公开(公告)号：CN105102178B

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201480018596.6

申请日：2014-03-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 河口大祐 ,  中野诚 ,  杉尾良太 ,  广瀬翼 ,  荒木佳祐

IPC: B23K26/03 ,  B23K26/064 ,  B23K26/53 ,  B23K26/08

CPC classification number: B23K26/0624 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/03 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0643 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/52 ,  B23K2103/54 ,  B23K2103/56

Abstract: 本发明是经由将激光(L)聚光于加工对象物(1)，在加工对象物(1)中形成改质区域(7)，具备：射出激光(L)的激光光源、将由激光光源射出的激光(L)聚光于加工对象物(1)的聚光光学系统(4)、以及对经由聚光光学系统聚光于加工对象物(1)的激光(L)赋予像差的像差赋予部(203)。在激光(L)的光轴方向上由将激光(L)聚光于加工对象物(1)所引起的产生于该聚光位置的像差的聚光产生像差的范围为基准像差范围的情况下，像差赋予部(203)，是在光轴方向具有比基准像差范围更长的长范围作为像差的范围，且以光轴方向中的激光(L)的强度分布在长范围具有连续的强弱的方式对激光赋予第1像差，从而提高加工品质。

公开(公告)号：CN105324207B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201480018906.4

申请日：2014-03-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 河口大祐 ,  中野诚 ,  杉尾良太 ,  广瀬翼 ,  荒木佳祐

IPC: B23K26/53 ,  B23K26/06 ,  B23K26/064 ,  B23K26/40 ,  H01L21/301

CPC classification number: B23K26/0624 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/03 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0643 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/52 ,  B23K2103/54 ,  B23K2103/56

Abstract: 激光加工装置是通过将超短脉冲光的激光聚光在加工对象物(1)从而在加工对象物(1)形成改质区域(7)的激光加工装置，具备将激光(L)射出的激光光源(202)、将由激光光源(202)射出的激光(L)聚光在加工对象物(1)的聚光光学系统(4)、及对由聚光光学系统(4)聚光在加工对象物(1)的激光(L)赋予像差的像差赋予部(203)，在激光(L)的光轴方向上，在将由于将激光(L)聚光在加工对象物(1)而在该聚光位置产生的像差、即聚光产生像差的范围作为基准像差范围的情况下，像差赋予部(203)以将在光轴方向上比基准像差范围更长的长条范围作为像差的范围来具有，并且光轴方向上的激光的强度分布具有在长条范围连续的强弱的方式对激光赋予第1像差，由此提高加工品质。

公开(公告)号：CN103026486B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201180036871.3

申请日：2011-07-19

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 下井英树 ,  荒木佳祐

IPC: H01L23/12 ,  B23K26/53 ,  B23K26/55 ,  B23K26/08 ,  B23K26/0622

CPC classification number: B23K26/0853 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/53 ,  B23K26/55 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49827 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/002 ,  H05K2203/107 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具备多个贯通电极的中介物的制造方法，包含：通过将激光聚光于由硅形成的板状的加工对象物，在加工对象物形成改质区域的激光聚光工序；在激光聚光工序之后，通过对加工对象物实施各向异性蚀刻处理，沿着改质区域使蚀刻选择性地进展，将相对于加工对象物的厚度方向倾斜且其剖面形状为矩形形状的多个贯通孔形成于加工对象物的蚀刻处理工序；在蚀刻处理工序之后，在贯通孔的内壁形成绝缘膜的绝缘膜形成工序；在绝缘膜形成工序之后，通过将导体埋入贯通孔，形成贯通电极的贯通电极形成工序；多个贯通孔从加工对象物的主面看，以在其倾斜方向上排列的贯通孔在倾斜方向的垂直方向上相互不同的方式配置。

公开(公告)号：CN105102179A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201480018976.X

申请日：2014-03-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 河口大祐 ,  广瀬翼 ,  荒木佳祐

IPC: B23K26/53 ,  B23K26/06 ,  B23K26/064 ,  B23K26/40 ,  H01L21/301

CPC classification number: B23K26/0057 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/54 ,  C03B33/0222 ,  C03B33/07 ,  H01L21/78 ,  Y02P40/57

Abstract: 激光加工装置通过使激光相对于包含硅的硅部经由树脂部而层叠于包含玻璃的玻璃部而成的加工对象物聚光从而沿着切断预定线在加工对象物的内部形成改质区域。激光加工装置具备：激光光源，其射出激光；空间光调制器，调制由激光光源射出的激光；及聚光光学系统，将通过空间光调制器调制后的激光聚光于加工对象物。空间光调制器在将改质区域形成于玻璃部的情况下，通过将轴棱锥透镜图案作为调制图案来显示，从而以在沿着激光照射方向接近排列的多个位置形成聚光点的方式使激光聚光于玻璃部。

公开(公告)号：CN103025477B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201180036874.7

申请日：2011-07-19

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 下井英树 ,  荒木佳祐

IPC: B23K26/362 ,  B23K26/53 ,  B23K26/402 ,  H01L23/473

CPC classification number: B23K26/55 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0853 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/56 ,  H01L23/473 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于制造具有冷却机构（61）的半导体设备（10）的制造方法，包含：通过将激光（L）聚光于由硅所形成的板状的加工对象物（1），从而在加工对象物（1）的内部以沿着改质区域形成预定线（5）延伸的方式形成改质区域（7）的改质区域形成工序；在改质区域形成工序之后，通过对加工对象物（1）实施各向异性蚀刻处理，从而使蚀刻沿着改质区域（7）选择性地进展，将用于流通冷却介质（61）的流路作为冷却机构（61）形成于加工对象物（1）的内部的蚀刻处理工序；及在加工对象物（1）的一个主面侧形成功能元件的功能元件形成工序。

公开(公告)号：CN103026486A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180036871.3

申请日：2011-07-19

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 下井英树 ,  荒木佳祐

IPC: H01L23/12 ,  B23K26/00 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40

CPC classification number: B23K26/0853 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/53 ,  B23K26/55 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49827 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/002 ,  H05K2203/107 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具备多个贯通电极的中介物的制造方法，包含：通过将激光聚光于由硅形成的板状的加工对象物，在加工对象物形成改质区域的激光聚光工序；在激光聚光工序之后，通过对加工对象物实施各向异性蚀刻处理，沿着改质区域使蚀刻选择性地进展，将相对于加工对象物的厚度方向倾斜且其剖面形状为矩形形状的多个贯通孔形成于加工对象物的蚀刻处理工序；在蚀刻处理工序之后，在贯通孔的内壁形成绝缘膜的绝缘膜形成工序；在绝缘膜形成工序之后，通过将导体埋入贯通孔，形成贯通电极的贯通电极形成工序；多个贯通孔从加工对象物的主面看，以在其倾斜方向上排列的贯通孔在倾斜方向的垂直方向上相互不同的方式配置。

公开(公告)号：CN103026468A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180036373.9

申请日：2011-07-19

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 下井英树 ,  荒木佳祐

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/00 ,  B23K26/04 ,  B23K26/38

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/7806

Abstract: 一种用于制造在基板上形成有功能元件所成的芯片的制造方法，包含：在由硅形成的板状的加工对象物的一个主面形成功能元件的功能元件形成工序；通过使激光聚光于加工对象物，在加工对象物的与一个主面相距对应于基板厚度的规定深度的位置，沿着一个主面形成第1改质区域的第1改质区域形成工序；通过使激光聚光于加工对象物，在加工对象物的一个主面侧，将从一个主面看与基板的侧缘对应而延伸的第2改质区域，以沿着加工对象物的厚度方向而连接于第1改质区域的方式形成的第2改质区域形成工序；以及在第1和第2改质区域形成工序之后，沿着第1和第2改质区域使蚀刻选择性地进展，切下加工对象物的一部分而形成基板的蚀刻工序。

公开(公告)号：CN103026468B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180036373.9

申请日：2011-07-19

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 下井英树 ,  荒木佳祐

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/7806

Abstract: 一种用于制造在基板上形成有功能元件所成的芯片的制造方法，包含：在由硅形成的板状的加工对象物的一个主面形成功能元件的功能元件形成工序；通过使激光聚光于加工对象物，在加工对象物的与一个主面相距对应于基板厚度的规定深度的位置，沿着一个主面形成第1改质区域的第1改质区域形成工序；通过使激光聚光于加工对象物，在加工对象物的一个主面侧，将从一个主面看与基板的侧缘对应而延伸的第2改质区域，以沿着加工对象物的厚度方向而连接于第1改质区域的方式形成的第2改质区域形成工序；以及在第1和第2改质区域形成工序之后，沿着第1和第2改质区域使蚀刻选择性地进展，切下加工对象物的一部分而形成基板的蚀刻工序。

公开(公告)号：CN103025478B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201180036884.0

申请日：2011-07-19

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 下井英树 ,  荒木佳祐

IPC: B23K26/53 ,  B23K26/55 ,  B23K26/402 ,  B23K26/064 ,  B23K26/073 ,  B23K26/382 ,  B23K26/384 ,  H01L21/306

CPC classification number: B23K26/064 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0736 ,  B23K26/382 ,  B23K26/384 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K26/55 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/76898

Abstract: 一种用于将沿着规定的线（12）的空间形成于硅基板（11）的基板加工方法，具备：通过将作为椭圆率为1以外的椭圆偏振光的激光（L）聚光于硅基板（11），从而使多个改质点（S）沿着线（12）而形成于硅基板（11）的内部，形成包含多个改质点（S）的改质区域（7）的第1工序；以及在第1工序之后，通过对硅基板（11）施以各向异性蚀刻处理，从而使蚀刻沿着改质区域（7）选择性地进展，在硅基板（11）形成空间的第2工序；在第1工序中，以使相对于硅基板（11）的激光（L）的移动方向与激光（L）的偏振光方向所成的角度小于45°的方式将激光（L）聚光于硅基板（11），以沿着线（12）排列成多列的方式形成多个改质点（S）。

公开(公告)号：CN103025472B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201180036024.7

申请日：2011-07-19

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 下井英树 ,  荒木佳祐

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/00 ,  B23K26/046 ,  B23K26/06 ,  B23K26/40 ,  B23K26/362

CPC classification number: H01L21/30608 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/382 ,  B23K26/384 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K26/55 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49827

Abstract: 一种激光加工方法，包含通过使激光（L）聚光于由硅形成的板状的加工对象物（1），在加工对象物（1）的内部形成改质区域（71~73）的激光聚光工序；以及在激光聚光工序之后，通过对加工对象物（1）实施各向异性蚀刻处理，将加工对象物（1）薄化至目标厚度，并且沿着改质区域（71~73）使蚀刻选择性地进展，以将相对于加工对象物（1）的厚度方向倾斜的贯通孔（24）形成于加工对象物（1）的蚀刻处理工序，在激光聚光工序中，在加工对象物（1）的与贯通孔（24）对应的部分，形成作为改质区域（71~73）的第1改质区域（72），并且在加工对象物（1）中通过利用各向异性蚀刻处理的薄化所除去的部分，形成与厚度方向平行地延伸且与第1改质区域（72）相连的作为改质区域的第2改质区域（71,73），在蚀刻处理工序中，一边使加工对象物（1）薄化，一边沿着第2改质区域（71,73）使蚀刻选择性地进展后，沿着第1改质区域（72）使蚀刻选择性地进展，当加工对象物（1）到达目标厚度时完成贯通孔（24）的形成。