公开(公告)号：CN104992980A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510217808.X

申请日：2010-09-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  津吹将志 ,  野田耕生

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L22/34 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/78696 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 逻辑电路包括：薄膜晶体管，具有使用氧化物半导体所形成的沟道形成区；以及具有端子的电容器，通过使薄膜晶体管截止来使端子之一进入浮动状态。氧化物半导体具有5×1019(原子/cm3)或更小的氢浓度，并且因此在没有生成电场的状态中实质上用作绝缘体。因此，薄膜晶体管的截止状态电流能够降低，从而引起抑制通过薄膜晶体管的电容器中存储的电荷的泄漏。相应地，能够防止逻辑电路的故障。此外，能够通过薄膜晶体管的截止状态电流的降低，来降低逻辑电路中流动的过量电流，从而导致逻辑电路的低功率消耗。

公开(公告)号：CN102576738B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201080047701.0

申请日：2010-09-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  津吹将志 ,  野田耕生

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/8236 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H03K19/0944 ,  H03K19/096

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L22/34 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/78696 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 逻辑电路包括：薄膜晶体管，具有使用氧化物半导体所形成的沟道形成区；以及具有端子的电容器，通过使薄膜晶体管截止来使端子之一进入浮动状态。氧化物半导体具有5×1019(原子/cm3)或更小的氢浓度，并且因此在没有生成电场的状态中实质上用作绝缘体。因此，薄膜晶体管的截止状态电流能够降低，从而引起抑制通过薄膜晶体管的电容器中存储的电荷的泄漏。相应地，能够防止逻辑电路的故障。此外，能够通过薄膜晶体管的截止状态电流的降低，来降低逻辑电路中流动的过量电流，从而导致逻辑电路的低功率消耗。

公开(公告)号：CN104485336A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201410635394.8

申请日：2010-10-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  津吹将志 ,  野田耕生 ,  丰高耕平 ,  渡边一德 ,  原田光

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/11

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G06F15/76 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/1112 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L28/60 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78696

Abstract: 一个目的是提供一种存储器装置，其中包括能够由具有低截止态电流的薄膜晶体管没有问题地来操作的存储器元件。所提供的是一种存储器装置，其中包括包含氧化物半导体层的至少一个薄膜晶体管的存储器元件配置成矩阵。包括氧化物半导体层的薄膜晶体管具有高场效应迁移率和低截止态电流，并且因而能够有利地没有问题地来操作。另外，功率消耗能够降低。在包括氧化物半导体层的薄膜晶体管设置在显示装置的像素中的情况下，这种存储器装置特别有效，因为存储器装置和像素能够在一个衬底之上形成。

公开(公告)号：CN102005449B

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201010263823.5

申请日：2010-08-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  细羽幸 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L29/49 ,  H01L21/77 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L21/477 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02664 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及显示装置及其制造方法。本发明提供一种显示特性优越的显示装置，其中使用根据其电路特征的不同结构的晶体管分别形成同一衬底上的像素电路及驱动电路。在该驱动电路部中，包括栅电极层、源电极层及漏电极层由金属膜构成，且沟道层由氧化物半导体构成的驱动电路用晶体管。此外，在该像素部中，包括栅电极层、源电极层及漏电极层由氧化物导电体构成，且半导体层由氧化物半导体构成的像素用晶体管。该像素用晶体管由具有透光性的材料形成，并制造高开口率的显示装置。

公开(公告)号：CN103843145A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201280047612.5

申请日：2012-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 本田达也 ,  津吹将志 ,  野中裕介 ,  岛津贵志 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/134309 ,  G02F2202/10 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 半导体装置包括栅电极、覆盖栅电极并包含含有硅的氧化物的栅极绝缘膜、以与栅极绝缘膜接触并至少与栅电极重叠的方式设置的氧化物半导体膜、以及与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极。在氧化物半导体膜中，以与栅极绝缘膜接触且厚度为5nm以下的方式设置的第一区域具有1.0at.％以下的硅浓度，并且第一区域之外的氧化物半导体膜中的区域具有比第一区域低的硅浓度。至少第一区域包括结晶部。

公开(公告)号：CN102763202A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201180009914.9

申请日：2011-01-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  渡边了介 ,  津吹将志 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种实现了晶体管的小型化且电场集中被减轻的包括氧化物半导体的半导体装置。栅电极的宽度减小，并且源电极层和漏电极层之间的间隔减小。通过以栅电极为掩模，以自对准的方式添加稀有气体，而可以将接触于沟道形成区域的低电阻区域设置在氧化物半导体中。所以即使栅电极的宽度，即栅极布线的线宽度小，也可以以高位置精度设置低电阻区域，从而可以实现晶体管的小型化。

公开(公告)号：CN102576738A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080047701.0

申请日：2010-09-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  津吹将志 ,  野田耕生

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/8236 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H03K19/0944 ,  H03K19/096

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L22/34 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/78696 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 逻辑电路包括：薄膜晶体管，具有使用氧化物半导体所形成的沟道形成区；以及具有端子的电容器，通过使薄膜晶体管截止来使端子之一进入浮动状态。氧化物半导体具有5×1019(原子/cm3)或更小的氢浓度，并且因此在没有生成电场的状态中实质上用作绝缘体。因此，薄膜晶体管的截止状态电流能够降低，从而引起抑制通过薄膜晶体管的电容器中存储的电荷的泄漏。相应地，能够防止逻辑电路的故障。此外，能够通过薄膜晶体管的截止状态电流的降低，来降低逻辑电路中流动的过量电流，从而导致逻辑电路的低功率消耗。

公开(公告)号：CN102484140A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080039723.2

申请日：2010-08-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 津吹将志 ,  吉富修平 ,  辻隆博 ,  细羽幸 ,  坂田淳一郎 ,  户松浩之 ,  早川昌彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1262 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/127 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 一个目的是提供包括氧化物半导体膜的薄膜晶体管的结构的制造方法，其中以其形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0V。形成保护绝缘层以覆盖包括通过第一热处理来脱水或脱氢的氧化物半导体层的薄膜晶体管，并且执行在比第一热处理低的温度下的第二热处理，第二热处理中温度的上升和下降重复多次，由此能够制造包括氧化物半导体层的薄膜晶体管，其中以其形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0V，而无需取决于沟道长度。

公开(公告)号：CN102473734A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080033956.1

申请日：2010-07-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  秋元健吾 ,  津吹将志 ,  佐佐木俊成 ,  桑原秀明

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L33/0041 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。在使用第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层的叠层的底栅结构的薄膜晶体管中，在与栅电极层重叠的一部分氧化物半导体层上形成与其接触的用作沟道保护层的氧化物绝缘层，并且在形成该绝缘层的相同的步骤中，形成覆盖氧化物半导体层的叠层的周缘部(包括侧表面)的氧化物绝缘层。

公开(公告)号：CN113224171A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110149865.4

申请日：2016-05-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  津吹将志

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  C23C16/40

Abstract: 提供一种包括结晶部的金属氧化物膜。另外，提供一种物性的稳定性高的金属氧化物膜。另外，提供一种电特性得到提高的金属氧化物膜。另外，提供一种可以提高场效应迁移率的金属氧化物膜。一种包含In、M(M为Al、Ga、Y或Sn)及Zn的金属氧化物膜，该金属氧化物膜包括第一结晶部及第二结晶部，第一结晶部具有c轴取向性，第二结晶部没有c轴取向性，第二结晶部的存在比例高于第一结晶部。