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公开(公告)号：CN103620730B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201280027207.7
申请日：2012-04-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卢多维克·葛特 , 约瑟·欧尔森 , 克里斯多夫·J·里维特 , 派崔克·M·马汀
IPC: H01J37/32
CPC classification number: G03F7/20 , G03F7/2024 , G03F7/40 , H01J37/3023 , H01J37/3053 , H01J2237/3174 , H01L21/0273
Abstract: 本发明提供一种处理具有初始线粗糙度和初始临界尺寸的光致抗蚀剂凸纹特征(402)的方法。所述方法可包含在第一暴露中以第一角范围和第一剂量率朝向光致抗蚀剂引导离子(404)，所述第一剂量率用以将初始线粗糙度减小到第二线粗糙度。所述方法还可包含在第二暴露中以大于第一剂量率的第二离子剂量率朝向光致抗蚀剂凸纹特征引导离子，其中所述第二离子剂量率用以使光致抗蚀剂凸纹特征膨胀。
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公开(公告)号：CN103597114B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201280028774.4
申请日：2012-04-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 卢多维克·葛特
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45542 , C23C16/45551
Abstract: 一种沉积涂层的装置与在基板上沉积共形膜的方法。用于沉积涂层的装置可包括：第一处理腔室，架构成用以在第一时期期间于基板上沉积第一反应物来作为反应物层。第二处理腔室可架构成在第二时间下引导离子入射至基板上，且可架构成在第二时期期间于基板上沉积第二反应物，其中第二反应物经组态以与反应物层反应。
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公开(公告)号：CN104508174A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380039732.5
申请日：2013-07-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/32422 , C23C14/046 , C23C14/3407 , C23C14/345 , H01J37/32357 , H01J37/32403 , H01J37/32623 , H01J37/32633 , H01J37/32642 , H01J37/3414 , H01J37/3417 , H01J37/3467 , H01J2237/08 , H01J2237/31701
Abstract: 揭示一种等离子体处理设备(200)。所述等离子体处理设备包括经配置以在处理腔室(202)中产生等离子体(140)的源(206)与等离子体鞘调节器(208)，处理腔室(202)具有邻近工件(138)的前表面的等离子体鞘(242)。等离子体鞘调节器控制等离子体与等离子体鞘之间的边界(241)的形状，使得所述边界的形状的一部分不平行于由工件的朝向等离子体的前表面定义的平面(151)。金属靶材(209)附加于等离子体鞘调节器的后表面，以与等离子体鞘调节器电性地隔离，且金属靶材被电性地施加偏压，使得离开等离子体且穿过等离子体鞘调节器中的孔洞的离子(102)被吸引朝向金属靶材。这些离子造成金属靶材被溅射，从而允许工件的三维金属沉积。
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公开(公告)号：CN102422722B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201080019703.9
申请日：2010-04-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卢多维克·葛特 , 提摩太·J·米勒 , 克里斯多夫·J·里维特 , 伯纳德·G·琳赛
IPC: H05H1/24 , H05H1/34 , H01L21/265 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32623
Abstract: 一种等离子体处理装置包含：处理腔室；压板，其定位于所述处理腔室中，用于支撑工件；源，其经组态以在所述处理腔室中产生等离子体，所述等离子体具有邻近所述工件的前表面的等离子体鞘；以及绝缘修改器。所述绝缘修改器经组态以控制等离子体与等离子体鞘之间的边界的形状，使得所述边界的形状的一部分不平行于由工件的面向等离子体的前表面界定的平面。控制所述等离子体与所述等离子体鞘之间的所述边界的所述形状使得能够达成撞击所述工件的微粒的较大的入射角范围。
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公开(公告)号：CN102099899B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN200980128331.0
申请日：2009-07-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卢多维克·葛特 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 爱德温·A·阿雷瓦洛
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/32412 , H01J2237/31701 , H01L21/26513
Abstract: 一种等离子体掺杂方法，包括提供包括掺质重卤化物气体的掺质气体至等离子体室。于所述等离子体室中，使用所述掺质重卤化物气体形成等离子体，以及所述等离子体产生适当的掺质离子与前驱掺质分子的重碎片。对所述等离子体室中的基底施加偏压，使得所述适当的掺质离子会以适当的离子能量撞击所述基底，从而将所述适当的掺质离子与所述前驱掺质分子的重碎片植入所述基底，其中至少选择所述离子能量与所述掺质重卤化物组成中的一者，使得所述基底中的植入轮廓实质上由所述适当的掺质离子决定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102959675A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180031969.X
申请日：2011-06-30
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 提摩太·J·米勒 , 维克拉姆·辛 , 卢多维克·葛特 , 克里斯多夫·J·里维特
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32935 , C23C14/48 , C23C14/542 , H01J37/32412
Abstract: 一种介电质基板的等离子体浸没离子植入的控制装置，包括配置在等离子体处理室中所产生的等离子体上方的电极。利用电位高于用以接收离子植入的基板或阴极的电位的负电压脉冲而对该电极施予偏压。电极的电位较低，以便对由该电极产生的当作二次电子的电子给予足够的能量来克服基板周围的高电压鞘层的负电压而使电子到达基板。这些电子将加速朝向基板以便中和基板上的电荷聚集。
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公开(公告)号：CN102576655A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080040505.0
申请日：2010-08-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 海伦·L·梅纳德 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 维克拉姆·辛 , 克里斯多夫·R·汉特曼 , 卢多维克·葛特
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L21/02532 , H01L21/0259 , H01L21/02667 , H01L21/2236 , H01L31/0725 , H01L31/182 , H01L31/1872 , Y02E10/546 , Y02P70/521
Abstract: 本发明揭示一种使材料在基板上沉积且结晶的方法。在一特定实施例中，所述方法可包含产生含有与沉积相关的物质以及携带能量的物质的电浆。在第一时间段期间，无偏压电压施加于所述基板，且物质经由电浆沉积而沉积于所述基板上。在第二时间段期间，电压施加于所述基板，所述电压吸引离子且吸引至所述沉积物质中，从而引起所述沉积层结晶。可重复所述程序直至获得足够厚度。在另一实施例中，可改变所述偏压电压或偏压脉冲的持续时间以改变所发生的结晶化程度。在另一实施例中，可使用掺杂剂掺杂所述沉积层。
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公开(公告)号：CN102422722A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080019703.9
申请日：2010-04-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卢多维克·葛特 , 提摩太·J·米勒 , 克里斯多夫·J·里维特 , 伯纳德·G·琳赛
IPC: H05H1/24 , H05H1/34 , H01L21/265 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32623
Abstract: 一种等离子体处理装置包含：处理腔室；压板，其定位于所述处理腔室中，用于支撑工件；源，其经组态以在所述处理腔室中产生等离子体，所述等离子体具有邻近所述工件的前表面的等离子体鞘；以及绝缘修改器。所述绝缘修改器经组态以控制等离子体与等离子体鞘之间的边界的形状，使得所述边界的形状的一部分不平行于由工件的面向等离子体的前表面界定的平面。控制所述等离子体与所述等离子体鞘之间的所述边界的所述形状使得能够达成撞击所述工件的微粒的较大的入射角范围。
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公开(公告)号：CN101911255A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880124531.4
申请日：2008-11-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔纳森·吉罗德·英格兰 , 法兰克·辛克莱 , 约翰(本雄)·具 , 拉杰许·都蕾 , 卢多维克·葛特
IPC: H01L21/26 , H01L29/786 , H01L31/042
CPC classification number: H01L21/02689 , C30B1/023 , C30B29/06 , H01L21/0237 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/268 , H01L31/0747 , H01L31/182 , H01L31/202 , Y02E10/546 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供处理基板的方法的一些例子。在一实施例中，此方法可包括将多个第一粒子导入到基板的第一区域，以在第一区域中形成具有粒界的至少一结晶，而不在第二区域形成其他结晶，且第二区域邻近于第一区域；以及在停止导入第一粒子之后，延伸形成于第一区域中的至少一结晶的粒界到第二区域。
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公开(公告)号：CN103155099B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201180047420.X
申请日：2011-09-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/40 , H01J37/32
CPC classification number: C23C16/50 , G03F7/405 , G03F7/427 , G03F7/7045 , G03F7/70875 , H01J37/32357 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01L21/0273
Abstract: 减少配置于基板上的光阻特征的表面粗糙度的方法包含产生有等离子体鞘和该等离子体鞘内的离子的等离子体。而在等离子体鞘和等离子体之间的边界外形可通过等离子体鞘调节器调整，使得面向于基板的部份边界不平行于基板所定义的平面。于第一次曝光期间，光阻特征曝露于拥有所欲波长的电磁辐射，而且离子穿越已调整过的边界外形在一角度范围内朝向光阻特征加速。
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