-
公开(公告)号：CN102313621A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110175619.2
申请日：2011-06-17
Applicant: 通用电气公司
IPC: G01L7/08
CPC classification number: G01L9/0042 , G01L9/0054
Abstract: 公开传感器和用于制造传感器的方法，在一个实施例中将蚀刻的半导体衬底晶片(300)接合到包括绝缘体上硅晶片的蚀刻的第一器件晶片(100)，其然后接合到包括绝缘体上硅晶片的第二器件晶片(200)以形成通气的悬置结构，该结构的挠曲由嵌入的感测元件(140)确定以测量差分压力。在一个实施例中，嵌入该传感器中的互连通道(400)便于器件的流水线化封装同时满足与其他装置的互连性。
-
公开(公告)号：CN102313621B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110175619.2
申请日：2011-06-17
Applicant: 通用电气公司
IPC: G01L7/08
CPC classification number: G01L9/0042 , G01L9/0054
Abstract: 公开传感器和用于制造传感器的方法，在一个实施例中将蚀刻的半导体衬底晶片(300)接合到包括绝缘体上硅晶片的蚀刻的第一器件晶片(100)，其然后接合到包括绝缘体上硅晶片的第二器件晶片(200)以形成通气的悬置结构，该结构的挠曲由嵌入的感测元件(140)确定以测量差分压力。在一个实施例中，嵌入该传感器中的互连通道(400)便于器件的流水线化封装同时满足与其他装置的互连性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102157679A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010624375.7
申请日：2010-12-28
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: G01P15/0802 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0118 , B81C1/00182 , G01L9/0042 , G01L19/0092 , G01P15/123
Abstract: 公开一种用于制造传感器的方法，在一个实施例中，所述方法将蚀刻的半导体衬底晶片(130)接合到包括绝缘体上双硅晶片的蚀刻的装置晶片(142)，从而创建悬挂结构，悬挂结构的挠曲由嵌入的压阻传感器元件(150)来感测。在一个实施例中，传感器测量加速度。在其它实施例中，传感器测量压力。
-
公开(公告)号：CN102285632B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110175536.3
申请日：2011-06-17
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: G01L9/0054 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00182 , B81C2201/019 , G01L9/0042 , Y10T29/42 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明名称为传感器及其制造方法。公开传感器和用于制造传感器的方法，在一个实施例中将蚀刻的半导体衬底晶片(300)接合到包括绝缘体上硅晶片的蚀刻的器件晶片(100)以形成悬置结构，该悬置结构的挠曲由嵌入的感测元件(140)确定以测量绝对压力。嵌入该传感器中的互连通道(400)便于器件的流水线化封装同时满足与其他装置的互连性。
-
公开(公告)号：CN102583232B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201110463073.0
申请日：2011-12-15
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: G01L9/0054 , G01L9/0042
Abstract: 本发明名称为“用于制造传感器的方法”。本发明公开了一种用于制造传感器的方法，在一个实施例中其将第一器件晶片接合到已蚀刻的第二器件晶片以产生一悬置结构，悬置结构的挠曲通过嵌入的感测元件来确定，感测元件通过嵌入于第一器件晶片的器件层中的互连与传感器的外表面电通信。在一个实施例中，通过盖来密封悬置结构且传感器配置成测量绝对压力。
-
公开(公告)号：CN102583232A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110463073.0
申请日：2011-12-15
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: G01L9/0054 , G01L9/0042
Abstract: 本发明名称为“用于制造传感器的方法”。本发明公开了一种用于制造传感器的方法，在一个实施例中其将第一器件晶片接合到已蚀刻的第二器件晶片以产生一悬置结构，悬置结构的挠曲通过嵌入的感测元件来确定，感测元件通过嵌入于第一器件晶片的器件层中的互连与传感器的外表面电通信。在一个实施例中，通过盖来密封悬置结构且传感器配置成测量绝对压力。
-
公开(公告)号：CN102285632A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110175536.3
申请日：2011-06-17
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: G01L9/0054 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00182 , B81C2201/019 , G01L9/0042 , Y10T29/42 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明名称为传感器及其制造方法。公开传感器和用于制造传感器的方法，在一个实施例中将蚀刻的半导体衬底晶片(300)接合到包括绝缘体上硅晶片的蚀刻的器件晶片(100)以形成悬置结构，该悬置结构的挠曲由嵌入的感测元件(140)确定以测量绝对压力。嵌入该传感器中的互连通道(400)便于器件的流水线化封装同时满足与其他装置的互连性。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.017 seconds)
