用于制造传感器的方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102583232B

    公开(公告)日:2013-11-06

    申请号:CN201110463073.0

    申请日:2011-12-15

    CPC classification number: G01L9/0054 G01L9/0042

    Abstract: 本发明名称为“用于制造传感器的方法”。本发明公开了一种用于制造传感器的方法,在一个实施例中其将第一器件晶片接合到已蚀刻的第二器件晶片以产生一悬置结构,悬置结构的挠曲通过嵌入的感测元件来确定,感测元件通过嵌入于第一器件晶片的器件层中的互连与传感器的外表面电通信。在一个实施例中,通过盖来密封悬置结构且传感器配置成测量绝对压力。

    用于制造传感器的方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102583232A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201110463073.0

    申请日:2011-12-15

    CPC classification number: G01L9/0054 G01L9/0042

    Abstract: 本发明名称为“用于制造传感器的方法”。本发明公开了一种用于制造传感器的方法,在一个实施例中其将第一器件晶片接合到已蚀刻的第二器件晶片以产生一悬置结构,悬置结构的挠曲通过嵌入的感测元件来确定,感测元件通过嵌入于第一器件晶片的器件层中的互连与传感器的外表面电通信。在一个实施例中,通过盖来密封悬置结构且传感器配置成测量绝对压力。

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