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公开(公告)号：CN1217406C
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN02107957.9
申请日：2002-03-21
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: H01L23/3164 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/293 , H01L23/562 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , Y10T428/14 , H01L2924/0635 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明提供一种形成芯片保护膜的片材，能容易地在芯片背面形成非常均匀的保护膜，即使由于机械研磨在芯片背面产生微小划痕，也能消除划痕产生的不良影响。本发明的形成芯片保护膜的片材包括剥离片和在该剥离片的可分离表面形成的保护膜形成层，其中所述保护膜形成层包括热固性组分或能量射线可固化组分以及粘合剂聚合物组分。
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公开(公告)号：CN1616989A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410092911.8
申请日：2004-11-11
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: G02B1/10
CPC classification number: B32B27/08 , B32B7/12 , B32B23/08 , B32B27/308 , B32B27/32 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B2367/00 , B32B2369/00 , C08J7/04 , C08J2369/00 , Y10T428/31507 , Y10T428/31551 , Y10T428/31565 , Y10T428/31583 , Y10T428/31587 , Y10T428/31591
Abstract: 本发明提供一种用于光学应用的硬质涂布膜，它抑制表面上来自于基质膜表面粗糙度的缺陷形成，显示出优良的抗划伤性和抗龟裂性，抑制基质膜的卷曲。这种用于光学应用的膜包括(A)固化树脂层2，它包括70wt％或更多重均分子量范围为3000或更大、衍生于双官能团聚氨酯丙烯酸酯基低聚物的固化树脂和厚度为5－25微米的低聚物，和(B)硬质涂层3，它包括通过采用电离辐射辐照固化的树脂和厚度为1－15微米，其中层(A)和(B)相继层压在基质膜的一个表面上。
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公开(公告)号：CN1244726A
公开(公告)日：2000-02-16
申请号：CN99117521.2
申请日：1999-08-10
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/6836 , B28D5/0082 , C09J7/29 , C09J2201/122 , C09J2201/162 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2423/006 , C09J2433/00 , H01L2221/68327 , Y10T156/1026 , Y10T156/1052 , Y10T156/1064 , Y10T156/1082 , Y10T428/28 , Y10T428/2848
Abstract: 一种包含基体片材和在该基体片材的一个表面上形成的压敏粘合剂层的切割用胶带,其中基体片材包括直接与压敏粘合剂层相接触的上层,与上层邻接的中层以及与中层邻接的下层,并且上层的抗延伸性(A)、中层的抗延伸性(B)和下层的抗延伸性(C)满足式(Ⅰ)B
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公开(公告)号：CN1908104B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200610109004.9
申请日：2006-07-25
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种贴合部件以及使用了这样的贴合部件的光学部件的贴合方法，所述贴合部件可以防止在贴合于粘合剂层的两面的剥离片中，只有一个剥离片可以确实地剥离，并且在此时，粘合剂层的一部分缺损，并粘附在最初剥离的剥离片上的现象。所述贴合部件100具有粘合剂层3、和第1剥离片1以及第2剥离片2。粘合剂层3的两面都具有粘接性。第1剥离片1为在第1基体材料11上形成第1剥离剂层12的结构。第2剥离片2为在第2基体材料21上形成第2剥离剂层22的结构。第2剥离片2在垂直于剥离第1剥离片1时的剥离方向的方向的端部附近具有未设置第2剥离剂层22的非剥离区域23。
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公开(公告)号：CN1679157A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN03820410.X
申请日：2003-08-21
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/304 , C09J7/02
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
Abstract: 本发明的半导体晶片的保护结构通过将外径大于半导体晶片(5)的保护片(13)层压在该半导体晶片的电路面上而制得。本发明提供了当晶片研磨至极薄后，在搬运等情况下，能防止在研磨中乃至搬运中出现的晶片破损现象的半导体晶片的保护结构、半导体晶片的保护方法及所用的层压保护片。此外，本发明还提供了在进行粘合薄膜的粘贴、切除时能减少晶片破损的半导体晶片的加工方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1375866A
公开(公告)日：2002-10-23
申请号：CN02107957.9
申请日：2002-03-21
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: H01L23/3164 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/293 , H01L23/562 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , Y10T428/14 , H01L2924/0635 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明提供一种形成芯片保护膜的片材,能容易地在芯片背面形成非常均匀的保护膜,即使由于机械研磨在芯片背面产生微小划痕,也能消除划痕产生的不良影响。本发明的形成芯片保护膜的片材包括隔离片和在该隔离片的可分离表面形成的保护膜形成层,其中所述保护膜形成层包括热固性组分或能量射线可固化组分以及粘合剂聚合物组分。
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公开(公告)号：CN1090220C
公开(公告)日：2002-09-04
申请号：CN94104848.9
申请日：1994-04-28
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: H01L23/4951 , C08F220/12 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J133/064 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/293 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327 , H01L2224/32014 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/4826 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12044 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明公开了一种包括一衬底膜以及形成于其上的一种可辐照熟化的粘合层的供晶片用的粘合片，该粘合片用于半导体器件的制备工艺，所制备的半导体器件具有芯片背面的一部分或全部与模压树脂连接，它能防止外包装裂缝的出现，因而提高了半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN1366708A
公开(公告)日：2002-08-28
申请号：CN01801087.3
申请日：2001-04-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3164 , H01L23/562 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L2221/68327 , H01L2224/274 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01054 , H01L2924/01058 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 一种硅晶片的加强材料和利用这种材料制造集成电路芯片的方法。首先形成洛氏硬度至少为60、并且包括基层材料和黏合剂的加强材料;然后在其上形成有电路的硅晶片被切割前,将加强材料附着在硅晶片没有形成电路的一面上。
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公开(公告)号：CN1157310A
公开(公告)日：1997-08-20
申请号：CN96114599.4
申请日：1996-11-20
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J163/00 , C09J7/04
CPC classification number: C08G59/68 , C09J163/00
Abstract: 本发明揭示了一种包括环氧化合物、用于固化环氧树脂的鎓盐和金属配合物的热固性粘合剂组合物。通过使用该组合物，可以减少由来自在环氧粘合剂中用作固化剂的鎓盐的离子杂质产生的不良影响。
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公开(公告)号：CN1322580C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN02816407.5
申请日：2002-08-08
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: H01L21/6836 , C08G59/24 , C08G59/3218 , C08G59/4021 , C08K5/0025 , C08K5/103 , C08L2666/02 , C08L2666/04 , C09J7/22 , C09J7/35 , C09J7/38 , C09J163/00 , C09J2203/326 , C09J2463/00 , G03F7/038 , H01L2221/68327 , H01L2924/0002 , Y10T428/2852 , Y10T428/287 , Y10T428/2891 , Y10T428/31511 , H01L2924/00
Abstract: 本文所述的是一种胶粘带，它包括基片以及其上叠加的粘合剂层，所述粘合剂层包含粘着组分(A)、环氧树脂(B)、热活化的潜在环氧树脂固化剂(C)、可能量辐照聚合的化合物(D)以及光聚合引发剂(E)，其中，所述环氧树脂(B)与可能量辐照聚合的化合物(D)中的任一种或两种，其分子中具有二环戊二烯骨架。所提供的胶粘带具有粘合剂层，它可以减少粘合剂固化产物的吸水率，并且可以降低其在热压粘结时的弹性模量。
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