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公开(公告)号：CN109891551A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201780066486.0
申请日：2017-10-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 以低成本且高生产率制造半导体装置。提高半导体装置的制造工序的成品率。在衬底上形成岛状金属氧化物层，以覆盖金属氧化物层的端部的方式在金属氧化物层上形成树脂层，照射光，由此使金属氧化物层与树脂层分离。在形成树脂层之后且照射光之前在树脂层上形成绝缘层。例如，将树脂层形成为岛状，将绝缘层以覆盖树脂层的端部的方式形成。在树脂层上形成粘合层的情况下，优选以位于金属氧化物层的端部的内侧的方式形成粘合层。
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公开(公告)号：CN104885230A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380067846.0
申请日：2013-12-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L27/1255
Abstract: 一种半导体装置包括：晶体管，该晶体管包括绝缘膜、氧化物半导体膜、与氧化物半导体膜重叠的栅电极以及与氧化物半导体膜接触的一对电极；电容器，该电容器包括在绝缘膜上的第一透光导电膜、在第一透光导电膜上的介电膜以及在介电膜上的第二透光导电膜；在晶体管的一对电极上的氧化绝缘膜；以及在氧化绝缘膜上的氮化绝缘膜。介电膜是氮化绝缘膜，氧化绝缘膜在一对电极之一上包括第一开口，氮化绝缘膜在一对电极之一上包括第二开口，且第二开口与第一开口相比是在内侧。
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公开(公告)号：CN101174642B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200710168213.5
申请日：2007-10-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/144 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1443 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L31/02005 , H01L31/02162 , H01L31/022408 , H01L31/02327 , H01L31/1055 , H01L31/1892 , H01M10/46 , H03F3/08 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，包括：在第一绝缘膜上且具有光电二极管、放大所述光电二极管的输出电流的放大器电路的第一元件；以及在第二绝缘膜上且具有颜色滤光片、所述颜色滤光片上的外敷层的第二元件，其中，通过利用粘结材料粘结所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜，来将所述第一元件和所述第二元件贴附在一起。此外，所述放大器电路是具有薄膜晶体管的电流镜电路。此外，也可以使用颜色薄膜而代替颜色滤光片。
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公开(公告)号：CN118284849A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202280077740.8
申请日：2022-11-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G02F1/13357 , G02F1/1343
Abstract: 提供一种开口率高的显示装置。使用有机绝缘层(52)填充起因于用来电连接布线(33)与像素电极(41)的接触孔(50)的台阶来消除该台阶，在平坦的像素电极的顶面上形成取向膜(45a)，由此减少液晶层(40)的取向不良。此外，将具有透光性的材料用于在接触孔(50)的底部露出的布线(33)。由此，可以增加液晶器件中的对显示有效的区域。也就是说，可以实现开口率高的显示装置。
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公开(公告)号：CN117016046A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202280013859.9
申请日：2022-02-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/22
Abstract: 提供一种高清晰显示装置。提供一种兼具有高显示品质和高清晰度的显示装置。本发明的一个方式是一种显示装置，包括：包括第一像素电极、第一EL层及公共电极的第一显示元件；包括第二像素电极、第二EL层及公共电极的第二显示元件；覆盖第一像素电极的端部及第二像素电极的端部的第一绝缘层；第一绝缘层上的第二绝缘层；以及第二绝缘层上的第三绝缘层，其中，第一EL层配置在第一像素电极上及第三绝缘层上，并且，第二EL层配置在第二像素电极上及第三绝缘层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104821338B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201510060315.X
申请日：2015-02-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 本发明题为半导体装置、显示装置、显示模块以及电子设备。本发明的一个方式提供一种半导体装置，其中包括使用氧化物半导体的交错型晶体管及电容元件。本发明的一个方式是一种包括晶体管及电容元件的半导体装置，其中晶体管包括：氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；栅极绝缘膜上的栅电极；栅电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的源电极及漏电极，源电极及漏电极与氧化物半导体膜电连接，电容元件包括：第一导电膜；第二导电膜；以及该第二绝缘膜，第一导电膜与栅电极设置在同一表面上，该第二导电膜与源电极及漏电极设置在同一表面上，该第二绝缘膜设置在第一导电膜与第二导电膜之间。
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公开(公告)号：CN110518017A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910418591.7
申请日：2015-02-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本发明题为半导体装置、显示装置、显示模块以及电子设备。本发明的一个方式提供一种半导体装置，其中包括使用氧化物半导体的交错型晶体管及电容元件。本发明的一个方式是一种包括晶体管及电容元件的半导体装置，其中晶体管包括：氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；栅极绝缘膜上的栅电极；栅电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的源电极及漏电极，源电极及漏电极与氧化物半导体膜电连接，电容元件包括：第一导电膜；第二导电膜；以及该第二绝缘膜，第一导电膜与栅电极设置在同一表面上，该第二导电膜与源电极及漏电极设置在同一表面上，该第二绝缘膜设置在第一导电膜与第二导电膜之间。
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公开(公告)号：CN103681655A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310390927.6
申请日：2013-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1255 , G02F1/13306 , G02F1/133345 , G02F1/13338 , G02F1/134336 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/133302 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G06F3/0412 , H01L27/0629 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的一个方式是提供一种不降低开口率且具有增大了电荷容量的电容元件的半导体装置。半导体装置包括：包括具有透光性的半导体膜的晶体管；在一对电极之间设置有介电膜的电容元件；以及电连接于晶体管的像素电极，其中在电容元件中，与晶体管的具有透光性的半导体膜形成在同一表面上的具有导电性的膜用作一个电极，像素电极用作另一个电极，设置在具有透光性的半导体膜与像素电极之间的氮化绝缘膜及第二氧化绝缘膜用作介电体。
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公开(公告)号：CN101740495A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910246065.3
申请日：2009-11-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/32134 , H01L27/1214
Abstract: 本发明涉及柔性半导体装置的制造方法。本发明的一个方式的目的之一在于当使半导体元件柔性化时，不损坏半导体元件地进行剥离。此外，本发明的一个方式的目的之一在于提供使剥离层和缓冲层的密接性变弱的技术。此外，本发明的一个方式目的之一在于提供不因剥离而在半导体元件中产生弯曲压力的技术。使用蚀刻液溶解剥离层来对隔着缓冲层形成在剥离层上的半导体元件进行剥离。或者，将薄膜插入剥离层的因接触于蚀刻液而溶解的区域，通过向剥离层的尚未溶解的区域移动薄膜来进行剥离。
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公开(公告)号：CN118235541A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202280074888.6
申请日：2022-11-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/122 , G09F9/30 , H01L29/786 , H10K50/19 , H10K50/813 , H10K50/826 , H10K59/124 , H10K59/38
Abstract: 提供一种串扰的发生得到抑制的显示装置。该显示装置包括具有第一区域及比第一区域其顶面位置低的第二区域的第一绝缘层、具有与第一区域上重叠的区域的第二绝缘层、隔着第二绝缘层具有与第一区域上重叠的区域的发光器件、具有与第二区域上重叠的区域的叠层体、具有与叠层体上重叠的区域的第三绝缘层，第二绝缘层具有与第二区域重叠的突出部，发光器件至少包括发光层、发光层上的第一上部电极及第一上部电极上的第二上部电极，第二上部电极具有与第三绝缘层上重叠的区域，叠层体包含与发光层相同的材料。
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