公开(公告)号：CN100447975C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200480006010.0

申请日：2004-03-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/304 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67173

Abstract: 本发明的目的在于完全除去由于清洗而附着在衬底上的水分，并将该衬底在除去水分的状态下输送至成膜装置中。本发明是一种衬底处理系统(1)，其包括：清洗装置(3)，使用清洗液清洗衬底；水分去除装置(4)，除去在所述清洗装置(3)中清洗的衬底上附着的水分；以及输送部(7)，用于将在所述水分去除装置(4)中除去水分的衬底经过干燥气氛内输送至衬底的其他处理装置中。

公开(公告)号：CN101942648A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN201010226730.5

申请日：2004-08-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平 ,  大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  杉本达也 ,  山田俊郎 ,  田中公章

IPC: C23C16/32

CPC classification number: H01L21/3127 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3146

Abstract: 本发明涉及一种等离子CVD法用气体，包括不饱和碳氟化合物，并且含有作为杂质的不超过1×10-3原子％且多于0原子％的氢原子。

公开(公告)号：CN101263589B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200580051562.8

申请日：2005-09-13

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/02 ,  H01L29/78 ,  B65G49/00 ,  B65G49/07 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/3003 ,  B65G2201/0247 ,  H01L21/31 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明通过在含有氢气的惰性气体气氛中保持晶片，抑制晶片表面的氢末端性在输送途中(20)等中变差。

公开(公告)号：CN101263589A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200580051562.8

申请日：2005-09-13

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/02 ,  H01L29/78 ,  B65G49/00 ,  B65G49/07 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/3003 ,  B65G2201/0247 ,  H01L21/31 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明通过在含有氢气的惰性气体气氛中保持晶片，抑制晶片表面的氢末端性在输送途中(20)等中变差。

公开(公告)号：CN1774797A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200480010336.0

申请日：2004-04-13

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/049

Abstract: 有关本发明的半导体装置，作为基板采用SiC，同时通过等离子处理形成绝缘膜。此时，在绝缘膜中含有稀有气体。优选作为稀有气体，包括氪(Kr)、氩(Ar)、氙(Xe)中的至少一种。特别优选氧气与氪(Kr)的组合。

公开(公告)号：CN100487620C

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200480029178.3

申请日：2004-09-14

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  宇野富雄 ,  土肥亮介 ,  西野功二 ,  中村修 ,  松本笃咨 ,  永濑正明 ,  池田信一

IPC: G05D7/06

CPC classification number: G05D16/208 ,  Y10T137/7761 ,  Y10T137/8741 ,  Y10T137/87507

Abstract: 本发明提供一种腔室内压控制装置，通过防止流量的控制精度在小流量范围大幅下降，并在整个流量控制范围可以进行高精度的流量控制，来调节向腔室供给的气体流量并在较大压力范围高精度控制腔室内压。具体来说，向腔室供给气体的装置，由并列状连接的多台压力式流量控制装置，和控制多台压力式流量控制装置的动作的控制装置形成，一边控制流量一边向由真空泵排气的腔室供给所希望的气体，其中，把一台压力式流量控制装置作为控制向腔室供给的最大流量的至多10%的气体流量范围的装置，把其余的压力式流量控制装置作为控制其余的气体流量范围的装置，进而在腔室上设置压力检测器并且向控制装置输入该压力检测器的检测值，调节向压力式流量控制装置的控制信号来控制向腔室的气体供给量，由此来控制腔室内压。

公开(公告)号：CN101027941A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200480044055.7

申请日：2004-09-24

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  森本明大

IPC: H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H05B33/28

CPC classification number: H05B33/28 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/529 ,  H01L2251/5361 ,  H05B33/04

Abstract: 一种有机EL发光元件，其具有：导电性透明电极(3)、与该导电性透明电极(3)对置的对置电极(8)、在所述导电性透明电极(3)和所述对置电极(8)之间设置的有机EL发光层(6)、至少覆盖所述有机EL发光层(6)而设置的绝缘保护层(9)、与该绝缘保护层(9)相接而设置的散热层(11)，所述导电性透明电极至少在所述有机EL发光层(6)侧的表面部分具有ITO膜，该ITO膜包含Hf、V及Zr中至少一种，而且，所述绝缘保护层(9)包含厚度100nm以下的氮化膜。

公开(公告)号：CN1868044A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200480030545.1

申请日：2004-08-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平 ,  大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  杉本达也 ,  山田俊郎 ,  田中公章

IPC: H01L21/314

Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。

公开(公告)号：CN1748287A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200480003583.8

申请日：2004-01-29

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  山中秀记 ,  出水清史 ,  寺本章伸 ,  须川成利

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28167 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02027 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045

Abstract: 本发明是用来制造{110}面的载流子移动度，特别是作为n型FET的载流子的电子的移动度显示出高的值的半导体集成电路元件用的半导体基板，不使用特别的洗净而是使用以往的RCA洗净、或不进行自由基氧化而以原子级使表面平坦化，而提供一减低表面粗糙度的硅半导体基板及其制造方法。本发明是以{110}面或以{110}面倾斜后的面作为主面的硅半导体基板，在其表面具有平均地沿着 方向的原子级的阶梯。

公开(公告)号：CN101567388B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200910141533.0

申请日：2004-05-24

Applicant: 大见忠弘 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一 ,  渡边高训

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H03K17/687

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

Abstract: 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P-沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极-至-源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。