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公开(公告)号：CN1899951B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200610128501.3
申请日：2006-06-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1255 , B81C1/00246 , B81C2203/0728 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/1277 , H01L27/13
Abstract: 一直以来在一个衬底上制造一种配置具有空间的微结构、用于控制该微结构的电路以及其他结构的半导体器件是困难的。本发明通过用这样的方式能够在半导体器件中提供微结构和用于控制该微结构的电路：在低温下形成和处理通过利用金属元件的激光结晶或热结晶获得的具有多晶硅的结构层。作为上述电子电路，有用于与天线进行无线通信的无线通信电路。
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公开(公告)号：CN102169850A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110034786.5
申请日：2007-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/77 , H01L21/822 , H01L21/84 , H01L27/06 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/6835 , H01L21/8221 , H01L21/84 , H01L23/4985 , H01L23/49855 , H01L23/5389 , H01L25/105 , H01L27/0688 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L2224/24145 , H01L2224/76155 , H01L2924/01019 , H01L2924/07811 , H01L2924/12032 , H01L2924/12044 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明名称为半导体集成电路及其制造方法、使用该电路的半导体装置。在半导体衬底中形成通孔的工序或对半导体衬底从背面进行抛光的工序需要非常长的时间，这成为产率降低的原因。另外，由于层叠有半导体衬底，所以被层叠而形成的半导体集成电路变厚，机械柔软性低。本发明的技术要点如下：在多个衬底上形成剥离层，并在剥离层上形成半导体元件及用来形成贯穿布线的开口部。然后，从衬底剥离具有半导体元件的层并层叠它们，并通过在开口部中形成具有导电性的层形成贯穿布线，以制造半导体集成电路。
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公开(公告)号：CN1911779B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200610153433.6
申请日：2006-05-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/78
CPC classification number: B81C1/00246 , B81C2203/0735 , H01L21/0237 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L21/02675 , H01L21/02691 , H01L27/1266 , H01L27/1277
Abstract: 微机器所包括的微结构和半导体元件通常在不同的步骤中形成。本发明的目的是提供一种微机器的制造方法，其中该微结构和半导体元件形成在一个绝缘衬底上。本发明的特征在于微机器包括包含多晶硅的可移动层和在该层的下面或上面的间隔，该可移动层使用金属通过热结晶或激光结晶。该多晶硅具有高强度并形成在绝缘表面之上，使得它用作微结构和用于形成半导体元件。因此，可形成其中在一个绝缘衬底上形成微结构和半导体元件的半导体器件。
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公开(公告)号：CN101872840A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010224583.8
申请日：2006-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0021 , H01L27/1214 , H01L27/1255 , H01L27/1266
Abstract: 本发明公开了一种制造有机晶体管的方法。该方法包括：在绝缘表面上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成第一层；蚀刻第一层以形成一对侧壁结构；在所述牺牲层和所述一对侧壁结构上形成第二层；通过蚀刻牺牲层在所述一对侧壁结构的里面形成空间；和在该空间中形成有机半导体层。微机械一般使用半导体衬底比如硅晶片形成。本发明的一个目的是通过将微细结构和用于控制微细结构的半导体元件在一个步骤中集成在一个绝缘表面上来进一步降低成本。一种微细结构具有这样的结构：其中形成为框架形状的第一层提供在绝缘表面上，空间形成在该框架的里面，形成第二层以与第一层交叉。这种微细结构和薄膜晶体管可以在一个步骤中集成在一个绝缘表面上。
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公开(公告)号：CN1872657A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610087708.0
申请日：2006-05-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: B81C1/00142
Abstract: 传统上形成微机械的微结构是用硅晶片作为主体形成的。考虑到这一点，本发明提供微结构制造方法，其中微结构是在绝缘衬底上形成的。本发明提供的微结构包括含多晶硅的层，该多晶硅是以金属元素用热晶化或激光晶化而晶化的，且该层包括在其上或其下的空间。这样的多晶硅可在绝缘表面上形成并具有高强度，因此，可以用作微结构。作为结果，提供了在绝缘衬底上形成的微结构或提供有微结构的微机械。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101033057B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200710086232.3
申请日：2007-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , B81B3/001 , B81C2201/115 , H01L27/1214
Abstract: 本发明提供一种微结构、半导体器件、以及微结构的制造方法。所述微结构包括：第一结构层；以及夹着空隙与所述第一结构层相对，且其一部分固定于第一结构层上的第二结构层。第一结构层及第二结构层中的至少一个可以改变位置。另外，第一结构层及第二结构层的相对的表面都以互不相同的粗糙度表面粗糙化。
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公开(公告)号：CN1962409B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200610146343.4
申请日：2006-11-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00476
Abstract: 本发明的目的是减少为了形成微结构的空间而提供的牺牲层所使用的光掩模的数目，并且降低制造成本。通过由同一光掩模构图的抗蚀剂掩模来形成牺牲层。在用抗蚀剂掩模进行蚀刻以形成第一牺牲层之后，通过使用由同一光掩模形成图案的抗蚀剂掩模进行蚀刻以形成第二牺牲层。通过在蚀刻一方的牺牲层之前使抗蚀剂掩模的外形尺寸扩大或缩小而改变其形状，可以形成大小不同的牺牲层。
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公开(公告)号：CN101064287B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200710100943.1
申请日：2007-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/98 , H01L21/60 , H01L21/82 , H01L21/768 , H01L25/00 , H01L25/065 , H01L27/00 , H01L27/02
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/6835 , H01L21/8221 , H01L21/84 , H01L23/4985 , H01L23/49855 , H01L23/5389 , H01L25/105 , H01L27/0688 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L2224/24145 , H01L2224/76155 , H01L2924/01019 , H01L2924/07811 , H01L2924/12032 , H01L2924/12044 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体衬底中形成通孔的工序或对半导体衬底从背面进行抛光的工序需要非常长的时间，这成为产率降低的原因。另外，由于层叠有半导体衬底，所以被层叠而形成的半导体集成电路变厚，机械柔软性低。本发明的技术要点如下：在多个衬底上形成剥离层，并在剥离层上形成半导体元件及用来形成贯穿布线的开口部。然后，从衬底剥离具有半导体元件的层并层叠它们，并通过在开口部中形成具有导电性的层形成贯穿布线，以制造半导体集成电路。
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公开(公告)号：CN101405215A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780009662.3
申请日：2007-05-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/762 , B32B38/10 , B81C3/008 , B81C2201/019 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明提供一种微结构、微机械、以及微结构和微机械的制造方法。制造微结构和微机械而无需牺牲层蚀刻。分离层102被形成于衬底101上方，并且作为可移动电极的层103被形成于分离层102上方。在分离层102的界面处，作为可移动电极的层103被从衬底分离开。作为固定电极的层106被形成于另一衬底105上方。作为可移动电极的层103隔着部分地设置的间隔层103被固定到衬底105上，使得作为可移动电极的层103与作为固定电极的层106彼此相对置。
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公开(公告)号：CN101108720A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710137047.2
申请日：2007-07-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L29/84 , B81B2201/034 , B81C1/00246 , B81C2203/0742
Abstract: 本发明的目的在于：通过相同的工序，将微机电装置包括的微结构和电路制造在相同的绝缘表面上。本发明的微机电装置集成有在具有绝缘表面的衬底上包括晶体管的电路和微结构。微结构包括具有与晶体管的栅绝缘层以及在栅绝缘层上设计的半导体层的叠层体相同的叠层结构的结构层。就是说，结构层包括由与栅绝缘层相同的绝缘膜形成的层，并且还包括与晶体管的半导体层相同的半导体膜形成的层。进而，微结构通过将用于晶体管的栅电极、源电极、漏电极的导电层用作牺牲层来制造。
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