公开(公告)号：CN113871382B

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202111112784.3

申请日：2021-09-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 刘志伟 ,  王同宇 ,  熊宣淋 ,  侯伶俐 ,  杜飞波 ,  宋文强 ,  韩傲然 ,  张钰鑫 ,  李洁翎

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明属于静电释放(ESD)保护器件设计领域，具体提供一种优化ESD防护性能的DCSCR器件，用以满足先进工艺下的集成电路对ESD防护的低触发电压、高灵敏度、低寄生电容、小面积等要求。本发明通过对传统DCSCR器件结构改进，通过将N型阱区内的N型重掺杂区设置到P型重掺杂区的上下方(垂直方向(Y轴)依次排布)，将P型阱内的P型重掺杂区设置到N型重掺杂区的上下方，大大减小了二极管的宽度，有效缩小了二极管的面积；并且，通过将DCSCR的触发二极管在原有位置中嵌入到SCR触发路径有源区的上下方，缩短了SCR的导通路径，减小了导通电阻、寄生电容，提升了开启速度；综上，本发明在不降低ESD防护能力的前提下，实现了器件面积的减小与器件性能的提升。

公开(公告)号：CN113871382A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111112784.3

申请日：2021-09-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 刘志伟 ,  王同宇 ,  熊宣淋 ,  侯伶俐 ,  杜飞波 ,  宋文强 ,  韩傲然 ,  张钰鑫 ,  李洁翎

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明属于静电释放(ESD)保护器件设计领域，具体提供一种优化ESD防护性能的DCSCR器件，用以满足先进工艺下的集成电路对ESD防护的低触发电压、高灵敏度、低寄生电容、小面积等要求。本发明通过对传统DCSCR器件结构改进，通过将N型阱区内的N型重掺杂区设置到P型重掺杂区的上下方(垂直方向(Y轴)依次排布)，将P型阱内的P型重掺杂区设置到N型重掺杂区的上下方，大大减小了二极管的宽度，有效缩小了二极管的面积；并且，通过将DCSCR的触发二极管在原有位置中嵌入到SCR触发路径有源区的上下方，缩短了SCR的导通路径，减小了导通电阻、寄生电容，提升了开启速度；综上，本发明在不降低ESD防护能力的前提下，实现了器件面积的减小与器件性能的提升。