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公开(公告)号：CN106707130B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201710004029.0
申请日：2017-01-04
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种IGBT模块测试装置，包括具有探针且位置固定的测试工装，还包括用以固定IGBT模块的热板，所述热板能够带动所述IGBT模块向所述测试工装的方向运动，以实现所述IGBT模块的针状端子与所述探针接触，所述针状端子与所述探针之间设置导电片，且所述导电片包括用以与所述针状端子相接触的倾斜端和用以与所述探针相接触的水平端。上述IGBT模块测试装置，提高了测试的稳定性，并且消除了在测试过程中，对IGBT模块针状端子产生的机械损伤，延长了使用寿命。
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公开(公告)号：CN107275394A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201610216853.8
申请日：2016-04-08
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L23/58
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块及其自保护方法，在第一金属化区与第二金属化区之间，或功率半导体芯片的发射极母排与集电极母排之间的功能单元。当功率半导体模块正常工作时，电流从集电极母排经第二金属化区流至功率半导体芯片，再经第一金属化区流至发射极母排。当功率半导体芯片工作时的发热使得功率半导体模块的内部上升至一定温度时，从集电极母排流过的电流通过功能单元直接流至发射极母排，而不再流过功率半导体芯片。本发明描述的功率半导体模块及其自保护方法无需外围控制电路参与，具有超温度自动保护功能，能够有效地保护功率半导体芯片因为过热而失效，同时降低了控制电路的复杂性，提高了系统工作的可靠性。
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公开(公告)号：CN105957848A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610564582.5
申请日：2016-07-18
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/367
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L23/367
Abstract: 本申请公开了一种具有集成热管的底板及其模块装置，其中，所述具有集成热管的底板包括底板主体、直接液冷鳍翅和集成热管，所述直接液冷鳍翅设置于所述金属底板的下表面，所述底板主体和所述直接液冷鳍翅内部均设置有所述集成热管，所述集成热管内部设置用于快速传导热量的低温相变液体介质。本申请提供的上述具有集成热管的底板及其模块装置，由于具有高效散热的集成热管以及直接液冷鳍翅，通过低温相变液体介质及外部冷却介质进行散热，可消除传统功率模块中的导热硅脂，能够实现电动汽车功率模块高效、可靠地散热。
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公开(公告)号：CN107808850B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201610808312.4
申请日：2016-09-08
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提出了一种用于功率模块的封装壳及对功率模块进行封装的方法。该用于功率模块的封装壳包括壳主体，在壳主体上设置有槽，并且在槽的底面上设置有用于功率模块的功率端子穿过的第一开口；能与槽推拉式配合的推拉块体，推拉块体能设置在槽与功率端子所形成的空间内；与壳主体盖合式连接的上盖，上盖上设置有用于功率端子穿过的第二开口。该封装壳结构简单，易于操作，可靠性和通用性高。
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公开(公告)号：CN110828398A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810895822.9
申请日：2018-08-08
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/427
Abstract: 本申请提供了用于功率半导体模块封装的一体化均热基板及其制造方法，该一体化均热基板包括均热板本体、均热板上板、绝缘陶瓷层和上覆金属层，其中，均热版主体包括金属槽，且均热板本体、均热板上板、绝缘陶瓷层和上覆金属层为一体化构造。通过本申请的一体化均热基板及其制造方法，克服了使用传统焊料层连接所带来的模块热阻较大、可靠性降低、工艺复杂的问题，同时由于该均热板主体包括金属槽，使得其具有较轻的重量，达到了低热阻、均热性好以及重量轻的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108231714B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201611153311.7
申请日：2016-12-14
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/473 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种功率模块及其制作方法，功率模块包括：芯片，用于布置芯片的衬板，以及用于将芯片、衬板封装在液冷散热器上的封装外壳。衬板包括：陶瓷层、正面金属化层、背面金属化层和针翅状阵列。正面金属化层布置于陶瓷层的上表面，背面金属化层布置于陶瓷层的下表面。针翅状阵列位于陶瓷层的下表面，且针翅状阵列与陶瓷层为一体式结构。衬板通过焊接或烧结等方式设置在液冷散热器的上表面。本发明能够解决现有功率模块基板拱度控制难度大，模块散热效率低，密封不可靠而易引发漏液的技术问题。
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公开(公告)号：CN106270871A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610939537.3
申请日：2016-11-01
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
CPC classification number: B23K1/00 , B23K1/20 , B23K20/00 , B23K20/24 , B23K2101/40
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件的焊接方法，包括如下步骤：向功率半导体器件的散热器换热腔中通入预定温度的换热介质；将所述功率半导体器件的衬板与所述散热器焊接。采用本发明的焊接方法进行焊接，利用散热器本身的导热特性，向散热器的换热腔通入预定温度的换热介质，能够使换热介质快速的换热，使散热器快速升温，进而提高加热效率。同时因为散热器散热，需要均匀散热，反向地，所以换热介质也就能够使散热器均匀升温，进而保证散热器被焊接位置的温度均匀性，继而保证焊接质量，所以该功率半导体器件的焊接方法能够有效地解决焊接时焊接位置升温效果不好的问题。本发明还公开了一种采样上述焊接方法的半导体器件的焊接系统。
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公开(公告)号：CN209912864U
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201920256976.3
申请日：2019-02-28
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/13
Abstract: 本实用新型公开一种焊接底座，其特征在于，所述焊接底座为中空的圆柱结构，所述圆柱的两个端面上均设置有多个凹槽，所述凹槽由所述圆柱的侧面延伸至所述中空处。本实用新型还公开一种使用该焊接底座的功率半导体模块。本实用新型明中的焊接底座加工简单，成本低廉，进并且该焊接底座可以与陶瓷衬板焊接牢固；从而增强了功率半导体器件焊接的可靠性。
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公开(公告)号：CN209804600U
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201920255168.5
申请日：2019-02-28
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本实用新型涉及一种功率模块用焊接底座，涉及电子功率器件技术领域，用于用于为IGBT模块实现结构紧凑化、功率密度高效化提供有力的条件。本实用新型的功率模块用焊接底座包括焊接部和插针部，插针可设置在插针部中，通过焊接部就可在绝缘衬板上直接焊接墩子与插针，从而使模块的结构更加紧凑，功率密度得以提高。
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公开(公告)号：CN209913085U
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201822209212.7
申请日：2018-12-26
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种联结插座，其在纵向方向上延伸，包括第一端和与第一端呈相对设置的第二端；第一凸缘设置在第一端远离第一端端面的位置；凹槽设置在第二端，用于插设联结插销；联结插座以第一凸缘在前的方式放置在与纵向方向垂直的平面上时，第一端端面与平面相接触。一种功率半导体模块，包括电路载体和联结插座，电路载体设置有平坦导体区域，联结插座以第一凸缘在前的方式焊接在平坦导体区域，第一端端面的面积小于平坦导体区域的面积，联结插座的纵向方向与平坦导体区域垂直。一种电路装置，包括印刷电路板和功率半导体模块，联结插销的末端伸出壳体后与印刷电路板连接。本实用新型能够解决联结插座与金属层之间焊接不牢靠和爬锡的问题。
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