公开(公告)号：CN115101414A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210610220.0

申请日：2022-05-31

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 廖永波 ,  冯珂 ,  刘仰猛 ,  刘玉婷 ,  徐璐 ,  路远 ,  黄乐天

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明专利涉及集成电路技术领域，尤其指一种双栅氧化层PES‑LDMOS的制作方法，包括以下步骤：S1：在P型衬底上进行离子注入；S2：离子注入形成P+区、N+源区、N+漏区；S3：通过刻蚀工艺，将多余部分进行刻蚀；S4：进行SiO2生长；S5：在沟道区上方生长栅介质层；S6：在栅介质层的上方淀积金属形成栅电极。该方法减少了沟道上方栅介质层中的固定空穴电荷，减弱了其对电子的吸引能力，从而减小了阈值电压Vth偏移量；其次沟道的P+区域，也可以有效抑制STI中寄生沟道的形成，抑制了泄漏电流路径，减小了关断电流Ioff。

公开(公告)号：CN117593644A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311610054.5

申请日：2023-11-29

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 李世华 ,  刘玉婷 ,  罗富贵 ,  行敏锋

IPC: G06V20/10 ,  G06V10/82 ,  G06V10/774 ,  G06V10/776 ,  G06V10/26 ,  G06V20/70 ,  G06V10/44 ,  G06V10/80 ,  G06V10/764 ,  G06Q50/16 ,  G06N3/0985 ,  G06N3/0464

Abstract: 本发明属于土地变化检测技术领域，公开了一种结合矩阵分解和自适应传播的土地变化检测方法及系统，结合矩阵分解和自适应传播的深度学习语义分割模型，用于检测土地变化。该模型采用孪生双分支结构，能够同时接受前时间和后时间遥感影像数据集的输入并共享网络参数，该结构具有端到端特征学习的优点。本发明利用一种矩阵分解的注意力方法替代传统的手动设计注意力的方法，同时结合临近点像素偏移量的自适应传播技术，建立一种深度学习孪生差分的语义分割网络，在高分辨率光学数据上实现自动化，精准化的土地利用/土地覆盖变化检测。

公开(公告)号：CN115016581B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202210610222.X

申请日：2022-05-31

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 廖永波 ,  刘玉婷 ,  魏超 ,  刘仰猛 ,  徐璐 ,  路远 ,  黄乐天

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明提供一种自带启动电路的带隙基准电路结构，涉及电子电路技术领域，能够采用正常接法的NPN三极管设计带隙基准源，结构简洁且低成本；该电路第一、第二MOS管G极连接，S极接电源；第二MOS管G极和D极连接；第一MOS管D极与第二三极管集电极连接，第二MOS管D极与第一三极管集电极连接，第一三极管和第二三极管基极连接；两三极管发射极之间串接第一电阻，第二三极管发射极串接第二电阻后接地；第三MOS管S极与第一三极管的基极连接，D极与电源端连接，G极与第一MOS管D极连接；两三极管的两基极连接点作为基准电压输出；第一、第二MOS管为PMOS管，第三MOS管为NMOS管。

公开(公告)号：CN115016581A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210610222.X

申请日：2022-05-31

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 廖永波 ,  刘玉婷 ,  魏超 ,  刘仰猛 ,  徐璐 ,  路远 ,  黄乐天

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明提供一种自带启动电路的带隙基准电路结构，涉及电子电路技术领域，能够采用正常接法的NPN三极管设计带隙基准源，结构简洁且低成本；该电路第一、第二MOS管G极连接，S极接电源；第二MOS管G极和D极连接；第一MOS管D极与第二三极管集电极连接，第二MOS管D极与第一三极管集电极连接，第一三极管和第二三极管基极连接；两三极管发射极之间串接第一电阻，第二三极管发射极串接第二电阻后接地；第三MOS管S极与第一三极管的基极连接，D极与电源端连接，G极与第一MOS管D极连接；两三极管的两基极连接点作为基准电压输出；第一、第二MOS管为PMOS管，第三MOS管为NMOS管。

公开(公告)号：CN115206805A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210608161.3

申请日：2022-05-31

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 廖永波 ,  冯珂 ,  刘仰猛 ,  刘玉婷 ,  徐璐 ,  路远 ,  黄乐天

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明专利涉及集成电路技术领域，尤其指一种新型纳米墙NWaFET的制作及其验证方法。制作方法包括以下步骤：S1外延生长：首先在P型衬底上通过外延生长技术依次生长出具有一定厚度的外延层；S2刻蚀：将外延层多余的部分刻蚀除去；S3热氧化：通过热氧化工艺，生长SiO2；S4离子注入：在本征硅注入层上，通过离子注入工艺进行掺杂；S5再刻蚀：进一步刻蚀环形槽和矩形槽；S6淀积金属；验证方法包括以下步骤：S7版图设计与流片:设计相应宽长比的器件，并进行抽样测试；S8封装：对所设计的带有抗辐照结构器件的芯片进行PCB封装；S9辐照：将器件进行辐照测试。该方法可以有效抑制阈值电压Vth的漂移和关断电流Ioff的增加，提高抗TID效应能力。