B

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201110175619.2

    申请日:2011-06-17

    CPC classification number: G01L9/0042 G01L9/0054

    Abstract: 公开传感器和用于制造传感器的方法,在一个实施例中将蚀刻的半导体衬底晶片(300)接合到包括绝缘体上硅晶片的蚀刻的第一器件晶片(100),其然后接合到包括绝缘体上硅晶片的第二器件晶片(200)以形成通气的悬置结构,该结构的挠曲由嵌入的感测元件(140)确定以测量差分压力。在一个实施例中,嵌入该传感器中的互连通道(400)便于器件的流水线化封装同时满足与其他装置的互连性。

    传感器及其制造方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102313621A

    公开(公告)日:2012-01-11

    申请号:CN201110175619.2

    申请日:2011-06-17

    CPC classification number: G01L9/0042 G01L9/0054

    Abstract: 公开传感器和用于制造传感器的方法,在一个实施例中将蚀刻的半导体衬底晶片(300)接合到包括绝缘体上硅晶片的蚀刻的第一器件晶片(100),其然后接合到包括绝缘体上硅晶片的第二器件晶片(200)以形成通气的悬置结构,该结构的挠曲由嵌入的感测元件(140)确定以测量差分压力。在一个实施例中,嵌入该传感器中的互连通道(400)便于器件的流水线化封装同时满足与其他装置的互连性。

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