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公开(公告)号:CN113871382A
公开(公告)日:2021-12-31
申请号:CN202111112784.3
申请日:2021-09-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于静电释放(ESD)保护器件设计领域,具体提供一种优化ESD防护性能的DCSCR器件,用以满足先进工艺下的集成电路对ESD防护的低触发电压、高灵敏度、低寄生电容、小面积等要求。本发明通过对传统DCSCR器件结构改进,通过将N型阱区内的N型重掺杂区设置到P型重掺杂区的上下方(垂直方向(Y轴)依次排布),将P型阱内的P型重掺杂区设置到N型重掺杂区的上下方,大大减小了二极管的宽度,有效缩小了二极管的面积;并且,通过将DCSCR的触发二极管在原有位置中嵌入到SCR触发路径有源区的上下方,缩短了SCR的导通路径,减小了导通电阻、寄生电容,提升了开启速度;综上,本发明在不降低ESD防护能力的前提下,实现了器件面积的减小与器件性能的提升。
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公开(公告)号:CN113871382B
公开(公告)日:2023-05-09
申请号:CN202111112784.3
申请日:2021-09-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于静电释放(ESD)保护器件设计领域,具体提供一种优化ESD防护性能的DCSCR器件,用以满足先进工艺下的集成电路对ESD防护的低触发电压、高灵敏度、低寄生电容、小面积等要求。本发明通过对传统DCSCR器件结构改进,通过将N型阱区内的N型重掺杂区设置到P型重掺杂区的上下方(垂直方向(Y轴)依次排布),将P型阱内的P型重掺杂区设置到N型重掺杂区的上下方,大大减小了二极管的宽度,有效缩小了二极管的面积;并且,通过将DCSCR的触发二极管在原有位置中嵌入到SCR触发路径有源区的上下方,缩短了SCR的导通路径,减小了导通电阻、寄生电容,提升了开启速度;综上,本发明在不降低ESD防护能力的前提下,实现了器件面积的减小与器件性能的提升。
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公开(公告)号:CN101686052A
公开(公告)日:2010-03-31
申请号:CN200910058329.2
申请日:2009-02-13
Applicant: 电子科技大学 , 成都华微电子系统有限公司
IPC: H03K19/177
Abstract: FPGA转成结构化ASIC的方法,涉及集成电路技术。本发明将SRAM型FPGA中的IO单元去除配置SRAM,作为结构化ASIC的IO单元;将SRAM型FPGA中的CLB去除配置SRAM,作为结构化ASIC的逻辑单元;逻辑单元之间,以及逻辑单元与IO单元之间的互联线为定制的金属连线;通过前述步骤形成结构化ASIC。本发明的有益效果是,能够在FPGA的开发平台上完成结构化ASIC的开发工作,从而大大的提高了开发效率,降低了结构化ASIC的开发成本。
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