公开(公告)号：CN102906882B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180025328.3

申请日：2011-05-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 远藤佑太 ,  佐佐木俊成 ,  野田耕生 ,  佐藤瑞穗

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 通过氧从绝缘层放出，可以降低氧化物半导体层中的氧缺陷及所述绝缘层与所述氧化物半导体层之间的界面态。因此，可以制造电特性的变动小且可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN102243807B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201110094236.2

申请日：2007-09-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 远藤佑太 ,  宇都德晃 ,  冈本知广

IPC: G08G1/052

CPC classification number: G08G1/017 ,  G06K17/0022 ,  G06K19/07749 ,  G08G1/052 ,  H04B5/0056

Abstract: 本发明涉及速度测量系统以及速度测量方法。具有用于保存关于轮式车辆的信息的存储部的RFID标签被安装在轮式车辆上，并且外部询问器和RFID标签彼此交换信息。而且，具有用于保存关于轮式车辆的信息的存储部的RFID标签和用于与该RFID标签交换信息的通信装置被设置在轮式车辆上。当外部询问器和RFID标签彼此交换信息时，通信装置将状态信息保存在RFID标签的存储部中，其中的状态信息例如为：速度信息、日期与时间信息等。

公开(公告)号：CN102725851A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201180008324.4

申请日：2011-01-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 远藤佑太 ,  斎藤隆行 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/495 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 在小型化晶体管中，需要栅极绝缘层减少其厚度；然而，在栅极绝缘层为单层氧化硅膜的情况下，由于隧道电流（即栅极泄漏电流）的增加，可能发生对栅极绝缘层的变薄的物理上的限制。通过将相对电容率高于或等于10的高k膜用于栅极绝缘层，减少了小型化晶体管的栅极泄漏电流。通过将高k膜用作相对电容率高于与氧化物半导体层接触的第二绝缘层的相对电容率的第一绝缘层，栅极绝缘层的厚度能够薄于考虑氧化硅膜的栅极绝缘层的厚度。

公开(公告)号：CN101533769A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200810189735.8

申请日：2008-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 远藤佑太 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明的要旨为如下：准备单晶半导体衬底和由绝缘体构成的基底衬底，在单晶半导体衬底上形成Si类的第一绝缘膜，通过在距单晶半导体衬底表面有预定深度的位置中引入离子来形成剥离层，通过对基底衬底施加偏压进行等离子体处理来使基底衬底表面平坦化，采用溅射法在被平坦化的基底衬底上形成包含铝的第二绝缘膜，使单晶半导体衬底的表面和基底衬底的表面相对，粘合第一绝缘膜的表面和第二绝缘膜的表面，通过以剥离层为境界进行分离来在基底衬底上隔着第二绝缘膜及第一绝缘膜设置单晶半导体膜。

公开(公告)号：CN116782639A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310772146.7

申请日：2017-01-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  远藤佑太 ,  加藤清 ,  冈本悟

IPC: H10B12/00 ,  H01L27/06 ,  H01L29/786

Abstract: 本公开涉及半导体装置及其制造方法。本发明提供一种适合于微型化及高集成化的可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的晶体管；晶体管上的第二绝缘体；嵌入在第二绝缘体的开口中的第一导电体；第一导电体上的阻挡层；在第二绝缘体及阻挡层上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第二导电体。第一绝缘体、第三绝缘体及阻挡层对氧及氢具有阻挡性。第二绝缘体包括过剩氧区域。晶体管包括氧化物半导体。阻挡层、第三绝缘体及第二导电体被用作电容器。

公开(公告)号：CN111373515A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201880075796.3

申请日：2018-11-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  三本菅正太 ,  山根靖正 ,  远藤佑太 ,  奥野直树

IPC: H01L21/363 ,  C23C14/08 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明的一个方式提供一种新颖的半导体材料。半导体材料是包含金属元素和氮的氧化物，金属元素是铟(In)、元素M(M为铝(Al)、镓(Ga)、钇(Y)或锡(Sn))及锌(Zn)，氮被引入到氧化物的氧空位内或者与金属元素的原子键合。

公开(公告)号：CN104904018B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201380068545.X

申请日：2013-12-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 远藤佑太

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种开口率高的半导体装置。该半导体装置包括晶体管以及包括一对电极的电容元件。将形成在同一个绝缘表面上的氧化物半导体层用于该晶体管的沟道形成区及该电容元件的一个电极。该电容元件的另一个电极是透光导电膜。该电容元件的一个电极与布线电连接，该布线在设置有该晶体管的源电极或漏电极的绝缘表面上形成，电容元件的另一个电极与该晶体管的源电极和漏电极中的一个电连接。

公开(公告)号：CN108886021A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780022719.7

申请日：2017-01-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  远藤佑太 ,  加藤清 ,  冈本悟

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1207 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/8258 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种适合于微型化及高集成化的可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的晶体管；晶体管上的第二绝缘体；嵌入在第二绝缘体的开口中的第一导电体；第一导电体上的阻挡层；在第二绝缘体及阻挡层上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第二导电体。第一绝缘体、第三绝缘体及阻挡层对氧及氢具有阻挡性。第二绝缘体包括过剩氧区域。晶体管包括氧化物半导体。阻挡层、第三绝缘体及第二导电体被用作电容器。

公开(公告)号：CN106480415A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610709365.0

申请日：2016-08-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 太田将志 ,  川田琢也 ,  山根靖正 ,  远藤佑太

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种结晶性高的氧化物。或者，提供一种具有缺陷少的结晶结构的氧化物。或者，提供一种缺陷能级密度低的氧化物。或者，提供一种杂质浓度低的氧化物。或者，提供一种能够形成上述氧化物的成膜装置。成膜装置包括靶材架、衬底架、第一电源及第二电源，其中靶材架与第一电源电连接，衬底架与第二电源电连接，第二电源具有施加比接地电位高的电位的功能。

公开(公告)号：CN103915447A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310730813.1

申请日：2013-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 远藤佑太

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L28/60 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种开口率高的半导体装置。该半导体装置包括：氮化绝缘膜；形成在氮化绝缘膜上的晶体管；以及形成在氮化绝缘膜上的包括一对电极的电容元件，晶体管的沟道形成区及电容元件的一个电极由氧化物半导体层形成，而电容元件的另一个电极由透光导电膜形成，电容元件的一个电极与氮化绝缘膜接触，而电容元件的另一个电极电连接到包括在所述晶体管中的源极和漏极中的一个。