公开(公告)号：CN102569534A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110439853.1

申请日：2011-12-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小田雄仁 ,  广濑贵史 ,  田中幸一郎 ,  加藤翔 ,  肥塚绘美

IPC: H01L31/20 ,  B41M1/12 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/075

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: 提供了一种微小电极、包括该微小电极的光电转换器件及其制造方法。在基板中形成有多个平行沟槽部分以及夹在这些沟槽部分之间的区域，并且导电树脂被提供给这些沟槽部分和该区域并且固定，由此用导电树脂来填充这些沟槽部分，并且用导电树脂来覆盖该区域。所提供的导电树脂没有向外扩展，并且可以形成具有设计宽度的电极。在夹在这些沟槽部分之间的区域上形成该电极的一部分，由此短轴方向上的横截面的面积可以是很大的，并且可以获得长轴方向上的低电阻。

公开(公告)号：CN101877368A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN201010174828.0

申请日：2010-04-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  井坂史人 ,  加藤翔

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/02 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1892 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种新的光电转换装置及其制造方法。在具有透光性的基础衬底上形成具有透光性的绝缘层、中间夹着绝缘层而固定的单晶半导体层。在单晶半导体层的表层中或表面上以带状的方式设置多个具有一种导电型的第一杂质半导体层，并且以带状的方式设置多个具有与所述一种导电型相反的导电型的第二杂质半导体层，所述第二杂质半导体层与所述第一杂质半导体层彼此不重叠地交替。设置与第一杂质半导体层接触的第一电极和与第二杂质半导体层接触的第二电极，由此实现背接触型元件，得到基础衬底一侧为受光面的光电转换装置。

公开(公告)号：CN101599464A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200910141555.7

申请日：2009-06-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 加藤翔 ,  鸟海聪志 ,  井坂史人 ,  大沼英人

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/268 ,  H01L21/78 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L21/76251

Abstract: 本发明的目的之一在于制造适合批量生产的半导体衬底、以及使用该半导体衬底的半导体装置。在所公开的发明的一种方式中，在支撑衬底上形成至少具有绝缘层、第一电极、第一杂质半导体层的叠层体；在第一杂质半导体层上形成添加有赋予一种导电类型的杂质元素的第一半导体层；在第一半导体层上利用与第一半导体层不同的条件形成添加有赋予一种导电类型的杂质元素的第二半导体层；通过固相生长法，提高第一半导体层及第二半导体层的结晶性，形成第二杂质半导体层；对第二杂质半导体层添加赋予一种导电类型的杂质元素，并添加赋予与一种导电类型不同的导电类型的杂质元素，并且隔着栅绝缘层形成栅电极层，形成源电极层或漏电极层。