公开(公告)号：CN1723482A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200380105306.3

申请日：2003-11-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上智史 ,  宫城德子

IPC: G09F9/30

CPC classification number: H01L51/5203 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/56

Abstract: 在发光装置中，最好发光元件的下部的膜表面具有平坦性。因此，在成膜后对于膜实施使膜平坦化等的处理。在本发明中，提出一种能够容易地进行上述平坦化的发光装置的结构。在第1膜上以与布线相同的层，制作第2膜。由此，在布线形成时，对第1膜中位于发光元件下部的部分进行蚀刻，能够防止在第1膜表面上形成凹凸。通过设置第2膜，第3膜的表面高度升高，从而能够实现局部的平坦化。

公开(公告)号：CN1476048A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN03132892.X

申请日：2003-07-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上智史 ,  长尾里筑子 ,  坂仓真之 ,  仲泽美佐子 ,  宫城德子 ,  池田寿雄 ,  土屋薰 ,  石垣步 ,  高桥正弘 ,  松田宪之 ,  大原宏树

IPC: H01L21/00 ,  H05B33/10 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/5206

Abstract: 本发明的一个目的是减小或消除具有有机化合物的发光元件中出现的各种缺陷模式(收缩、黑斑等)。本发明通过使阻挡层111的上部或下部形成有曲率半径的曲面抑制在发光元件刚制造完成后就产生的不发光区，用多孔海绵清洗阳极110的表面以去除散布在阳极表面上的微粒，并在就要形成含有机化合物的层112前，通过进行真空加热以去除其上配有TFT和阻挡层的整个衬底表面上的吸收水，来抑制收缩出现。

公开(公告)号：CN1458640A

公开(公告)日：2003-11-26

申请号：CN03142788.X

申请日：2003-05-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  村上智史 ,  纳光明

IPC: G09F9/30 ,  G09G3/00 ,  H05B33/00 ,  H01L31/12 ,  H01L51/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1248 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5271 ,  H01L2251/5315

Abstract: 含有有机化合物的发光元件的不足之处在于它易于受到各种因素的影响而退化，所以它的最大问题是增加它的可靠性(使它的使用寿命更长)。本发明提供一种有源矩阵型发光器件的制造方法，以及具有高可靠性的这种有源矩阵型发光器件的结构。在方法中，形成延伸到源区或漏区的接触孔，然后在层间绝缘膜上形成由光敏有机绝缘材料制成的层间绝缘膜。在层间绝缘膜的上端部具有弯曲表面。随后，用RF电源通过溅射的方法形成由氮化硅膜提供的膜的厚度为20到50nm的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN1450665A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN03110353.7

申请日：2003-04-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  村上智史 ,  早川昌彦 ,  加藤清 ,  纳光明

IPC: H01L31/12 ,  H01L27/00 ,  H01L21/00 ,  G09F9/30 ,  G09G3/00

CPC classification number: H01L27/1248 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/13 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3276 ,  H01L33/52 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5253

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有层间绝缘膜的半导体显示器件，此层间绝缘膜能够获得表面平整性同时控制成膜时间，能够控制以清除潮气为目的的热处理的处理时间，并能够防止层间绝缘膜中的潮气释放到邻近层间绝缘膜的膜或电极。形成了包含氮且比有机树脂更不容易透过潮气的无机绝缘膜，以便覆盖TFT。接着，包含光敏丙烯酸树脂的有机树脂膜被涂敷到有机绝缘膜，且有机树脂膜被局部曝光以便开口。然后，形成包含氮且比有机树脂更不容易透过潮气的无机绝缘膜，以便覆盖开口的有机树脂膜。然后，在有机树脂膜的开口部分中，用腐蚀方法对栅绝缘膜和二个包含氮的无机绝缘膜层开口，以便暴露TFT的有源层。

公开(公告)号：CN1366341A

公开(公告)日：2002-08-28

申请号：CN02105264.6

申请日：2002-01-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浜田崇 ,  村上智史 ,  山崎舜平 ,  中村理 ,  梶尾诚之 ,  肥塚纯一 ,  高山彻

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3246 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明特征在于,在通过使用催化元素经过阻挡层获得的结晶半导体膜上,形成含稀有气体元素的半导体膜,并通过热处理将催化元素从结晶半导体膜迁移到含稀有气体元素的半导体膜。而且,在第一n－沟道TFT的半导体层中在栅极外形成的第一杂质区域和第二杂质区域。在第二n－沟道TFT的半导体层中形成的第三杂质区域设置成与栅极部分重叠。第三杂质区域设在栅极外。在p－沟道TFT的半导体层中形成的第四杂质区域设置成与栅极部分重叠。第五杂质区域设在栅极外。

公开(公告)号：CN106099090B

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201610609648.8

申请日：2011-03-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 栗城和贵 ,  森若圭惠 ,  村上智史

IPC: H01M4/38 ,  H01M4/36 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/42

Abstract: 目的是提供充放电循环特性优异的二次电池。提供一种二次电池，该二次电池具有包含硅或硅化合物的电极，其中该电极在金属材料的层上设置有包含硅或硅化合物的层；在该金属材料层与该包含硅或硅化合物的层之间设置有所述金属材料和所述硅的混合层；所述金属材料的氧亲和性比该二次电池中进行电荷授受的离子的氧亲和性高；并且，所述金属材料的氧化物不具有绝缘性。进行电荷授受的离子是碱金属离子或碱土金属离子。

公开(公告)号：CN106099090A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610609648.8

申请日：2011-03-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 栗城和贵 ,  森若圭惠 ,  村上智史

IPC: H01M4/38 ,  H01M4/36 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/42

CPC classification number: H01M4/134 ,  H01M4/0428 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/38 ,  H01M4/661 ,  H01M4/662 ,  H01M4/667 ,  Y10T29/49108 ,  Y10T29/49115 ,  H01M4/386 ,  H01M4/366 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/42

Abstract: 目的是提供充放电循环特性优异的二次电池。提供一种二次电池，该二次电池具有包含硅或硅化合物的电极，其中该电极在金属材料的层上设置有包含硅或硅化合物的层；在该金属材料层与该包含硅或硅化合物的层之间设置有所述金属材料和所述硅的混合层；所述金属材料的氧亲和性比该二次电池中进行电荷授受的离子的氧亲和性高；并且，所述金属材料的氧化物不具有绝缘性。进行电荷授受的离子是碱金属离子或碱土金属离子。

公开(公告)号：CN101673758A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910170467.X

申请日：2005-09-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上智史 ,  大谷久 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/32 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L51/5246 ,  H01L27/3225 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3276 ,  H01L27/3295 ,  H01L27/3297 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/525 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5323

Abstract: 本发明提供一种以高成品率、低成本制造高度可靠的显示器件的方法。根据本发明，在像素电极上形成间隔物，以当形成场致发光层时保护像素电极层不因掩模而损伤。此外，通过用密封材料将包含具有水渗透性的有机材料的层密封在显示器件中，并且使密封材料和含有有机材料的层不连接来防止由污染比如水分引起的发光元件的劣化。由于密封材料形成在显示器件中的驱动器电路区的一部分中，因此还可以实现显示器件的帧边框狭窄化。

公开(公告)号：CN100531495C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200510087905.8

申请日：2005-07-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  村上智史 ,  仓田求 ,  畑宏幸 ,  一条充弘 ,  大槻高志 ,  安西彩 ,  坂仓真之

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/08 ,  H05B33/14 ,  H05B33/10

CPC classification number: H04N5/655 ,  G06F3/02 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3276 ,  H01L33/60 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/56 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/5323 ,  H04N5/642

Abstract: 本发明提供一种以高产率、低成本制造高度可靠的显示器件的方法。根据本发明，由在接触中的开口引起的台阶被一绝缘层覆盖以降低台阶，并且将其处理成柔和的形状。布线等被形成为与绝缘层接触，因此布线等的覆盖增强。此外，由污染比如水引起的发光元件的劣化通过以密封材料密封在显示器件中包括具有水渗透性的有机材料的层来防止。由于密封材料形成在显示器件中的驱动器电路区的一部分中，因此可以使显示器件的帧边框变窄。

公开(公告)号：CN100459217C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN02158444.3

申请日：2002-11-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  村上智史 ,  坂仓真之 ,  高山彻

IPC: H01L51/52 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L27/3244 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/5008 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/566

Abstract: 本发明的目的是提高包含TFT和有机发光元件的发光设备的可靠性。根据本发明的发光设备具有薄膜晶体管和发光元件，包括：栅电极上的第二无机绝缘层，第二无机绝缘层上的第一有机绝缘层，第一有机绝缘层上的第三无机绝缘层，第三无机绝缘层上形成的阳极层，第二有机绝缘层和阳极层的末端重叠且具有35-45度的倾斜角，形成在第二有机绝缘层的上表面和侧表面上且在阳极层上有开口的第四无机绝缘层，与阳极层和第四无机绝缘层接触形成且包含发光材料的有机化合物层，和包含发光材料的有机化合物层接触形成的阴极层，其中，第三无机绝缘层和第四无机绝缘层用氮化硅或氮化铝形成。