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公开(公告)号：CN119753628A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411836384.0
申请日：2024-12-13
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种抑制空间行波管微小放电的方法，包括空间行波管，该方法是采用多种前驱体交替的作用方式在陶瓷原样表面上沉积三氧化二铝薄膜；陶瓷原样为空间行波管的陶瓷表面未沉积任何薄膜。多种前驱体为三甲基铝和水；沉积温度为250℃～350℃。本发明中利用在陶瓷原样表面沉积三氧化二铝薄膜的方式实现了陶瓷原样表面的二次电子发射系数的降低和沿面闪络电压的提高，从而降低了空间行波管微小放电发生的概率，在解决空间行波管微小放电的方面有较好的应用前景，对于提高航天器中空间行波管的可靠性具有重要应用价值。
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公开(公告)号：CN116770267A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310639832.7
申请日：2023-05-31
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/26 , C23C16/02
Abstract: 本发明提供了一种抑制星载微波部件微放电效应的薄膜及沉积工艺，包括在星载微波部件表面先后以原子层沉积方式制备目标厚度的氮化钛薄膜和无定形碳薄膜，所述氮化钛薄膜的目标厚度为15～20nm；所述无定形碳薄膜的目标厚度为5～8nm。在星载微波部件表面先后沉积氮化钛薄膜和无定形碳薄膜，能够实现微波部件表面微放电效应的抑制，并具有强的膜基结合力、良好的表面抗氧化性、复杂微波部件表面保形性和优异的电学特性。
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公开(公告)号：CN114000103A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111027645.0
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种二硫化钼/石墨烯复合异质结及其制备方法，包括基底1、二硫化钼层2和石墨烯层3；二硫化钼层2设置在基底1上，石墨烯层设置在二硫化钼层2上。本发明通过对磁控溅射制备MoS2/石墨烯复合异质结工艺过程的优化设计，并且结合退火工艺，以减少预制薄膜的硫空位，提高二硫化钼缓冲层的结晶质量，同时通过氩离子溅射在碳膜上形成高表面粗糙度的复合异质结薄膜，这能够有效增加二次电子与表面陷阱壁的平均碰撞次数从而抑制二次电子发射现象。
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公开(公告)号：CN107154826B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201710292990.4
申请日：2017-04-28
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H04B17/29
Abstract: 一种确定大功率微波部件高阶无源互调电平的方法，(1)预先给定载波频率分别为f1和f2，互调频率为fp(|m|+|n|)＝m*f1+n*f2且为正值，其中，m，n均为非零整数且符号相反并且二者的绝对值差值为1；(2)预先给定N个功率的3阶无源互调电平测量值Pmea3(i),i＝1…N，其中无源互调测量时输入的两路载波信号总功率为Ps(i)，两路载波功率相等，Pc(i)为第i个测试用单路载波功率；(3)获得最小时对应的无源互调输入对数和输出对数之间非线性关系的系数，其中PIM3(i)为载波频率为f1和f2，载波功率相等且均为Pc(i)时在频率fp3处的互调电平；(4)根据(3)获得的系数，确定|m|+|n|阶的无源互调电平PIM(|m|+|n|)(i)，PIM(|m|+|n|)(i)为载波频率为f1和f2，载波功率相等且均为Pc(i)时在频率fp(|m|+|n|)处的互调电平。
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公开(公告)号：CN117010098A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310611486.1
申请日：2023-05-26
Applicant: 北京信息科技大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了设计最优二次电子发射系数圆柱孔阵列结构尺寸的方法，包括以下步骤：S1、建立规则阵列圆柱孔陷阱结构的尺寸范围；S2、将规则阵列圆柱孔陷阱结构的尺寸看做种群中的个体，对所有个体进行二进制编码，形成二进制编码位串，并对每个个体逐一进行编号；S3、根据规则阵列圆柱孔陷阱结构的尺寸计算二次电子发射系数曲线并获取对应的最大二次电子发射系数；S4、基于工作频率以及规则阵列圆柱孔陷阱结构的尺寸计算表面阻抗；所述方法能同时兼顾降低二次电子发射系数和表面阻抗，可用于降低金属表面二次电子发射系数，为空间大功率微波部件微放电的抑制提供支撑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116842693A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310613273.2
申请日：2023-05-26
Applicant: 北京信息科技大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了设计最优二次电子发射系数矩形槽阵列结构尺寸的方法，包括以下步骤：S1、建立表征规则阵列矩形槽结构的尺寸及变化范围；S2、根据规则阵列矩形槽结构的尺寸计算并获取最大二次电子发射系数以及二次电子发射系数曲线；S3、基于工作频率以及规则阵列矩形槽结构的尺寸计算表面阻抗；S4、将规则阵列矩形槽结构的尺寸看做种群中的个体，计算每个微粒的适应度值，获取最优矩形槽阵列结构尺寸组合。所述方法能同时兼顾降低二次电子发射系数和表面阻抗，可用于降低金属表面二次电子发射系数，为空间大功率微波部件微放电的抑制提供支撑。
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公开(公告)号：CN113684453B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202110697294.8
申请日：2021-06-23
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明通过真空蒸镀技术，在基底材料表面制备富勒烯功能薄膜，实现了一种低二次电子发射系数的膜层，通过精确控制富勒烯薄膜的制备条件，大幅降低了材料表面二次电子发射系数。本发明提出的方法成本低，与部件制造工艺兼容，适用于大面积制备，在降低二次电子发射系数的同时确保了部件电性能的一致性，在抑制二次电子倍增效应领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN109359423B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201811369311.X
申请日：2018-11-16
Applicant: 北京理工大学 , 西安空间无线电技术研究所
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开的一种快速确定矩形波导法兰3阶无源互调产物电平的方法，属于微波部件无源互调领域。本发明实现方法为：步骤1：将矩形波导法兰接触面等效为金属‑绝缘层‑金属结构，确定矩形波导法兰接触面两侧的电势差；步骤2：利用矩形波导尺寸、法兰接触面积以及接触面两侧的电势差确定矩形波导法兰接触面产生的3阶非线性电流；步骤3：利用载波频率、矩形波导尺寸以及3阶非线性电流，确定矩形波导法兰3阶无源互调产物的电平。本发明在无需提前获取无源互调低阶产物和表面形貌参数测量值的情况下，通过简单计算获得矩形波导法兰的3阶无源互调产物电平，因而能够大幅提高矩形波导法兰无源互调问题的解决效率，降低成本。
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公开(公告)号：CN108546929B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201810293001.8
申请日：2018-03-30
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/02 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供一种在基片表面制备氮化钛纳米薄膜的方法、具有薄膜的基片及其应用，属于二次电子发射抑制技术领域。所述方法包括：将基片经预真空室传送至反应腔中，给所述反应腔抽真空；向所述反应腔中通入惰性气体，对所述基片进行退火处理；将退火处理后的所述基片退回所述预真空室，采用氨气等离子体和气态钛源对所述反应腔进行若干次洗气循环；将所述基片送回所述反应腔，保持所述反应腔温度为150‑220℃，采用所述氨气等离子体和钛源进行等离子体增强氮化钛原子层沉积反应，得到表面具有氮化钛纳米薄膜的基片。本发明制备的超薄薄膜可控性强、薄膜与基片结合强度高、表面共形性好、在平面及多孔等复杂结构表面均匀性高。
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公开(公告)号：CN110359012B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201811368387.0
申请日：2018-11-16
Applicant: 北京理工大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开的用于抑制二次电子发射的嵌套式微陷阱结构及制备方法，涉及物理电子学相关领域。本发明公开的用于抑制二次电子发射的嵌套式微陷阱结构为双重嵌套式孔结构，在一级大孔内包含了若干二级小孔结构，所述一级大孔作为初级陷阱，若干二级小孔结构作为嵌套陷阱；整体二维嵌套式陷阱结构在基底材料上构型，所述的构型为双重嵌套式孔结构，并对所述双重嵌套式孔结构进行金属溅射并形成纳米级膜。本发明还公开所述嵌套式微陷阱结构的制备方法，本发明能够有效抑制陷阱结构内的二次电子出射和再发射所产生的多级倍增效应，从而达到提高材料表面总二次电子发射抑制效果，并提供所述嵌套式微陷阱结构的制备方法。
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