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公开(公告)号：CN109136858A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810858211.7
申请日：2018-07-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及用脉冲激光沉积法在亲水性刚性基底上高温生长氧化物薄膜如Y3Fe5O12、VO2、Fe3O4等，利用二维材料范德华异质结将其剥离并转移到任意基底上的方法。本发明通过在二维过渡金属上溅射一层具有亲水性的保护层，一方面防止氧化物薄膜沉积时二维过渡金属被氧化；另一方面在与极性溶液接触浸润后，二维过渡金属层的疏水性以及保护层的亲水性将导致二维过渡金属层与保护层极易分离，剥离后二维过渡金属层继续保留在衬底上，实现了将毫米级尺寸的氧化物薄膜的快速、完整地转移到柔性基底上，且因为选择的是无污染的极性溶液如去离子水，不存在刻蚀液损坏氧化物薄膜的情况。
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公开(公告)号：CN105628650B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201511025345.3
申请日：2015-12-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 一种折射率检测方法及检测装置，涉及光波导传感技术领域。本发明的检测方法为：分别测量参考物和待测物的MOGH位移，然后计算二者的MOGH位移之差，得到MOGH位移差值和因为待测区域的填充物替换产生的折射率差值的函数关系式，进而得到待测物的折射率。本发明的有益效果是，平板波导制作工艺简单、可操作性强、成本较低；可以选择不同的波导材料，设计不同波段的高灵敏度传感器；通过改变磁场的方向可以得到更加灵敏的古斯汉森位移，这种方法同样适用于其他的磁光波导传感器。
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公开(公告)号：CN108107507A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711375485.2
申请日：2017-12-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种MMI型磁光隔离器及其制备方法。本发明通过设计多模波导:沿多模波导长度方向开槽，且不开设在多模波导区域的物理中心位置，磁光材料分布于槽内，使TE模式产生非互易相移；槽的宽度小于多模波导区域的总宽度，长度使零阶模式和高阶模式的NRPS之差为π。非对称结构使高阶模式分布变得不对称，使得场分布集中在其中一侧，在单模波导激发时可以有效的提高激发效率；这一特殊结构，零阶模式和高阶模式的NRPS值反号，可以有效的减小器件尺寸。本发明有效提高了激发效率，减小了器件的插入损耗；增大了零阶模式和高阶模式的NRPS之差，减小了器件的尺寸。
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公开(公告)号：CN106783531A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611033497.2
申请日：2016-11-23
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01L21/02181 , C01G27/02 , C01P2002/72
Abstract: 本发明属于半导体器件及空间技术应用领域，特别涉及一种HfO2基铁电材料的使用方法。本发明提供了的HfO2基铁电材料使用方法，基于HfO2基铁电材料具有极强的抗辐照能力，在辐照环境下可以保证器件长时间的正常运行。因此可应用于核工业、航天以及核医疗业此类高辐射环境的极端工作环境。对发展具有抗辐照能力的非易失性铁电存储器及其在航空航天、核工业、医疗业等行业的应用具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN106756787A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611041955.7
申请日：2016-11-24
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: C23C14/08 , C23C14/28 , G02F1/0036
Abstract: 本发明属于磁性氧化物薄膜的生长技术领域，具体涉及一种可调控磁光光谱的磁光材料及其制备方法。本发明通过改变钴掺杂氧化铈和氧化铪成分比例、生长过程中的激光能量密度、薄膜沉积温度以及薄膜沉积气压，制备了一种基于钴掺杂氧化铈和/或氧化铪的可调控磁光光谱的薄膜，获得了高磁光优值的新型可调谐磁光光谱材料。室温铁磁性的可调磁光性质和光学性质材料可应用于设计最佳磁光优值的可调波长的光学器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105628650A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201511025345.3
申请日：2015-12-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/41
CPC classification number: G01N21/41
Abstract: 一种折射率检测方法及检测装置，涉及光波导传感技术领域。本发明的检测方法为：分别测量参考物和待测物的MOGH位移，然后计算二者的MOGH位移之差，得到MOGH位移差值和因为待测区域的填充物替换产生的折射率差值的函数关系式，进而得到待测物的折射率。本发明的有益效果是，平板波导制作工艺简单、可操作性强、成本较低；可以选择不同的波导材料，设计不同波段的高灵敏度传感器；通过改变磁场的方向可以得到更加灵敏的古斯汉森位移，这种方法同样适用于其他的磁光波导传感器。
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公开(公告)号：CN115561922B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202211108748.4
申请日：2022-09-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于硅基光电子学领域，具体涉及一种基于片上电磁铁的氮化硅基磁光调制器。本发明通过在氮化硅磁光波导器件的磁光波导上制备金属导线和软磁材料薄膜，实现利用微弱的电流控制软磁材料薄膜的磁化方向，进而控制磁光波导磁化方向的效果，从而达到在氮化硅波导平台上以低功耗控制光强的效果。本发明对氮化硅波导平台低功耗的光调制功能实现具有重要意义。
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公开(公告)号：CN115047654B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202210757802.1
申请日：2022-06-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/01 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及偏振光学控制和纳米光学领域，具体涉及一种全固态可调控偏振成像器件。本发明通过制备VO2相变材料的光栅结构，配合光栅结构两侧的电极通过电调控的方式实现CCD强度成像和偏振成像间的切换，从而实现器件的全固态、小型化、集成化、高可靠性和高速电切换。并易于光电集成封装，解决了现有技术机械旋转方式带来的体积大、重量重、抗负载能力差、切换速度慢等问题。可应用于机载、星载和弹载等成像系统，具有着重要的应用前景和意义。
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公开(公告)号：CN115494589B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202211135557.7
申请日：2022-09-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于硅基光电子学领域，具体涉及一种氮化硅平台的SMF‑28光纤到芯片超低损端面耦合器。本发明基于端面耦合的模式耦合理论，通过采用具有不同折射率氮氧化硅和SiN两种材料的三层结构，再配合倒锥结构，通过将低折射率的氮氧化硅材料做成扁平层以大幅度扩大模场，使其电场分布与光纤电场分布更接近，提高了波导端面模式与SMF‑28光纤模式的重叠效率，从而有效提高了端面耦合效率，实现芯片与SMF‑28光纤的高效耦合。本发明对于硅基集成光学系统中的光通信、光互连、光传感和激光探测等模块具有重大意义。
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公开(公告)号：CN117389069A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311520694.7
申请日：2023-11-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及纳米光学与光电集成领域，具体涉及一种基于相变材料的全固态可调谐偏振控制器。本发明包括透明衬底、底层透明电极和偏振调控单元，本发明通过底层透明(如ITO)电极施加电压，实现电调控相变材料折射率大小，通过椭圆柱结构的相变材料偏振调控单元实现对正交偏振入射光的双折射相位连续调控，进而改变出射光的偏振态。本发明具有平面化、全固态的优势，可有效地解决现有偏振控制器体积大、重量重以及难以全固态集成的问题；适用于偏振光产生与调控，偏振成像与加密，具有着重要的应用前景和意义。
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