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公开(公告)号：CN106744671A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611077168.8
申请日：2016-11-30
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: B82B3/0014 , B82Y40/00 , C30B33/10
Abstract: 本发明公开了一种基于紫外臭氧的单晶硅表面纳米加工方法，该方法不但可以简单快速的在单晶硅样品形成一层致密且均匀的硅氧化物(SiOX)薄层，而且可以获得具有大量羟基(‑OH)的超亲水表面。结合扫描探针设备上的SiO2探针和摩擦化学的原理，可以在不引起单晶硅基底产生损伤的情况下，在单晶硅表面加工出各种纳米结构。
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公开(公告)号：CN103760383B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410009253.5
申请日：2014-01-09
Applicant: 西南交通大学
IPC: G01Q30/12
Abstract: 一种用于原子力显微镜的气氛控制系统，其特征在于：气体瓶一（1a）和气体瓶二（1b）分别通过流量计一（3a）、流量计二（3b）与混合气管（4）的进气口相连，混合气管（4）的出气口通过进气腔（6）与原子力显微镜上的气氛腔（7）的进气口相连。该系统能为原子力显微镜提供不同气体、各种比例组成的可控混合气氛，从而使原子力显微镜能进行各种比例的不同气体组成的混合气氛下微机电系统的磨损失效、防护机理的模拟试验与研究，从而为相应混合气氛工作中的微机电系统的设计、制造与维护提供更准确、可靠的试验依据，以降低微机电系统的磨损，提高微机电系统的使用寿命。
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公开(公告)号：CN104034296A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410304805.5
申请日：2014-06-30
Applicant: 西南交通大学
IPC: G01B21/08
Abstract: 一种单晶硅表面划痕损伤层厚度的检测方法，其步骤是：A、在化学机械抛光法抛光后的单晶硅晶圆上切取出单晶硅样品，对其使用原子力显微镜进行扫描，得到单晶硅样品表面的三维形貌，并测出其中的凹陷深度；B、将单晶硅样品放置于质量分数为15-25％的HF溶液中刻蚀20-40分钟，取出单晶硅样品并用丙酮和酒精依次清洗，再使用原子力显微镜进行扫描，得到刻蚀后的单晶硅样品表面三维形貌，并测出其中的凹陷深度；C、将B步得到的凹陷深度与A步的对应位置处的凹陷深度相减，得到刻蚀后凹陷深度增加值即为单晶硅表面划痕损伤层厚度。该方法的制样、检测过程简单，检测时间短、所需样本材料小、检测成本低，检测结果精确、直观。
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公开(公告)号：CN103823101A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410096148.X
申请日：2014-03-14
Applicant: 云南电力试验研究院(集团)有限公司电力研究院 , 云南电网公司技术分公司 , 西南交通大学
IPC: G01R19/10
Abstract: 一种测量带避雷线的输电线路杆塔冲击分流系数的方法，本发明包括以下步骤：第一步，收集杆塔参数，包括杆塔接地装置对角线长度，杆塔形式；第二步，在杆塔附近打下辅助接地极，辅助接地极到杆塔的距离应在杆塔接地装置对角线长度的2倍以上，将冲击电源输出的高压端通过高压导线与分流器串联后连接到杆塔与避雷线与杆塔连接处，冲击电源输出的低压端与辅助接地极相连，分流器电阻R为0.01欧姆的高精度无感电阻；等等。本发明的有益效果是：本发明提出的测量方法可以实现对带避雷线的输电线路杆塔冲击分流系数的测量，可避免理论假设带来的误差，可提高数度线路防雷反击计算时的准确性。
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公开(公告)号：CN103738912A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310733086.4
申请日：2013-12-27
Applicant: 西南交通大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种基于摩擦化学诱导刻蚀的单晶硅表面无损伤纳米加工方法，主要应用于单晶硅表面纳米结构的加工。其具体操作方法是：先用湿法氧化的方法在单晶硅表面生长SiOx薄层，然后将生长有SiOx薄层的单晶硅取出清洗并固定在样品台上，然后将二氧化硅球形探针安装在扫描探针显微镜或多点接触微纳米加工设备上，启动设备，控制探针按设定的参数在样品表面进行扫描，再将样品置于KOH溶液与异丙醇的混合溶液中进行刻蚀加工，即可完成。该方法所用SiOx的掩膜制作简易，成本低廉；探针扫描过程中接触压力极低，不会引起单晶硅基底的屈服，加工得到的单晶硅纳米结构服役寿命长；湿法氧化所获得的SiOx薄层掩膜作用良好，可以提高加工深度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102786028A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210246472.6
申请日：2012-07-17
Applicant: 西南交通大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种用于大面积摩擦诱导微/纳米加工的多针尖阵列的制作方法，其步骤为：(a)用显微硬度仪的压头对蜡片基底表面进行压痕，加工出压痕阵列；(b)将微球置于各个压痕上；(c)采用平整光滑的压片覆盖在微球上，对压片施加载荷使各个微球同时压入蜡片中，形成微球阵列；(d)将浇注框压在蜡片基底上，并使浇注框框住微球阵列；(e)往浇注框内浇注镶嵌料溶液，使其淹没微球阵列；(f)待镶嵌料溶液凝固后，加热熔化去除蜡片，再将镶嵌料从浇注框内中取出，并将其无微球的背面抛光为平面，即得。该方法操作简单，原材料便宜，不需进行任何喷胶、氧化、光刻、各向异性腐蚀等复杂特殊处理，具有明显的低成本、高效率的方法特点。
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公开(公告)号：CN101973507B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010222382.4
申请日：2010-07-09
Applicant: 西南交通大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种基于摩擦诱导的单晶石英表面选择性刻蚀方法，其方法是：将尖端为球冠状的探针安装在原子力显微镜上，将单晶石英固定在样品台上，启动原子力显微镜，给探针施加定载荷F或者变载荷F′，F的值或F′的变化范围为石英表面发生屈服的临界载荷Fy的0.03-0.14倍，并使探针沿着设定的轨迹和循环次数在单晶石英表面进行扫描；扫描后，用浓度为15-25％的KOH溶液腐蚀2.5小时以上，即可。该方法在极低载荷下扫描结合后续腐蚀即可有效地进行纳米加工，不需要掩膜和多次腐蚀，可加工多级纳米结构。该方法不会对加工区域以外的结构和表面产生损伤和污染，是一种简单、精确、清洁的纳米级石英加工方法。
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公开(公告)号：CN1881838A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610020810.9
申请日：2006-05-15
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非正交分解的空间辐射源到达角估计方法，将天线阵元采集数据进行处理的具体作法为：根据空间辐射源信号的载频，天线阵列的特征，按照原子向量g的公式，构造非正交过完备原子向量库G。再对天线阵列接收的数据矢量X在非正交过完备原子库G中进行匹配处理；将阵列天线接收数据在非正交过完备原子库G中作投影，选择可以得到投影分量最大的原子向量g作为最佳原子向量；该最佳原子向量的空间到达角参数θ，即为空间辐射源到达角的估计值。该方法估计精度高，在低信噪比、空间信号源相关的情况下仍然适用，而且对天线阵列误差不敏感，其所需计算量和存储量小，可用于各种通信、雷达、声纳设备上。
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公开(公告)号：CN119993876A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510202188.6
申请日：2025-02-24
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种具有接触力测控的晶圆滚刷旋转刷洗装置，包括旋转平台电机、箱体、梁、滚刷电机、后压力传感器、微型模组、滚刷电机轴、滚刷和前压力传感器，所述旋转平台电机位于箱体的底部，梁的一端安装于箱体内，另一端穿过箱体与前压力传感器相连，所述后压力传感器与梁连接并位于箱体内。所述滚刷电机位于箱体内，滚刷电机的转轴端与滚刷电机轴的端部相连，滚刷电机轴与滚刷相连，滚刷的另一端与连接件相连。
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公开(公告)号：CN117817533A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410112212.2
申请日：2024-01-26
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种面向具有微细内孔零件的绳式抛光装置，包括机体模块，机体模块内设有抛光液循环模块、工件固定运动模块和抛光绳控制模块。待抛光工件安装在工件固定运动模块上，在抛光液循环模块提供抛光液的情况下，通过抛光绳控制模块完成工件的光整加工。本发明所提供的一种面向具有微细内孔零件的绳式抛光装置，通过带有抛光工作段的抛光绳穿过狭长内孔，利用其高速旋转对具有微细内孔零件内壁进行磨削抛光加工。同时工件进行多自由度运动，实现对具有狭长内孔特征零件内孔的随形抛光。该装置的抛光效率高，抛光质量、抛光均匀性较好。
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