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公开(公告)号:CN113871382A
公开(公告)日:2021-12-31
申请号:CN202111112784.3
申请日:2021-09-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于静电释放(ESD)保护器件设计领域,具体提供一种优化ESD防护性能的DCSCR器件,用以满足先进工艺下的集成电路对ESD防护的低触发电压、高灵敏度、低寄生电容、小面积等要求。本发明通过对传统DCSCR器件结构改进,通过将N型阱区内的N型重掺杂区设置到P型重掺杂区的上下方(垂直方向(Y轴)依次排布),将P型阱内的P型重掺杂区设置到N型重掺杂区的上下方,大大减小了二极管的宽度,有效缩小了二极管的面积;并且,通过将DCSCR的触发二极管在原有位置中嵌入到SCR触发路径有源区的上下方,缩短了SCR的导通路径,减小了导通电阻、寄生电容,提升了开启速度;综上,本发明在不降低ESD防护能力的前提下,实现了器件面积的减小与器件性能的提升。
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公开(公告)号:CN113871382B
公开(公告)日:2023-05-09
申请号:CN202111112784.3
申请日:2021-09-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于静电释放(ESD)保护器件设计领域,具体提供一种优化ESD防护性能的DCSCR器件,用以满足先进工艺下的集成电路对ESD防护的低触发电压、高灵敏度、低寄生电容、小面积等要求。本发明通过对传统DCSCR器件结构改进,通过将N型阱区内的N型重掺杂区设置到P型重掺杂区的上下方(垂直方向(Y轴)依次排布),将P型阱内的P型重掺杂区设置到N型重掺杂区的上下方,大大减小了二极管的宽度,有效缩小了二极管的面积;并且,通过将DCSCR的触发二极管在原有位置中嵌入到SCR触发路径有源区的上下方,缩短了SCR的导通路径,减小了导通电阻、寄生电容,提升了开启速度;综上,本发明在不降低ESD防护能力的前提下,实现了器件面积的减小与器件性能的提升。
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公开(公告)号:CN111934670A
公开(公告)日:2020-11-13
申请号:CN202010826022.9
申请日:2020-08-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K19/17728
Abstract: 一种准N查找表的FPGA架构,涉及集成电路技术。本发明是基于一种准N查找表的FPGA架构的设计,以常用的四查找表FPGA为例,本发明使用的准五查找表,具有五个输入信号及17种输出状态包括16种可编程状态以及1种关断状态。其中五个输入信号包括四个常规输入信号和一个控制输入信号,只有控制信号为低时与四个常规输入信号组成16种可编程输出状态;当控制信号为高时查找表都被关闭,这意味着查找表不存在漏电流。本发明的有益效果是:通过关断待机的查找表,可以显著降低FPGA的静态功耗,解决现在静态功耗过大的问题;可以解决由于FPGA晶体管密度较大带来的成品率较低的问题,当出厂检测FPGA中有小部分查找表功能异常时,可通过软件编程的方式将该损坏部分查找表的控制输入信号长置为0,使损坏的查找表部分保持关闭被禁用,进而防止其影响整个电路的良性。
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