公开(公告)号：CN103871944A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310681004.6

申请日：2013-12-12

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 松崎荣 ,  川合章仁 ,  荒井一尚

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/6836 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供晶片的加工方法，包括：分割槽形成步骤，从晶片的表面侧沿着间隔道形成相当于器件的成品厚度的深度的分割槽；保护部件粘贴步骤，在晶片的表面粘贴保护部件；晶片分割步骤，磨削晶片的背面而使该分割槽露出于背面，从而将晶片分割成一个个器件；晶片支承步骤，在晶片的背面装配树脂膜，并且通过装配于环状框的切割带来支承树脂膜侧；保护部件剥离步骤，将粘贴于晶片的表面的保护部件剥离；以及蚀刻步骤，使对装配在晶片的背面的树脂膜进行蚀刻的蚀刻气等离子化，并使其从晶片的表面侧侵入到分割槽内，从而对在该分割槽内露出的树脂膜进行蚀刻去除。

公开(公告)号：CN101533801B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200910008198.7

申请日：2009-03-13

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 荒井一尚

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/36 ,  H01L33/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/64 ,  H01L2933/0075 ,  H01S5/0201

Abstract: 本发明提供光器件制造方法。该光器件制造方法沿着划分多个光器件的切割道来分割在基板表面上通过光器件层形成多个光器件的光器件晶片，并将散热片接合到各光器件上，该方法包括：散热材料槽形成工序，在散热材料表面上与划分多个光器件的切割道对应的位置处，形成深度相当于散热片完成厚度的槽；散热材料接合工序，使光器件晶片的光器件层的表面和散热材料的表面相对，并通过接合金属层来接合；光器件晶片分割工序，沿切割道切断光器件晶片，分割成各个光器件；保护部件贴附工序，在光器件晶片的基板的背面上，贴附保护部件；散热材料分割工序，磨削散热材料的背面，使背面露出槽，将散热材料分割成与各光器件对应的散热片。

公开(公告)号：CN101345201B

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN200810128063.X

申请日：2008-07-10

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 梶山启一 ,  荒井一尚

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种晶片的加工方法，其在背面具有再配线层的半导体芯片等器件的制造过程中，确保了单片化为器件之前的薄晶片的刚性。此外，在晶片的阶段，在芯片的背面精确地形成再配线层。通过磨削和蚀刻仅使晶片(1)背面的、与形成有半导体芯片(3)的器件形成区域(4)对应的区域变薄，以在背面形成凹部(11)。通过凹部(11)周围的环状凸部(12)确保了晶片(1)的刚性，可安全且容易地进行移送到在背面侧形成再配线层(40)的工序时的处理。

公开(公告)号：CN100536080C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200510059595.9

申请日：2005-03-30

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 荒井一尚

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/68 ,  H01L21/301 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02043 ,  B24B7/228 ,  B24B41/068 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明即使对于薄的晶片加工时也可以容易地进行处理。在晶片(W)的表面之中的、不形成器件的外周剩余区域上接合环状保护构件(12)，在该状态下保持表面侧并研削背面(Wb)。由于环状保护构件(12)增强外周，所以在由研削而变薄后，处理变得容易。

公开(公告)号：CN101345201A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200810128063.X

申请日：2008-07-10

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 梶山启一 ,  荒井一尚

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种晶片的加工方法，其在背面具有再配线层的半导体芯片等器件的制造过程中，确保了单片化为器件之前的薄晶片的刚性。此外，在晶片的阶段，在芯片的背面精确地形成再配线层。通过磨削和蚀刻仅使晶片(1)背面的、与形成有半导体芯片(3)的器件形成区域(4)对应的区域变薄，以在背面形成凹部(11)。通过凹部(11)周围的环状凸部(12)确保了晶片(1)的刚性，可安全且容易地进行移送到在背面侧形成再配线层(40)的工序时的处理。

公开(公告)号：CN1675745A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN03819600.X

申请日：2003-07-23

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 荒井一尚

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/68714 ,  B24B1/00 ,  B24B7/228 ,  B24B41/061

Abstract: 在具有平坦支撑表面的支撑基板(10)的支撑表面上支撑半导体晶片W的表面，使支撑基板(10)与半导体晶片W成为一体，利用减薄装置，对与支撑基板(10)成为一体的半导体晶片W的背面进行抛光和蚀刻，之后利用膜形成装置(40)，在与支撑基板(10)成为一体的半导体晶片W的背面上形成薄膜。由于半导体晶片W与支撑基板(10)成为一体，即使100μm或更薄的半导体晶片也不会翘曲，由此就能均匀地形成薄膜。

公开(公告)号：CN104516191A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410520048.5

申请日：2014-09-30

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 荒井一尚

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/26

Abstract: 本发明提供一种光掩模的制造方法，所述光掩模用于晶片加工，能够低价且容易地制造光掩模。所述制造方法的特征在于，其具备以下工序：准备工序，准备透光板和遮光板，所述透光板透光并具有与要加工的晶片同等以上的大小，所述遮光板遮挡光并具有与要加工的晶片同等以上的大小；槽形成工序，在该遮光板的应透过光的区域的正面形成不到达背面的槽；一体化工序，在该遮光板的形成有槽的正面夹着透光的黏合剂来粘贴该透光板从而形成为一体；以及磨削工序，在实施该一体化工序之后，将该透光板侧保持于卡盘工作台并对该遮光板的背面进行磨削，使该槽在背面露出。

公开(公告)号：CN104009002A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410058232.2

申请日：2014-02-20

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 荒井一尚

IPC: H01L21/78 ,  B23K26/38

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/38 ,  H01L21/6836

Abstract: 本发明提供层叠晶片的加工方法，用于在晶片上层叠有芯片的层叠晶片中将芯片侧粘贴在粘合片上的状态下，也能够将晶片分割成各个芯片。该层叠晶片的加工方法的特征在于，至少在实施分割步骤之前具有如下固定步骤：在与外周剩余区域对应的区域上，在粘合片和晶片的表面的之间配设固定剂，将晶片的外周剩余区域固定在粘合片上。

公开(公告)号：CN103903974A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201310700716.8

申请日：2013-12-18

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 松崎荣 ,  川合章仁 ,  荒井一尚

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/31127

Abstract: 本发明是晶片的加工方法，能不使器件品质降低地将树脂膜装配到各器件的背面。该方法将晶片沿间隔道分割成一个个器件并将树脂膜装配到各器件的背面，包括：保护部件粘贴工序，将保护部件粘贴到晶片正面；背面磨削工序，对晶片背面进行磨削而形成为规定的厚度；树脂膜装配工序，将树脂膜装配到晶片背面；抗蚀剂膜覆盖工序，在树脂膜表面的规定的区域覆盖抗蚀剂膜；蚀刻工序，从晶片背面侧进行等离子蚀刻，沿间隔道对树脂膜进行蚀刻并对晶片进行蚀刻，沿着间隔道将树脂膜和晶片按一个个器件进行分割；抗蚀剂膜除去工序，除去覆盖在树脂膜表面的抗蚀剂膜；以及晶片支撑工序，将切割带粘贴到树脂膜侧，且通过环状框架支撑切割带外周部并剥离保护部件。

公开(公告)号：CN101483142B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200910001453.5

申请日：2009-01-09

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 荒井一尚 ,  川合章仁

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  B23K26/032 ,  B23K26/044 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/382 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/33 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14

Abstract: 可获得即使使晶片厚度变薄也不会破损地进行层叠且整体厚度薄的层叠器件的层叠器件制造方法，使用形成有环状加强部的加强晶片来制造层叠器件，包含：晶片层叠工序，准备基盘晶片，基盘晶片具有比加强晶片的环状加强部的内径稍小的直径，在表面上形成有与加强晶片的形成在器件区域内的多个间隔道和多个器件对应的多个间隔道和多个器件，使基盘晶片的表面面对加强晶片中的与器件区域对应的背面，使相互对应的间隔道一致来接合，形成层叠晶片；电极连接工序，在形成于构成层叠晶片的加强晶片的各器件上的电极所在的部位，形成到达形成在基盘晶片的各器件上的电极的通孔，在通孔内埋设导电体来将电极之间连接；分割工序，将层叠晶片沿间隔道切断，分割成各个层叠器件。