公开(公告)号：CN102197490B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200980142763.7

申请日：2009-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  长多刚 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/47635 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648

Abstract: 由于显示器具有更高的清晰度，像素、栅极线和信号线的数目增加。当栅极线和信号线的数目增加时，出现更高制造成本的问题，因为难以通过接合或类似方式安装包括用于驱动该栅极和信号线的驱动电路的IC芯片。像素部分和用于驱动该像素部分的驱动电路提供在相同衬底之上，并且该驱动电路的至少一部分包括使用氧化物半导体的薄膜晶体管，该氧化物半导体插入提供在氧化物半导体上面和下面的栅电极之间。因此，当像素部分和驱动器部分提供在相同衬底之上时，制造成本可以降低。

公开(公告)号：CN102165600B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN200980138104.6

申请日：2009-09-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  广桥拓也 ,  下村明久

IPC: H01L31/04

Abstract: 一种光电转换器件包括位于第一电极与第二电极之间的一个或多个单元元件，其中半导体结通过按顺序堆叠以下层来形成：一种导电性类型的第一杂质半导体层；包含NH基或NH2基的本征非单晶半导体层；以及导电性类型与第一杂质半导体层相反的第二杂质半导体层。在光入射侧上的单元元件的非单晶半导体层中，通过二次离子质谱法测得的氮浓度为5×1018/cm3或更高以及5×1020/cm3或更低，且通过二次离子质谱法测得的氧和碳的浓度低于5×1018/cm3。

公开(公告)号：CN102007586B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN200980113810.5

申请日：2009-04-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  大力浩二 ,  惠木勇司 ,  神保安弘 ,  伊佐敏行

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1288 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4404 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 所公开的是一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管在具有绝缘表面的衬底上包括：覆盖栅电极的栅极绝缘层；起沟道形成区域作用的半导体层；以及包含赋予一导电类型的杂质元素的半导体层。该半导体层以多个晶粒分散在非晶硅中且晶粒具有倒锥形或倒金字塔形的状态存在。晶粒沿半导体层沉积的方向大致放射状生长。倒锥形或倒金字塔形的晶粒的顶点远离栅极绝缘层与半导体层之间的界面。

公开(公告)号：CN102544109A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210024542.3

申请日：2009-07-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫入秀和 ,  秋元健吾 ,  白石康次郎

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/46 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的在于提供具有电特性及可靠性高的薄膜晶体管的半导体装置及量产性高地制造该半导体装置的方法。本发明的要旨在于：包括作为半导体层使用含有铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物半导体膜，并且在半导体层与源电极层和漏电极层之间设置有由金属氧化物层构成的缓冲层的反交错型(底栅结构)的薄膜晶体管。通过在源电极层和漏电极层与半导体层之间意图性地设置金属氧化物层作为缓冲层来形成欧姆接触。

公开(公告)号：CN102456552A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110308492.7

申请日：2011-10-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 小松立 ,  神保安弘 ,  宫入秀和 ,  山元良高

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28008 ,  H01L29/04 ,  H01L29/6675

Abstract: 本发明的目的是提供保持高膜密度的同时提高结晶性的微晶硅膜的制造方法。本发明的微晶硅膜的制造方法包括如下步骤：在第一条件下在绝缘膜上形成具有混合相微粒的微晶硅膜，在其上，在第二条件下形成第二微晶硅膜。第一条件和第二条件是如下条件：将包含硅的沉积气体和包含氢的气体用作第一原料气体和第二原料气体。作为第一条件的第一原料气体的供给，交替进行第一气体的供给以及第二气体的供给。

公开(公告)号：CN101350331B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200810131636.4

申请日：2008-07-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  神保安弘 ,  根井孝征

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明的目的在于提供一种高生产率地制造具有电特性优良且可靠性高的薄膜晶体管的显示装置的方法。本发明的技术要点如下：在栅电极上形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成微晶半导体膜，并从微晶半导体膜的表面照射激光束，以改善微晶半导体膜的结晶性。然后，通过使用改善了结晶性的微晶半导体膜，形成薄膜晶体管。另外，制造具有该薄膜晶体管的显示装置。

公开(公告)号：CN102349159A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201080011849.9

申请日：2010-02-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  渡部刚吉 ,  岛津贵志

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78669 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/52

Abstract: 一种薄膜晶体管，包括：覆盖栅电极的栅绝缘层、与该栅绝缘层接触的半导体层、以及与半导体层的一部分接触且形成源极区和漏极区的杂质半导体层。该半导体层包括在栅绝缘层上形成的微晶半导体层，以及与该微晶半导体层接触的含氮微晶半导体区。可高生产率地制造截止电流小且导通电流大的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN102165600A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200980138104.6

申请日：2009-09-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  广桥拓也 ,  下村明久

IPC: H01L31/04

Abstract: 一种光电转换器件包括位于第一电极与第二电极之间的一个或多个单元电池，其中半导体结通过按顺序堆叠以下层来形成：一种导电性类型的第一杂质半导体层；包含NH基或NH2基的本征非单晶半导体层；以及导电性类型与第一杂质半导体层相反的第二杂质半导体层。在光入射侧上的单元电池的非单晶半导体层中，通过二次离子质谱法测得的氮浓度为5×1018/cm3或更高以及5×1020/cm3或更低，且通过二次离子质谱法测得的氧和碳的浓度低于5×1018/cm3。

公开(公告)号：CN101937932A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010219834.3

申请日：2010-06-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中岛都 ,  宫入秀和 ,  伊佐敏行 ,  加藤绘里香 ,  一条充弘 ,  栗城和贵 ,  横井智和

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的在于提供一种截止电流低且导通电流和场效应迁移率高的薄膜晶体管。本发明的技术要点在于：在反交错型的薄膜晶体管中，层叠形成氮化硅层和使该氮化硅层氧化而成的氧化硅层作为栅极绝缘层，并且形成从与该栅极绝缘层的氧化硅层的界面正上进行结晶生长而成的微晶半导体层。因为从栅极绝缘层正上进行结晶生长，所以可以得到结晶性高且导通电流和场效应迁移率高的薄膜晶体管。另外，通过设置缓冲层，降低截止电流。

公开(公告)号：CN101884112A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200880118999.2

申请日：2008-11-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  小森茂树 ,  伊佐敏行 ,  小松立

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78609

Abstract: 本发明提供了一种使用少数量掩模的薄膜晶体管和显示器件的制造方法。将第一导电膜、绝缘膜、半导体膜、杂质半导体膜、和第二导电膜堆叠。然后，使用多色调掩模在其上面形成具有凹陷部分的抗蚀剂掩模。执行第一蚀刻以形成薄膜堆叠体，并执行其中对薄膜堆叠体进行侧蚀刻的第二蚀刻以形成栅极电极层。使抗蚀剂凹入，然后形成源极电极、漏极电极等；由此，制造薄膜晶体管。