公开(公告)号：CN115016581B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202210610222.X

申请日：2022-05-31

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 廖永波 ,  刘玉婷 ,  魏超 ,  刘仰猛 ,  徐璐 ,  路远 ,  黄乐天

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明提供一种自带启动电路的带隙基准电路结构，涉及电子电路技术领域，能够采用正常接法的NPN三极管设计带隙基准源，结构简洁且低成本；该电路第一、第二MOS管G极连接，S极接电源；第二MOS管G极和D极连接；第一MOS管D极与第二三极管集电极连接，第二MOS管D极与第一三极管集电极连接，第一三极管和第二三极管基极连接；两三极管发射极之间串接第一电阻，第二三极管发射极串接第二电阻后接地；第三MOS管S极与第一三极管的基极连接，D极与电源端连接，G极与第一MOS管D极连接；两三极管的两基极连接点作为基准电压输出；第一、第二MOS管为PMOS管，第三MOS管为NMOS管。

公开(公告)号：CN113033138B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202110255116.X

申请日：2021-03-08

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 廖永波 ,  邹佳瑞 ,  李平 ,  冯轲 ,  刘玉婷 ,  徐璐 ,  刘仰猛 ,  侯伶俐 ,  熊宣淋

IPC: G06F30/39

Abstract: 本发明提供一种基于反熔丝器件控制的电源门控技术的新型FPGA结构，通过电源门控的设计达到提高芯片良率、降低FPGA芯片制造成本以及降低FPGA的静态功耗的目的。其中电源门控技术中的电源开关器件的“开启”和“关断”采用反熔丝电路进行控制。这种控制电路具有上下电顺序可控，提高芯片成品率的优势。

公开(公告)号：CN115021425A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210623330.0

申请日：2022-06-02

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 廖永波 ,  袁丕根 ,  徐璐 ,  路远 ,  魏超 ,  黄乐天

IPC: H02J50/12 ,  H02M7/5387 ,  H02M1/00 ,  H02M1/32 ,  H03L7/085 ,  H03L7/093 ,  H03L7/099 ,  H03L7/18

Abstract: 本发明涉及电气工程领域技术领域，具体为一种具有频率跟踪和桥臂功率检测的无线电能传输系统，一种具有频率跟踪和桥臂功率检测的无线电能传输系统，包括采用磁耦合谐振方式进行无线电传输，利用锁相环控制系统实现频率跟踪和通过电阻采样系统对桥臂功率进行检测，所述锁相环控制系统包括锁相环模块、控制电路模块、高频逆变器和谐振网络，本发明通过闭环控制可实现频率跟踪，始终保持高效传输；通过对谐振网络的电流检测也可以获得电流峰值信息，以此调整高频逆变器的输出功率，防止开关管过热损坏；采用锁相环电路进行频率跟踪可以降低相位检测电路和控制电路的成本。

公开(公告)号：CN115016581A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210610222.X

申请日：2022-05-31

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 廖永波 ,  刘玉婷 ,  魏超 ,  刘仰猛 ,  徐璐 ,  路远 ,  黄乐天

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明提供一种自带启动电路的带隙基准电路结构，涉及电子电路技术领域，能够采用正常接法的NPN三极管设计带隙基准源，结构简洁且低成本；该电路第一、第二MOS管G极连接，S极接电源；第二MOS管G极和D极连接；第一MOS管D极与第二三极管集电极连接，第二MOS管D极与第一三极管集电极连接，第一三极管和第二三极管基极连接；两三极管发射极之间串接第一电阻，第二三极管发射极串接第二电阻后接地；第三MOS管S极与第一三极管的基极连接，D极与电源端连接，G极与第一MOS管D极连接；两三极管的两基极连接点作为基准电压输出；第一、第二MOS管为PMOS管，第三MOS管为NMOS管。

公开(公告)号：CN113033138A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202110255116.X

申请日：2021-03-08

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 廖永波 ,  邹佳瑞 ,  李平 ,  冯轲 ,  刘玉婷 ,  徐璐 ,  刘仰猛 ,  侯伶俐 ,  熊宣淋

IPC: G06F30/39

Abstract: 本发明提供一种基于反熔丝器件控制的电源门控技术的新型FPGA结构，通过电源门控的设计达到提高芯片良率、降低FPGA芯片制造成本以及降低FPGA的静态功耗的目的。其中电源门控技术中的电源开关器件的“开启”和“关断”采用反熔丝电路进行控制。这种控制电路具有上下电顺序可控，提高芯片成品率的优势。

公开(公告)号：CN112366245A

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN202011236857.5

申请日：2020-11-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 廖永波 ,  聂瑞宏 ,  李平 ,  彭辰曦 ,  李垚森 ,  冯轲 ,  杨智尧 ,  刘金铭 ,  刘仰猛 ,  刘玉婷 ,  徐璐 ,  曾祥和 ,  胡兆晞 ,  唐瑞枫 ,  林凡 ,  邹佳瑞

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/113 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L23/544

Abstract: 一种新型的辐照离子探测器器件结构，涉及微电子技术和半导体技术。本发明是一种基于体硅增强型NMOS，并通过STI浅槽隔离在P衬底的有源区沟道之间增加一个辐照敏感区，该区域主要是由SiO2组成，当MOS位于工作状态且辐照总剂量较大时，在SiO2辐照敏感区感生出电子，从而形成漏源之间的漏电通道，以此来实现检测辐照的目的。本发明所要解决的关键技术问题是：提供一种带MOS开关的辐射离子探测器器件结构，通过计算器件的漏极电流Id，从而测量外界辐照总剂量的大小及外界的辐照影响。

公开(公告)号：CN115101414A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210610220.0

申请日：2022-05-31

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 廖永波 ,  冯珂 ,  刘仰猛 ,  刘玉婷 ,  徐璐 ,  路远 ,  黄乐天

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明专利涉及集成电路技术领域，尤其指一种双栅氧化层PES‑LDMOS的制作方法，包括以下步骤：S1：在P型衬底上进行离子注入；S2：离子注入形成P+区、N+源区、N+漏区；S3：通过刻蚀工艺，将多余部分进行刻蚀；S4：进行SiO2生长；S5：在沟道区上方生长栅介质层；S6：在栅介质层的上方淀积金属形成栅电极。该方法减少了沟道上方栅介质层中的固定空穴电荷，减弱了其对电子的吸引能力，从而减小了阈值电压Vth偏移量；其次沟道的P+区域，也可以有效抑制STI中寄生沟道的形成，抑制了泄漏电流路径，减小了关断电流Ioff。

公开(公告)号：CN112366246A

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN202011242677.8

申请日：2020-11-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 廖永波 ,  彭辰曦 ,  李平 ,  聂瑞宏 ,  李垚森 ,  冯轲 ,  杨智尧 ,  刘金铭 ,  刘仰猛 ,  刘玉婷 ,  徐璐 ,  曾祥和 ,  胡兆晞 ,  唐瑞枫 ,  林凡 ,  邹佳瑞

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/103 ,  H01L31/0352 ,  H01L27/144

Abstract: 一种辐射粒子探测器器件结构，涉及微电子技术和半导体技术。本发明的辐射粒子探测器器件结构在p型硅衬底表面设置有掺杂区，导电沟道和STI区，其中绝缘的STI区将导电沟道隔离开。本发明解决的技术问题是：提供一种辐射粒子探测器器件结构，在未受到辐照时，器件不导通，没有电流流过。在受到一定剂量的辐照后，STI区内产生大量正电荷，在STI与硅衬底交界面附近感应出一圈反型层，作为导电沟道，器件导通。本发明中的器件工作在p阱中，与其他器件隔离，且兼容CMOS工艺，可集成度高，可用于在太空空间中探测辐照。