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公开(公告)号：CN101360846B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200780001610.1
申请日：2007-03-20
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: C23C16/505 , C23C16/455 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32541 , C23C16/4412 , C23C16/45578 , C23C16/509 , H01J37/3244 , H05H1/46 , H05H2001/466
Abstract: 本发明提供一种电极及真空处理装置，其可提高成膜速度，且可提高成膜分布的均匀性。电极的特征在于，具有：沿着被处理基板(3)的面，隔着规定间隔并排延伸的多个电极(17A、17B)；在多个电极(17A、17B)之间，沿着电极(17A、17B)延伸的缓冲室(25)；多个第一喷出口(27)，其沿着电极(17A、17B)延伸的方向设置，向缓冲室(25)内供给反应气体；多个第二喷出口(23)，其形成为在电极(17A、17B)延伸的方向延伸的狭缝状，从缓冲室(25)朝向被处理基板(3)供给反应气体。
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公开(公告)号：CN101981421A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980111139.0
申请日：2009-09-09
Applicant: 三菱重工业株式会社
CPC classification number: G05B23/0278 , G01H17/00 , G06Q10/04 , G06Q10/06 , G06Q10/0631 , G06Q10/20 , G06Q50/04 , Y02P90/30
Abstract: 本发明提供一种推断结果具有充分的精度，能够推测不良情况维修时的最佳维修时机及和某些不良情况同时发生或者以后可能发生的其他不良情况，对用于成套设备的大型机器可以采用的设备不良情况的管理方法。其通过监视装置监视设备的工作状态，将上述设备的不良情况发生时上述监视设备得到的与设备的运转状态相关的计测值的数据作为节点，通过推断装置推断设备的不良原因，其特征在于，从预先准备的多个声音数据中选择与由发生了上述不良情况的设备产生的声音最接近的声音数据，并且，从预先准备的多个形态数据中选择与发生上述不良情况的设备的形态最接近的形态数据，将上述被选择的声音数据及形态数据追加到上述节点，根据该节点，通过第一贝叶斯网络推断设备的不良原因。
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公开(公告)号：CN101395721A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200780007262.9
申请日：2007-04-03
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/03687 , H01L31/1816 , Y02E10/548
Abstract: 本发明目的在于提供一种在光电转换层中具有微结晶锗硅且电池特性提高了的光电转换装置及其制造方法。在基板侧杂质添加层和具有微结晶锗硅的i层之间具有微结晶硅或者微结晶锗硅，并设有具有预定的拉曼峰值比的缓冲层。
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公开(公告)号：CN1786747B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200510131420.4
申请日：2005-12-12
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: G02B5/02 , H01L31/0224 , H01L33/00 , H01L51/52 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/133504 , G02F2202/16 , H01L31/02168 , H01L31/022466 , H01L31/054 , H01L31/056 , H01L31/076 , H01L2933/0091 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 本发明公开了一种光散射膜(2)具有这样的结构，即，将电信号传导到要求的位置并所述入射光，而且其表面基本上是平坦的；以及使用该光散射膜(2)的光电器件。光散射膜(2)包括：介质(6)，由透明导电材料构成；以及光散射物质(7)，嵌入该介质内。利用一个部件，光散射膜实现导电和光散射特性。不需要为了实现光散射特性而有意利用凹体和凸体使表面具有纹理。希望该表面基本上是平坦的。当在该表面上形成半导体层(3)时，抑制缺陷，因为该表面平坦。具有光散射膜和位于该膜的表面上的半导体器件的光电器件的光点变换效率高。
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公开(公告)号：CN1767216A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510009428.3
申请日：2005-02-16
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/02168 , H01L31/022466 , Y02E10/50
Abstract: 一种光电转换装置，包括衬底(1)、用来覆盖该衬底(1)的下电极层(2)、和形成在该下电极层(2)上的第一半导体层(3)。该下电极层(2)包括由透明导电材料制成的第一基体(6)和嵌在该第一基体(6)内的光散射颗粒(7)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101467264B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200780022196.2
申请日：2007-08-30
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/042 , C23C16/24
CPC classification number: H01L31/1824 , C23C16/24 , C23C16/52 , Y02E10/545 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种制膜条件设定方法、光电转换装置及其制造方法、制造装置和检查方法，能够稳定地制造具有较高转换效率的光电转换装置。基于微结晶硅层(4)中的基板(1)侧的拉曼光谱的拉曼峰值比和基板(1)相反侧的拉曼光谱的拉曼峰值比，设定光电转换装置的微结晶硅光电转换层(4)的制膜条件。
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公开(公告)号：CN101395721B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200780007262.9
申请日：2007-04-03
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/03687 , H01L31/1816 , Y02E10/548
Abstract: 本发明目的在于提供一种在光电转换层中具有微结晶锗硅且电池特性提高了的光电转换装置及其制造方法。在基板侧杂质添加层和具有微结晶锗硅的i层之间具有微结晶硅或者微结晶锗硅，并设有具有预定的拉曼峰值比的缓冲层。
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公开(公告)号：CN101807617A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010126706.4
申请日：2007-04-03
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/075 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/03687 , H01L31/1816 , Y02E10/548
Abstract: 本发明目的在于提供一种在光电转换层中具有微结晶锗硅且电池特性提高了的光电转换装置及其制造方法。在基板侧杂质添加层和具有微结晶锗硅的i层之间具有微结晶硅或者微结晶锗硅，并设有具有预定的拉曼峰值比的缓冲层。
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公开(公告)号：CN101981421B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN200980111139.0
申请日：2009-09-09
Applicant: 三菱重工业株式会社
CPC classification number: G05B23/0278 , G01H17/00 , G06Q10/04 , G06Q10/06 , G06Q10/0631 , G06Q10/20 , G06Q50/04 , Y02P90/30
Abstract: 本发明提供一种推断结果具有充分的精度，能够推测不良情况维修时的最佳维修时机及和某些不良情况同时发生或者以后可能发生的其他不良情况，对用于成套设备的大型机器可以采用的设备不良情况的管理方法。其通过监视装置监视设备的工作状态，将上述设备的不良情况发生时上述监视设备得到的与设备的运转状态相关的计测值的数据作为节点，通过推断装置推断设备的不良原因，其特征在于，从预先准备的多个声音数据中选择与由发生了上述不良情况的设备产生的声音最接近的声音数据，并且，从预先准备的多个形态数据中选择与发生上述不良情况的设备的形态最接近的形态数据，将上述被选择的声音数据及形态数据追加到上述节点，根据该节点，通过第一贝叶斯网络推断设备的不良原因。
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公开(公告)号：CN101467264A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200780022196.2
申请日：2007-08-30
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/042 , C23C16/24
CPC classification number: H01L31/1824 , C23C16/24 , C23C16/52 , Y02E10/545 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种制膜条件设定方法、光电转换装置及其制造方法、制造装置和检查方法，能够稳定地制造具有较高转换效率的光电转换装置。基于微结晶硅层(4)中的基板(1)侧的拉曼光谱的拉曼峰值比和基板(1)相反侧的拉曼光谱的拉曼峰值比，设定光电转换装置的微结晶硅光电转换层(4)的制膜条件。
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