公开(公告)号：CN115863782A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202310118098.X

申请日：2021-10-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 齐藤丞 ,  门马洋平 ,  福岛邦宏 ,  细海俊介 ,  种村和幸 ,  挂端哲弥 ,  山崎舜平 ,  大野敏和 ,  三上真弓 ,  高桥辰义 ,  岛田知弥

IPC: H01M10/058 ,  H01M10/0525 ,  H01M4/485

Abstract: 本发明涉及一种锂离子二次电池。提供一种二次电池，该二次电池为在提高充电深度时的dQ/dVvsV曲线中在4.55V附近具有较宽峰的正极活性物质的二次电池。或者，提供一种二次电池，该二次电池使用如下正极活性物质：在充电电压为4.6V以上且4.8V以下，充电深度为0.8以上且低于0.9的情况下也不成为H1‑3型结构，可以保持CoO2层的偏离被抑制的晶体结构。在dQ/dVvsV曲线中4.55V附近的峰较宽意味着在其附近的抽出锂所需的能量变化少且晶体结构的变化少。因此，可以得到CoO2层的偏离及体积的变化影响较少且即使充电深度较高也较稳定的正极活性物质。

公开(公告)号：CN115152006A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202180016355.8

申请日：2021-02-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  神保安弘 ,  惠木勇司 ,  挂端哲弥

IPC: H01L21/365 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种新颖的金属氧化物的沉积方法。本发明的一个方式包括如下步骤：将第一前驱物提供至腔室的第一工序；将第二前驱物提供至腔室的第二工序；将第三前驱物提供至腔室的第三工序；以及在第一工序后、第二工序后及第三工序后都将氧化剂引入腔室内的第四工序。第一至第三前驱物分别是不同种类的前驱物，在第一至第四工序中，将配置在腔室中的衬底加热至300度以上且第一至第三前驱物的分解温度以下的温度。

公开(公告)号：CN107180941A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710273113.2

申请日：2012-12-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 挂端哲弥 ,  田岛亮太 ,  小国哲平 ,  长多刚 ,  山崎舜平 ,  足立骏介 ,  广桥拓也

IPC: H01M4/04 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/36 ,  H01M4/62 ,  H01M4/66 ,  H01M4/70 ,  B82Y30/00 ,  H01M4/02 ,  H01M10/052

Abstract: 本发明的一个方式提供一种锂二次电池，在该锂二次电池中，充放电容量大，能够进行急速充放电，且充放电所导致的电池特性的劣化少。一种负极，该负极包括集电体及负极活性物质层，其中，集电体具有在实质上垂直的方向延伸的多个突起部及与多个突起部连接的基础部，突起部及基础部包括含有钛的共同材料，并且，基础部的顶面及突起部的至少侧面被负极活性物质层覆盖。另外，负极活性物质也可以被石墨烯覆盖。

公开(公告)号：CN103151492A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210556275.4

申请日：2012-12-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 挂端哲弥 ,  田岛亮太 ,  小国哲平 ,  长多刚 ,  山崎舜平 ,  足立骏介 ,  广桥拓也

IPC: H01M4/13 ,  H01M4/66 ,  H01M4/70 ,  H01M4/139 ,  H01M10/052

CPC classification number: H01M4/70 ,  B82Y30/00 ,  H01M4/045 ,  H01M4/0457 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  H01M4/62 ,  H01M4/625 ,  H01M4/661 ,  H01M4/662 ,  H01M10/052 ,  H01M2004/027

Abstract: 本发明的一个方式提供一种锂二次电池，在该锂二次电池中，充放电容量大，能够进行急速充放电，且充放电所导致的电池特性的劣化少。一种负极，该负极包括集电体及负极活性物质层，其中，集电体具有在实质上垂直的方向延伸的多个突起部及与多个突起部连接的基础部，突起部及基础部包括含有钛的共同材料，并且，基础部的顶面及突起部的至少侧面被负极活性物质层覆盖。另外，负极活性物质也可以被石墨烯覆盖。

公开(公告)号：CN112703598A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201980060662.9

申请日：2019-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  池田隆之 ,  挂端哲弥 ,  德丸亮

IPC: H01L27/144 ,  G02B5/22 ,  H01L21/02 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786 ,  H04N5/33

Abstract: 提供一种适合检测红外光的摄像装置。本发明是一种摄像装置，其中依次层叠第一层、第二层、第三层、第四层，第一层包括红外透射滤波器，第二层包含单晶硅，第三层包括器件形成层，第四层包括支撑衬底，第二层包括将单晶硅用作光吸收层的光电转换器件，第三层包括在沟道形成区域包含金属氧化物的晶体管，光电转换器件与晶体管电连接，光电转换器件接收透过红外透射滤波器的光。

公开(公告)号：CN102332471B

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201110320976.3

申请日：2007-05-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 挂端哲弥 ,  田中哲弘 ,  浅见良信

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7881

Abstract: 目的在于提供一种制造具有优良膜特性的绝缘膜的技术。具体来说，目的在于提供一种制造具有高耐受电压的致密绝缘膜的技术。此外，目的在于提供一种制造具有极少电子陷阱的绝缘膜的技术。在包含氧的气氛中、电子密度为1×1011cm-3或以上以及电子温度为1.5eV或以下的条件下，使含氧绝缘膜经过使用高频的等离子体处理。

公开(公告)号：CN101339899B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200810137910.9

申请日：2008-07-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  大沼英人 ,  挂端哲弥 ,  牧野贤一郎

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明的目的在于提供一种SOI衬底的制造方法，该SOI衬底具备即使在使用玻璃衬底等的耐热温度低的衬底时也可以承受实际工作的半导体层。另外，本发明的目的还在于提供使用这种SOI衬底的具有高性能的半导体装置。使用波长为365nm以上且700nm以下的光来对从半导体衬底分离且接合到具有绝缘表面的支撑衬底上的半导体层照射光，并且在将光波长及半导体层的折射率分别设定为λ(nm)及n，m是1以上的自然数(m＝1、2、3、4...)，并且满足0≤α≤10的情况下，照射光的半导体层的厚度d(nm)满足d＝λ/2n×m±α(nm)。可以对半导体层以半导体层的光吸收率大的最适合条件照射能够在半导体层中反射并共振而进行加热处理的光。

公开(公告)号：CN102332471A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110320976.3

申请日：2007-05-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 挂端哲弥 ,  田中哲弘 ,  浅见良信

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7881

Abstract: 目的在于提供一种制造具有优良膜特性的绝缘膜的技术。具体来说，目的在于提供一种制造具有高耐受电压的致密绝缘膜的技术。此外，目的在于提供一种制造具有极少电子陷阱的绝缘膜的技术。在包含氧的气氛中、电子密度为1×1011cm-3或以上以及电子温度为1.5eV或以下的条件下，使含氧绝缘膜经过使用高频的等离子体处理。

公开(公告)号：CN101454892B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200780019310.6

申请日：2007-05-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 挂端哲弥 ,  田中哲弘 ,  浅见良信

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明目的在于提供一种制造具有优良膜特性的绝缘膜的技术。具体来说，提供一种制造具有高耐受电压的致密绝缘膜的技术。此外，提供一种制造具有极少电子陷阱的绝缘膜的技术。在包含氧的气氛中、电子密度为1×1011cm-3或以上以及电子温度为1.5eV或以下的条件下，使含氧绝缘膜经过使用高频的等离子体处理。

公开(公告)号：CN101796613A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200880106523.7

申请日：2008-09-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  饭洼阳一 ,  山本孔明 ,  牧野贤一郎 ,  下村明久 ,  比嘉荣二 ,  沟井达也 ,  永野庸治 ,  井坂史人 ,  挂端哲弥 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明名称为半导体装置及电子设备。通过使用以低耐热性衬底为基底衬底的SOI衬底来提供高性能半导体装置。而且，以不进行化学抛光的方式提供高性能半导体装置。再者，提供一种使用该半导体装置的电子设备。包括绝缘衬底上的绝缘层、绝缘层上的接合层、以及接合层上的单晶半导体层，至于单晶半导体层，其上部表面的凹凸形状的算术平均粗糙度为大于或等于1nm且小于或等于7nm。或者，凹凸形状的均方根粗糙度可以为大于或等于1nm且小于或等于10nm。或者，凹凸形状的最大高度差可以为大于或等于5nm且小于或等于250nm。