公开(公告)号：CN1652351A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510054405.4

申请日：1994-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  菅原彰 ,  上原由起子 ,  张宏勇 ,  铃木敦则 ,  大沼英人 ,  山口直明 ,  须泽英臣 ,  鱼地秀贵 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/00 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31687 ,  H01L21/321 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66598 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括下列步骤：在衬底上形成包括硅的半导体膜，所述半导体膜至少包括成为高电阻率区的第一区和成为漏区的第二区，在所述半导体膜上形成栅绝缘膜；在所述半导体膜上形成栅电极，所述栅绝缘膜介于其间，其中所述半导体膜的所述第二区从所述栅绝缘膜露出；形成覆盖所述半导体膜、所述栅绝缘膜及所述栅电极的金属膜，其中所述金属膜与所述半导体膜的所述第二区接触；通过向所述第一区掺入杂质，以第一浓度产生一种导电类型，形成所述高电阻率区；通过向所述第二区掺入杂质，以高于所述第一浓度的第二浓度产生所述一种导电类型，形成一个漏区；其中在所述第一区上不形成所述金属硅化物层。

公开(公告)号：CN1196184C

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN99107111.5

申请日：1993-07-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78636 ,  H01L29/78675 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 薄膜半导体器件，例如TFT及其制造方法。TFT形成在绝缘衬底上。在该衬底上先形成基本上为非晶半导体涂层。再在该涂层上形成对激光辐射透明的保护涂层。用激光辐射照射该叠层，以改善半导体涂层的结晶度。然后，除去保护涂层使半导体涂层的表面露出。形成栅绝缘膜的涂层，随后形成栅电极。还涉及在绝缘衬底上制造半导体器件，例如TFT。形成主要由氮化铝组成的第1涂层后，再形成主要由氧化硅组成的第2涂层，其上可制作半导体器件。

公开(公告)号：CN1549316A

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN200410045674.X

申请日：1993-08-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/20 ,  H01L21/00 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/28158 ,  H01L21/3144 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种高产率制造高性能的可靠的半导体器件的低温方法，包括：以TEOS作为原材料，在氧、臭氧或氧化氮气氛中，在设于绝缘衬底上的半导体涂层上，通过化学汽相淀积形成氧化硅薄膜作为栅绝缘膜；并用脉冲激光束或强光辐照，以除去诸如碳或烃基团，从而消除氧化硅薄膜中的捕获中心。另一种方法包括将氮离子注入氧化硅薄膜中然后用红外光使薄膜退火，从而获得作为栅绝缘膜的氮氧化硅膜，此膜结构致密、介电常数高和耐压得到改善。

公开(公告)号：CN1154192C

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN98116321.1

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 一种制造薄膜晶体管的方法，该方法包括：使非晶硅膜结晶化；在其上形成栅绝缘膜和栅电极、以自对准方式注入杂质，粘附一含有加速硅膜结晶化的催化元素的被覆层，以及将所得结构在低于衬底变形温度的温度下退火，以激活已掺入的杂质。按另一方案，可用离子注入法或类似法将催化元素引入杂质区而掺入该结构。

公开(公告)号：CN1479137A

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN03133133.5

申请日：1992-08-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  间濑晃 ,  广木正明 ,  竹村保彦 ,  张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  根本英树

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/3205

Abstract: 一种用于如摄像机的电子器件的半导体显示器件，包括：一阻挡膜，在一个衬底上形成；一个薄膜晶体管，在所述阻挡膜上形成，所述薄膜晶体管包括：一个半导体层，具有源区和漏区，在该两区之间夹有沟道区，在所述沟道区和所述源区和漏区至少之一之间有至少一个轻掺杂区，一个栅极，毗邻所述沟道区，栅极与沟道区之间有一个栅绝缘膜；一个层间绝缘膜，在所述薄膜晶体管上形成；一个平面化膜，在所述层间绝缘膜上形成；和一个像素电极，在所述有机树脂膜上形成并电连接到所述薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN1414615A

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：CN01104515.9

申请日：1993-06-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇 ,  石原浩朗

IPC: H01L21/324

CPC classification number: G02B27/09 ,  C23C14/58 ,  C23C14/5813 ,  C23C16/56 ,  G02B27/0966 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1285

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，其特征在于，它包括下列步骤：在整个玻璃衬底上制备多个半导体岛；将所述半导体岛都掺以离子；将具有在一个方向上的细长截面的脉动准分子激光束对准所述玻璃衬底；沿垂直于所述脉动准分子激光束伸长方向的方向移动所述玻璃衬底，从而用所述脉动准分子激光束照射所述半导体岛。

公开(公告)号：CN1316767A

公开(公告)日：2001-10-10

申请号：CN00134483.8

申请日：1994-02-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  张宏勇 ,  山崎舜平 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种以较低结晶温度和较短时间周期制造半导体的工艺，其工序是：在衬底上形成绝缘物涂层；将所述绝缘物涂层暴露到等离子体中；在上述暴露工序之后，在所述绝缘物涂层上形成非晶硅膜；并且在400到650℃或更高温度中，但不得高于衬底玻璃转换温度，热处理所述硅膜。成晶核部位是这样被控制的，选择地将非晶硅膜暴露到等离子体中或选择性地施加一种物质，该物质含有起催化作用的元素。也披露了用同样方法制造薄膜晶体管的工艺。

公开(公告)号：CN1287387A

公开(公告)日：2001-03-14

申请号：CN00103638.6

申请日：1995-06-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 竹村保彦 ,  滨谷敏次 ,  小沼利光 ,  小山润 ,  河崎祐司 ,  张宏勇 ,  山崎舜平

IPC: H01L31/12 ,  H01L27/15 ,  G09F9/30 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/13624 ,  G02F2001/13685 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0852 ,  G09G2320/0214 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种减小有源矩阵显示器的截止电流的结构。在有源矩阵显示器中,多个TFT与每一个象素电极串联连接。在这些串联的TFT中,除了位于相对两端的TFT以外,至少要将一个TFT保持在导通状态。另外,至少要将一个电容器连接在串联连接的每个TFT的源极和漏极的结合部与交流接地点之间。于是,减小了在TFT截止期间从附加电容器释放的电荷量。

公开(公告)号：CN1057401C

公开(公告)日：2000-10-11

申请号：CN94116165.X

申请日：1994-07-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  大沼英人 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/004 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/06

Abstract: 将图形转移到经退火而结晶的硅膜上之后，经强射线短时间辐照使硅膜退火。具体地讲，在退火结晶工艺中，将促进结晶化的元素如镍掺入其内。用强射线辐照也使退火未结晶的区区结晶，形成致密的硅膜。在掺入促进结晶化的金属元素之后，在含卤化物的气氛中对退火而结晶的硅膜进行强射线辐照，完成光的短时间辐照。在卤化气氛中经强射线辐照或加热使硅膜表面氧化，在硅膜上形成氧化膜，然后腐蚀掉氧化膜。结果去掉硅膜中的镍。

公开(公告)号：CN1264180A

公开(公告)日：2000-08-23

申请号：CN00100944.3

申请日：1994-02-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  山崎舜平 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明提供的半导体器件包括,有绝缘表面的基片、以及半导体膜,它包括绝缘表面上形成的结晶硅,半导体膜中含有促进结晶的金属,其浓度不大于1原子%。该半导体器件的制法包括:在基片的一绝缘表面上形成含非晶态硅的半导体膜;选择地形成含一种金属的层,它与半导体膜的第一部分接触;对它们进行加热,使半导体膜由第一部分至第二部分结晶,金属则通过半导体膜扩散。将半导体膜的至少第一和第二部分隔离开。