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公开(公告)号：CN119300442A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410841064.8
申请日：2024-06-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本公开涉及氧化物半导体层、半导体装置以及半导体装置的制造方法。提供一种可用于具有良好的电特性的半导体装置的氧化物半导体层。另外，提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明是一种形成在衬底上的包含铟的氧化物半导体层，氧化物半导体层以与衬底的表面平行或大致平行的方式形成，氧化物半导体层具有第一区域、第一区域上的第二区域以及第二区域上的第三区域，第一区域大致垂直地位于离氧化物半导体层的被形成面有0nm以上且3nm以下处，在利用透射电子显微镜观察氧化物半导体层的截面时，在第一区域、第二区域及第三区域的每一个中确认到在平行于被形成面的方向上排列为层状的亮点。
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公开(公告)号：CN110462803B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201880020208.6
申请日：2018-03-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H10B12/00 , H01L29/786 , H03K19/17736
Abstract: 提供一种集成度高的半导体装置。该半导体装置包括：包括第一区域、第二区域、与第一区域和第二区域相邻的第三区域、以及与第二区域相邻的第四区域的氧化物半导体；氧化物半导体上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一导电体；氧化物半导体、第一绝缘体及第一导电体上的第二绝缘体；隔着第二绝缘体设置在第一绝缘体的侧面及第一导电体的侧面的第三绝缘体；第二绝缘体及第三绝缘体上的第四绝缘体；以及与氧化物半导体接触的第二导电体，第一区域与第一绝缘体接触并隔着第一绝缘体及导电体与第三绝缘体重叠，第二区域与第二绝缘体接触并隔着第二绝缘体与第三绝缘体重叠，第三区域与第二绝缘体接触并隔着第二绝缘体及第三绝缘体与第三绝缘体重叠，第四区域与第二导电体接触。
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公开(公告)号：CN111587491A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201880079059.0
申请日：2018-11-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/788 , H01L29/792 , C23C14/08 , C23C16/42 , H01L21/28 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L21/477 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/11551 , H01L27/1156
Abstract: 提供一种通态电流大的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的第一导电体及第二导电体；第二氧化物上的第三氧化物；第三氧化物上的第二绝缘体；位于第二绝缘体上并与第三氧化物重叠的第三导电体；与第一绝缘体上、第一氧化物的侧面、第二氧化物的侧面、第一导电体的侧面、第一导电体的顶面、第二导电体的侧面、第二导电体的顶面接触的第三绝缘体；以及第三导电体、第二绝缘体、第三氧化物及第三绝缘体上的第四绝缘体，其中第四绝缘体与第三导电体、第二绝缘体及第三氧化物的每一个的顶面接触。
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公开(公告)号：CN110462803A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880020208.6
申请日：2018-03-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786 , H03K19/177
Abstract: 提供一种集成度高的半导体装置。该半导体装置包括：包括第一区域、第二区域、与第一区域和第二区域相邻的第三区域、以及与第二区域相邻的第四区域的氧化物半导体；氧化物半导体上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一导电体；氧化物半导体、第一绝缘体及第一导电体上的第二绝缘体；隔着第二绝缘体设置在第一绝缘体的侧面及第一导电体的侧面的第三绝缘体；第二绝缘体及第三绝缘体上的第四绝缘体；以及与氧化物半导体接触的第二导电体，第一区域与第一绝缘体接触并隔着第一绝缘体及导电体与第三绝缘体重叠，第二区域与第二绝缘体接触并隔着第二绝缘体与第三绝缘体重叠，第三区域与第二绝缘体接触并隔着第二绝缘体及第三绝缘体与第三绝缘体重叠，第四区域与第二导电体接触。
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公开(公告)号：CN103985763B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201410196055.4
申请日：2008-12-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1218
Abstract: 本发明涉及半导体装置和显示装置，其目的在于提供在施加诸如弯曲等的外力而产生应力的情况下也降低晶体管等的损伤的半导体装置。本发明的半导体装置包括：设置在具有挠性的衬底上的第一岛状加强膜；在第一岛状加强膜上具有沟道形成区域和杂质区域的半导体膜；在沟道形成区域的上方隔着栅极绝缘膜而设置的第一导电膜；以覆盖第一导电膜及栅极绝缘膜的方式设置的第二岛状加强膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102738002B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201210098750.8
申请日：2012-04-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/477
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明通过对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，提供一种可靠性高的半导体装置。作为晶体管的制造工序，在依次形成氧化物半导体层、源电极层、漏电极层、栅极绝缘膜、栅电极层及氧化铝膜之后，通过对氧化物半导体层及氧化铝膜进行热处理，去除含有氢原子的杂质，并形成包括含有超过化学计量比的氧的区域的氧化物半导体层。另外，通过形成氧化铝膜，即使在具有该晶体管的半导体装置或电子设备的制造工序中的热处理中，也可以防止来自大气的水或氢侵入且扩散到氧化物半导体层中，从而可以制造可靠性高的晶体管。
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公开(公告)号：CN103985763A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410196055.4
申请日：2008-12-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1218
Abstract: 本发明涉及半导体装置和显示装置，其目的在于提供在施加诸如弯曲等的外力而产生应力的情况下也降低晶体管等的损伤的半导体装置。本发明的半导体装置包括：设置在具有挠性的衬底上的第一岛状加强膜；在第一岛状加强膜上具有沟道形成区域和杂质区域的半导体膜；在沟道形成区域的上方隔着栅极绝缘膜而设置的第一导电膜；以覆盖第一导电膜及栅极绝缘膜的方式设置的第二岛状加强膜。
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公开(公告)号：CN102738002A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210098750.8
申请日：2012-04-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/477
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明通过对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，提供一种可靠性高的半导体装置。作为晶体管的制造工序，在依次形成氧化物半导体层、源电极层、漏电极层、栅极绝缘膜、栅电极层及氧化铝膜之后，通过对氧化物半导体层及氧化铝膜进行热处理，去除含有氢原子的杂质，并形成包括含有超过化学计量比的氧的区域的氧化物半导体层。另外，通过形成氧化铝膜，即使在具有该晶体管的半导体装置或电子设备的制造工序中的热处理中，也可以防止来自大气的水或氢侵入且扩散到氧化物半导体层中，从而可以制造可靠性高的晶体管。
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公开(公告)号：CN118943200A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410553599.5
申请日：2024-05-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H10B53/30 , H10B12/00
Abstract: 半导体装置包括氧化物半导体层、第一至第三导电层及第一至第三绝缘层，第一导电层具有第一凹部，第一导电层上的第一绝缘层及第一绝缘层上的第二导电层具有与第一凹部重叠的第一开口部，氧化物半导体层与第二导电层的顶面、第一凹部的底面及侧面、第二导电层的侧面及第一绝缘层的侧面接触，第二绝缘层在第一开口部内位于氧化物半导体层的内侧，并且第三绝缘层在第一绝缘层上覆盖氧化物半导体层的顶面及侧面并具有与第一开口部重叠的第二开口部。
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公开(公告)号：CN113474897A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202080016140.1
申请日：2020-02-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/108
Abstract: 提供一种生产率高的半导体装置。提供一种包括第一及第二晶体管以及第一及第二电容器的半导体装置。第一及第二晶体管包括栅电极及背栅电极。第二晶体管设置在第一晶体管的上方的层，第二电容器设置在第一电容器的上方的层。第一电容器的一个电极与第一晶体管的源电极和漏电极中的一个电连接，并与第二晶体管的源电极和漏电极中的一个电连接。第一电容器的另一个电极形成在与第二晶体管的背栅电极相同的层中。
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