公开(公告)号：CN101755340A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200880025511.1

申请日：2008-12-05

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 鹤我薰典 ,  山口贤刚 ,  吴屋真之 ,  坂井智嗣

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/028 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种通过使开路电压增加而提高发电效率的光电转换装置。光电转换装置(100)具备层叠有p层(41)、i层(42)、n层(43)的光电转换层(3)，其中，所述p层(41)为以1％以上25％以下的原子浓度含有氮原子且所述p层(41)的结晶率为0以上且不足3的含氮层。或者，所述n层(43)为以1％以上20％以下的原子浓度含有氮原子且所述n层(43)的结晶率为0以上且不足3的含氮层。或者，在所述p层(41)和所述i层(42)的界面上形成界面层，该界面层为以1％以上30％以下的原子浓度含有氮原子的含氮层。或者，在所述n层(43)和所述i层(42)的界面上形成界面层，该界面层为以1％以上20％以下的原子浓度含有氮原子的含氮层。

公开(公告)号：CN101360846A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200780001610.1

申请日：2007-03-20

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 佐竹宏次 ,  坂井智嗣 ,  弥政敦洋 ,  渡边俊哉 ,  山越英男 ,  茂中俊明

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/455 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32541 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/509 ,  H01J37/3244 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/466

Abstract: 本发明提供一种电极及真空处理装置，其可提高成膜速度，且可提高成膜分布的均匀性。电极的特征在于，具有：沿着被处理基板(3)的面，隔着规定间隔并排延伸的多个电极(17A、17B)；在多个电极(17A、17B)之间，沿着电极(17A、17B)延伸的缓冲室(25)；多个第一喷出口(27)，其沿着电极(17A、17B)延伸的方向设置，向缓冲室(25)内供给反应气体；多个第二喷出口(23)，其形成为在电极(17A、17B)延伸的方向延伸的狭缝状，从缓冲室(25)朝向被处理基板(3)供给反应气体。

公开(公告)号：CN1786747A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN200510131420.4

申请日：2005-12-12

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 小林靖之 ,  坂井智嗣 ,  佐竹宏次

IPC: G02B5/02 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/00 ,  H01L51/52 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/133504 ,  G02F2202/16 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/054 ,  H01L31/056 ,  H01L31/076 ,  H01L2933/0091 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明公开了一种光散射膜(2)具有这样的结构，即，将电信号传导到要求的位置并所述入射光，而且其表面基本上是平坦的；以及使用该光散射膜(2)的光电器件。光散射膜(2)包括：介质(6)，由透明导电材料构成；以及光散射物质(7)，嵌入该介质内。利用一个部件，光散射膜实现导电和光散射特性。不需要为了实现光散射特性而有意利用凹体和凸体使表面具有纹理。希望该表面基本上是平坦的。当在该表面上形成半导体层(3)时，抑制缺陷，因为该表面平坦。具有光散射膜和位于该膜的表面上的半导体器件的光电器件的光点变换效率高。

公开(公告)号：CN1640683A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200410089776.1

申请日：2004-11-04

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 广瀬文彦 ,  坂井智嗣 ,  利根川裕 ,  须田康晴

IPC: B41N1/14 ,  B41N3/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: B41N3/006 ,  B41C1/1041 ,  B41M2205/12

Abstract: 本发明的主要目的是提供印刷版，它的制造方法，制造具有印刷图像的印刷版的方法，再生具有印刷图像的印刷版的方法，以及能够减少在制造印刷版时写图像和在再生该印刷版时擦除该图像所需要的光辐射能量的印刷机。印刷版包括光催化剂层。该光催化剂层在其表面上含有光催化剂TiO2或TiO2化合物。锐钛矿型晶体在光催化剂TiO2或TiO2化合物的总晶体组分中的体积比Ra是在0.4和1.0之间。光催化剂的总体积结晶比率是20％或更大。

公开(公告)号：CN102165281B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN200980138578.0

申请日：2009-07-02

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 坂井智嗣 ,  中野要治 ,  小林靖之 ,  山口贤刚 ,  高野晓巳

IPC: G01B11/06 ,  H01L21/205

CPC classification number: G01B11/0625

Abstract: 薄膜检查装置包括：存储部(14)，该存储部保存有至少2个特征量特性，所述2个特征量特性由以下方式得到：从因第1透明薄膜和第2透明薄膜的至少一方的膜厚变动而受到影响的分光反射光谱的特征量中选择至少2个特征量，并将所选择的该特征量中的每一个特征量与第1透明薄膜的膜厚和第2透明薄膜的膜厚分别建立关联；对被检查基板(S)从透明玻璃基板侧照射白色光的光照射部(11)；接受来自被检查基板(S)的反射光的受光部(12)；和运算部(15)，从基于受光的反射光的分光反射光谱求出在存储部(14)中保存的各特征量的实测值，使用求出的各特征量的实测值和在存储部(14)中保存的特征量特性，分别求出第1透明薄膜和第2透明薄膜的膜厚。

公开(公告)号：CN101779294B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN200980100131.4

申请日：2009-01-07

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 吴屋真之 ,  笹川英四郎 ,  真岛浩 ,  坂井智嗣

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0236 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/077 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: 提供一种具有高转换效率且量产性优良的大面积光电转换装置。光电转换装置(100)在基板(1)上形成包括晶体硅层的光电转换层(3)，晶体硅层具有晶体硅i层(42)，光电转换装置(100)具有以下述指标表示的基板面内分布：晶体硅i层(42)的晶体硅相的拉曼峰值强度相对于非晶硅相的拉曼峰值强度之比即拉曼峰值比的平均值为4以上8以下，拉曼峰值比的标准偏差为1以上3以下，且拉曼峰值比为4以下的区域的比例为0％以上15％以下。光电转换装置(100)中，形成基板(1)的光电转换层(3)的面大小为1m见方以上，具有以下述指标表示的基板面内分布：晶体硅i层(42)的拉曼峰值比的平均值为5以上8以下，拉曼峰值比的标准偏差为1以上3以下，且拉曼峰值比为4以下的区域的比例为0％以上10％以下。

公开(公告)号：CN102165282B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN200980138478.8

申请日：2009-07-02

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 坂井智嗣 ,  川添浩平 ,  山口贤刚 ,  高野晓巳

IPC: G01B11/30 ,  G01N21/59 ,  G01N21/88

CPC classification number: G01N21/8422 ,  G01B11/06 ,  G01B11/30 ,  G01N2021/8928

Abstract: 本发明目的在于能够降低薄膜的基板面内的膜厚变动的影响，实现计测精度的提高。包括：对在璃基板上形成有薄膜的被检查基板(W)从该玻璃基板侧照射单波长的光的光源；以受光轴相对于从光源射出的照明光的光轴以预定的倾斜角度交叉的方式配置，对透过被检查基板(W)的扩散透过光进行受光的受光元件；和基于由受光元件接受的光的强度求出薄膜的雾度率的计算机(7)。计算机(7)具有将雾度率与扩散透过光的光强度建立关联而成的雾度率特性，利用该雾度率特性和由上述受光元件接受的光强度求出雾度率。

公开(公告)号：CN101568797B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200780047754.0

申请日：2007-10-31

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 坂井智嗣 ,  饭田政巳 ,  川添浩平

IPC: G01B11/06

CPC classification number: G01B11/0633 ,  G01B11/0683 ,  G01B11/303

Abstract: 本发明以降低膜厚的计测误差为目的。对将膜质状态及膜厚不同的薄膜形成于基板上的多个样本照射不同波长的照明光，分别计测与照射各波长的照明光时的透射光的光量相关的评价值，基于该计测结果，对每个波长作成表示各膜质状态中膜厚和评价值的相关关系的膜厚特性，在各膜厚特性中选择由膜质状态引起的评价值的计测差在规定范围内的波长。

公开(公告)号：CN101622719B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200880006731.X

申请日：2008-02-08

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 小林靖之 ,  坂井智嗣 ,  山口贤刚 ,  浅原裕司 ,  吴屋真之

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/076 ,  H01L31/0463 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明提供一种能够以低成本获得更高性能的光电变换装置及其制造方法。具备被层叠的至少二层光电变换层、和介于所述二层光电变换层之间且对该二层光电变换层进行电连接及光学连接的中间层(93)的光电变换装置(90)，在所述中间层(93)表面上具有等离子体抗性保护层(93A)。

公开(公告)号：CN102473757A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080034145.3

申请日：2010-05-07

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 宫原弘臣 ,  吴屋真之 ,  坂井智嗣 ,  西宫立享

IPC: H01L31/04 ,  C23C16/24 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/4402 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 得到一种在光电转换层具备结晶硅i层的高效率的光电转换装置。一种光电转换装置(100)的制造方法，包括形成光电转换层(3)的工序，该光电转换层(3)在基板(1)上具备以结晶硅为主的i层(42)，其中，根据所述i层(42)的拉曼比决定所述i层(42)中的杂质的浓度的上限值，制成该决定的杂质的浓度的上限值以下的所述i层(42)。或者，根据所述i层(42)的拉曼比来决定成膜气氛中的杂质气体的浓度的上限值，以成为该决定的上限值以下的方式控制所述杂质气体的浓度来制成所述i层(42)。