公开(公告)号：CN104098065A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410145511.2

申请日：2014-04-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·T·布里格哈姆 ,  C·V·加尼斯 ,  C·E·卢斯 ,  J·C·马林格 ,  W·J·墨菲 ,  A·K·斯坦珀 ,  E·J·怀特

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G06F17/50

CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B3/0021 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/09 ,  B81C1/00047 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00531 ,  B81C1/00936 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0121 ,  B81C2201/0125 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/0714 ,  G06F17/5009

Abstract: 本发明公开微电子机械系统（MEMS）结构、制造方法和设计结构。该方法包括：通过使至少在微电子机械系统（MEMS）梁之上和之下的钨材料和半导体材料两者排出以在MEMS梁之上形成上腔体结构和在MEMS梁之下形成下腔体结构，来形成MEMS梁结构。

公开(公告)号：CN101389566B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200780006450.X

申请日：2007-02-07

Applicant: 高通MEMS科技公司

Inventor： 周岑今 ,  吴春辰 ,  帕特里克·F·布林克利

IPC: B81C1/00 ,  B81C5/00 ,  G02B26/00 ,  H04Q11/00

CPC classification number: B81C99/004 ,  B81B2201/047 ,  B81C1/00714 ,  B81C2201/0107 ,  G02B26/001

Abstract: 本发明揭示一种制作MEMS装置的方法，其包括：在移除导电牺牲层之前，通过经由所述导电牺牲层跨越绝缘层施加电压达一时间周期来调节所述绝缘层。所述调节过程可用于使积累在所述绝缘层内的电荷饱和或稳定。还可测量跨越所述绝缘层的电阻，以检测所述绝缘层中可能的缺陷。

公开(公告)号：CN100550429C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN02826974.8

申请日：2002-11-08

Applicant: 图恩斯通系统公司 ,  维斯普瑞公司

Inventor： 达纳·R·德吕斯

IPC: H01L29/84 ,  H01L29/82

CPC classification number: B81B3/0024 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0109 ,  H01H1/04 ,  H01H1/504 ,  H01H59/0009 ,  H01H61/04 ,  H01H2001/0042 ,  H01H2001/0063 ,  H01H2001/0089 ,  H01H2059/0072 ,  H01H2061/006 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/522 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H02N1/006 ,  H02N10/00 ,  Y10T29/49222 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据一个实施例，提供一种悬挂在基板上方的可移动MEMS部件。该部件可包括结构层，该结构层具有与基板分开一定间隙的可移动电极。该部件还可包括至少一个支座凸块，该支座凸块固定到结构层上并延伸到所述间隙中，当该部件移动时用于防止可移动电极与导电材料接触。

公开(公告)号：CN1292447C

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN02826914.4

申请日：2002-11-08

Applicant: 图恩斯通系统公司 ,  维斯普瑞公司

Inventor： 肖恩·J·坎宁安 ,  达纳·R·德吕斯 ,  苏巴哈姆·塞特 ,  斯韦特兰娜·塔蒂克-卢奇克

IPC: H01H57/00

CPC classification number: B81B3/0024 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0109 ,  H01H1/04 ,  H01H1/504 ,  H01H59/0009 ,  H01H61/04 ,  H01H2001/0042 ,  H01H2001/0063 ,  H01H2001/0089 ,  H01H2059/0072 ,  H01H2061/006 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/522 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H02N1/006 ,  H02N10/00 ,  Y10T29/49222 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种悬挂在基板(102)上的活动的、三层微元件(108)，并且包括第一导电层(116)，将该第一导电层构图限定活动电极(114)。用间隙将基板(102)与第一金属层(116)分开。微元件(108)还包括在第一金属层(116)上形成并且一端相对于基板(102)固定的电介质层(112)。此外，微元件(102)包括在介质层(112)上形成的第二导电层(120)，并且构图限定与活动电极(114)电连接的电极互连(124)。

公开(公告)号：CN104428240A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201380036043.9

申请日：2013-06-19

Applicant: 高通MEMS科技公司

Inventor： 桑德迪普·K·吉里

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0005 ,  B81B3/001 ,  B81B2201/042 ,  B81C2201/0107

Abstract: 本发明提供用于具有改进的电气性质和装置使用寿命的机电系统装置的系统、方法和设备。在一个方面中，保形抗静摩擦层在机电系统设备的腔内形成于粗糙表面上。所述保形抗静摩擦层可包含电介质层。所述保形抗静摩擦层可包含形成于所述电介质层上的自组装单层SAM。所述保形抗静摩擦层可复制所述保形抗静摩擦层沉积于其上的表面的粗糙度。

公开(公告)号：CN103827019A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201280047105.1

申请日：2012-08-27

Applicant: 高通MEMS科技公司

Inventor： 菲利普·贾森·斯蒂法诺 ,  安娜·兰格洛瓦·隆德甘 ,  叶夫根尼·彼得罗维奇·古塞夫 ,  拉温德拉·瓦曼·谢诺伊

IPC: B81C1/00 ,  C25D5/10 ,  C25D5/18 ,  C23C28/02

CPC classification number: B81C1/0038 ,  B81B2203/0392 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2201/038 ,  C23C18/1653 ,  C25D5/10 ,  C25D5/18 ,  C25D5/48 ,  C25D7/00 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/24612

Abstract: 本发明提供高表面区域堆叠层金属结构、装置、设备、系统及相关方法的实施方案。可从包含第一金属及第二金属的电镀槽来制造位于衬底上的多个堆叠层。经调制的电镀电流可沉积交替的第一金属层及合金层，所述合金层包含所述第一金属及所述第二金属。可通过选择性地蚀刻第一金属层的一些部分以界定堆叠层结构来形成合金层之间的间隙。堆叠层结构可在用以形成电容器、电感器、催化反应器、热转移管、非线性弹簧、过滤器、蓄电池及重金属净化器的应用中有用。

公开(公告)号：CN100474519C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN02826975.6

申请日：2002-11-08

Applicant: 图恩斯通系统公司 ,  维斯普瑞公司

Inventor： 肖恩·J·坎宁安 ,  斯韦特兰娜·塔蒂克-卢奇克

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/4763 ,  H01P1/10 ,  H01H57/00 ,  H02B1/00

CPC classification number: B81B3/0024 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0109 ,  H01H1/04 ,  H01H1/504 ,  H01H59/0009 ,  H01H61/04 ,  H01H2001/0042 ,  H01H2001/0063 ,  H01H2001/0089 ,  H01H2059/0072 ,  H01H2061/006 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/522 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H02N1/006 ,  H02N10/00 ,  Y10T29/49222 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于制造三层横梁MEMS器件的方法，包括：在衬底上淀积牺牲层(310)，和移去牺牲层(310)上的第一导电层的一部分来形成第一导电微型结构(312)；在第一导电微型结构(312)、牺牲层(310)和衬底(300)上淀积结构层(322)，并且形成一个穿过结构层(322)到达第一导电微型结构(312)的通路；在结构层(322)上和通路中淀积第二导电层(336)；通过移去第二导电层(336)的一部分来形成第二导电微型结构(324)，其中第二导电微型结构(324)通过该通路与第一导电微型结构(312)电通信；并且移去足够量的牺牲层(310)以使第一导电微型结构(312)和该衬底分开，其中在第一端由衬底支撑结构层(322)且在相对的第二端在衬底的上方自由悬挂。

公开(公告)号：CN1613128A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN02826914.4

申请日：2002-11-08

Applicant: 图恩斯通系统公司 ,  维斯普瑞公司

Inventor： 肖恩·J·坎宁安 ,  达纳·R·德吕斯 ,  苏巴哈姆·塞特 ,  斯韦特兰娜·塔蒂克-卢奇克

IPC: H01H57/00

CPC classification number: B81B3/0024 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0109 ,  H01H1/04 ,  H01H1/504 ,  H01H59/0009 ,  H01H61/04 ,  H01H2001/0042 ,  H01H2001/0063 ,  H01H2001/0089 ,  H01H2059/0072 ,  H01H2061/006 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/522 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H02N1/006 ,  H02N10/00 ,  Y10T29/49222 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种悬挂在基板(102)上的活动的、三层微元件(108)，并且包括第一导电层(116)，将该第一导电层构图限定活动电极(114)。用间隙将基板(102)与第一金属层(116)分开。微元件(108)还包括在第一金属层(116)上形成并且一端相对于基板(102)固定的电介质层(112)。此外，微元件(102)包括在介质层(112)上形成的第二导电层(120)，并且构图限定与活动电极(114)电连接的电极互连(124)。