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公开(公告)号：CN113001396B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202110238691.9
申请日：2017-09-29
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/04 , B24B37/32 , B24B37/34 , B24B37/005 , B24B37/013 , B24B49/12 , B24B49/10 , B24B53/017
Abstract: 在将顶环保持于摇臂的端部的方式中，使研磨终点检测的精度提高。一种用于在研磨垫(10)与半导体晶片(16)之间进行研磨的研磨装置，其中，半导体晶片(16)与研磨垫(10)相对地配置，该研磨装置具有：用于保持研磨垫(10)的研磨台(30A)；以及用于保持半导体晶片(16)的顶环(31A)。摆动轴电动机(14)使用于保持顶环(31A)的摇臂(110)摆动。臂力矩检测部(26)对施加于摇臂(110)的臂力矩进行检测。终点检测部(28)基于检测出的臂力矩对表示研磨的结束的研磨终点进行检测。
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公开(公告)号：CN114109799A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111448722.X
申请日：2018-03-13
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: F04B51/00 , F04C28/28 , F04D27/00 , G06F17/18 , G05B19/418
Abstract: 一种信息处理装置及信息处理方法，信息处理装置具有比较部，该比较部参照存储部，对从运转中的真空泵的状态量数据检测出的异常数据的倾向与存储于所述存储部的基准数据进行比较，并输出比较结果，所述存储部存储有使用已故障的真空泵的状态量数据中检测出的异常数据的倾向而决定的用于判定到达故障的可能性的基准数据。
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公开(公告)号：CN113853275A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202080037700.1
申请日：2020-05-20
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 可使基板处理装置省人力、节能、及/或低成本化。具备：传感器，该传感器设置于基板处理装置，检测对象基板处理中的对象物理量；及预测部，该预测部将通过该传感器检测的物理量的时间序列数据或以时间对该物理量的时间序列数据进行微分而得到的时间序列数据输入完成学习的机器学习模型，从而输出作为结束研磨的时刻的研磨终点时刻，该机器学习模型是如下模型：使用将过去的该物理量的时间序列数据或以时间对该过去的物理量的时间序列数据进行微分而得到的时间序列数据作为输入、并将过去的研磨终点时刻作为输出的学习用的数据集进行机器学习。
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公开(公告)号：CN1940546B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200610135921.4
申请日：2002-09-10
IPC: G01N23/227 , G01N23/18
CPC classification number: H01J37/244 , G01N21/9501 , G03F1/84 , H01J37/285 , H01J2237/2441 , H01J2237/2446
Abstract: 本发明公开了一种检测设备，用于检测样本表面的缺陷，所述设备包括：电子枪，用于向保持在真空环境中的样本发射辐射波束，以便从所述样本中辐射出二次电子束；传感器，包括EB-CCD传感器或EB-TDI传感器，用于检测从所述样本中辐射出的二次电子束，所述传感器允许所述二次电子束直接进入所述传感器，并且形成二维图像，所述传感器被设置在所述真空环境中；电子光学系统，用于将所述二次电子束引导到所述传感器；以及用于将信号从所述传感器传送到处理设备中的馈通；其中所述处理设备处理所述信号，以便检测所述样本表面上的缺陷，并且所述处理设备设置在所述真空环境的外部。
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公开(公告)号：CN1940546A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610135921.4
申请日：2002-09-10
IPC: G01N23/227 , G01N23/18
CPC classification number: H01J37/244 , G01N21/9501 , G03F1/84 , H01J37/285 , H01J2237/2441 , H01J2237/2446
Abstract: 本发明公开了一种检测设备，用于检测样本表面的缺陷，所述设备包括：电子枪，用于向保持在真空环境中的样本发射辐射波束，以便从所述样本中辐射出二次电子束；传感器，包括EB－CCD传感器或EB－TDI传感器，用于检测从所述样本中辐射出的二次电子束，所述传感器允许所述二次电子束直接进入所述传感器，并且形成二维图像，所述传感器被设置在所述真空环境中；电子光学系统，用于将所述二次电子束引导到所述传感器；以及用于将信号从所述传感器传送到处理设备中的馈通；其中所述处理设备处理所述信号，以便检测所述样本表面上的缺陷，并且所述处理设备设置在所述真空环境的外部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1407334A
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN02141674.5
申请日：2002-09-10
IPC: G01N23/18
CPC classification number: H01J37/244 , G01N21/9501 , G03F1/84 , H01J37/285 , H01J2237/2441 , H01J2237/2446
Abstract: 一种检测设备，用于检测样本表面上精细几何图形，其中辐射波束照射到不同于大气的差异环境中放置的样本，并利用传感器检测从该样本上射出的二次电子，其中传感器放置在差异环境之内，处理来自传感器检测信号的处理装置放置在差异环境之外，而传输装置发射来自传感器的检测信号到处理装置。
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公开(公告)号：CN114109832B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202111445458.4
申请日：2018-03-13
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 一种信息处理装置，具有：决定部，该决定部至少使用一个对象真空泵或其他真空泵的过去的对象状态量，来决定该对象状态量的正常变动范围或正常时间变动行为，所述对象状态量是根据流入真空泵内的气体负荷而变动的状态量；及比较部，该比较部对所述对象真空泵的当前的对象状态量和该正常变动范围或该正常时间变动行为进行比较，并输出比较结果。
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公开(公告)号：CN111095492B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN201880057226.1
申请日：2018-08-22
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304 , B24B37/013 , B24B49/04 , B24B49/10 , B24B49/12 , B24B49/16
Abstract: 本发明为了在适当位置结束研磨而检测研磨的终点位置。根据一个实施方式，提供一种具备功能性芯片的基板的化学机械研磨方法，该方法具有以下步骤：在基板配置功能性芯片的步骤；在所述基板配置终点检测元件的步骤；由绝缘材料对配置有所述功能性芯片及所述终点检测元件的基板进行密封的步骤；研磨所述绝缘材料的步骤；及研磨所述绝缘材料时，依据所述终点检测元件来检测研磨终点的步骤。
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公开(公告)号：CN113853275B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202080037700.1
申请日：2020-05-20
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 可使基板处理装置省人力、节能、及/或低成本化。具备：传感器，该传感器设置于基板处理装置，检测对象基板处理中的对象物理量；及预测部，该预测部将通过该传感器检测的物理量的时间序列数据或以时间对该物理量的时间序列数据进行微分而得到的时间序列数据输入完成学习的机器学习模型，从而输出作为结束研磨的时刻的研磨终点时刻，该机器学习模型是如下模型：使用将过去的该物理量的时间序列数据或以时间对该过去的物理量的时间序列数据进行微分而得到的时间序列数据作为输入、并将过去的研磨终点时刻作为输出的学习用的数据集进行机器学习。
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公开(公告)号：CN116117685A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310305749.6
申请日：2017-09-29
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/10 , B24B37/04 , B24B37/32 , B24B37/34 , B24B37/005 , B24B37/013 , B24B49/12 , B24B49/10 , B24B53/017
Abstract: 在将顶环保持于摇臂的端部的方式中，使研磨终点检测的精度提高。一种用于在研磨垫(10)与半导体晶片(16)之间进行研磨的研磨装置，其中，半导体晶片(16)与研磨垫(10)相对地配置，该研磨装置具有：用于保持研磨垫(10)的研磨台(30A)；以及用于保持半导体晶片(16)的顶环(31A)。摆动轴电动机(14)使用于保持顶环(31A)的摇臂(110)摆动。臂力矩检测部(26)对施加于摇臂(110)的臂力矩进行检测。终点检测部(28)基于检测出的臂力矩对表示研磨的结束的研磨终点进行检测。
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