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公开(公告)号：CN109524451A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201810163425.2
申请日：2018-02-27
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明的实施方式提供栅极区域中的接触电阻低的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备第一导电型的漏极层、第一导电型的漂移层、第二导电型的基底区域、第一导电型的源极区域、场板电极、栅极区域和第三绝缘膜。漂移层被形成在漏极层的上表面。基底区域被形成在漂移层的上表面。场板电极在从源极区域的上表面贯通基底区域而到达漂移层的沟槽内沿着沟槽隔着第一绝缘膜而形成。栅极区域在沟槽内隔着第二绝缘膜形成，并且，形成为在沿着沟槽的方向上在上表面具有凹部的U形，在U形的双方的端部各自的上表面上，凹部侧即内侧的端部的位置比第二绝缘膜侧即外侧的端部的位置更高。第三绝缘膜在源极区域及栅极区域的上表面及凹部内形成。
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公开(公告)号：CN116779667A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202210811216.0
申请日：2022-07-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/778
Abstract: 实施方式提供具有电流感测功能的氮化物半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，被设于第一氮化物半导体层上；漏极电极，具有多个漏极指部；源极电极，具有多个源极指部和与源极指部电连接的开尔文源极部；感测电极，位于漏极指部与开尔文源极部之间；以及栅极电极，位于漏极指部与源极指部之间和漏极指部与感测电极之间。感测电极与开尔文源极部经由基于第二方向上的感测电极与开尔文源极部的间隔的感测电阻而电连接。
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公开(公告)号：CN111697074A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910728972.5
申请日：2019-08-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置具有第一电极、第一导电形的第一半导体区域、第二导电形的多个第二半导体区域、第一导电形的多个第三半导体区域、第一导电部、栅极电极、第二绝缘部和第二电极。第一导电部隔着第一绝缘部而设置在第一半导体区域中。栅极电极具有第一电极部分及第二电极部分。第二绝缘部在第一方向上设置在第一电极部分和第二电极部分之间。第二绝缘部包含第一绝缘部分和第二绝缘部分。第一绝缘部分越向第二方向则第一方向上的长度越短。第二绝缘部分位于第一绝缘部分之上，包含朝向第二方向而第一方向上的长度变长或一定的部分。第一绝缘部分的第二方向上的长度与第二绝缘部分的第二方向上的长度相比更长。
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公开(公告)号：CN114188411B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202110023207.0
申请日：2021-01-08
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H10D30/47 , H10D84/82 , H01L23/528
Abstract: 提供输出电容小的半导体装置，从下到上具备：基板；第一氮化物半导体层；带隙更大的第二氮化物半导体层；第一源极电极；第二源极电极，还具备：设于第一源极电极与第二源极电极间的第二氮化物半导体层之上的第一栅极电极；设于第二源极电极与第一栅极电极间的第二氮化物半导体层之上的第二栅极电极；漏极电极，设于第一栅极电极与第二栅极电极间的第二氮化物半导体层之上，具有第一布线、设于第二栅极电极与第一布线间的第二布线、设于第一布线与第二布线间的下方的第二氮化物半导体层的元件分离区域、和设于第一布线、第二布线以及元件分离区域之上并与第一布线以及第二布线电连接的第四布线；以及设于元件分离区域与第四布线间的绝缘膜。
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公开(公告)号：CN118693143A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310717029.0
申请日：2023-06-16
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/417 , H01L21/335
Abstract: 实施方式涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置具备氮化物半导体层、源极电极、漏极电极、栅极电极、绝缘膜、以及位于栅极电极与漏极电极之间且与氮化物半导体层接触且与漏极电极电连接的导体层。漏极电极具有与氮化物半导体层接触的第一部分、和与第一部分相比位于导体层侧的第二部分。绝缘膜具有位于导体层与漏极电极之间的一部分。第二部分设置在绝缘膜的一部分上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118100098A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410225970.5
申请日：2021-01-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 一种能应用于多种使用方案的半导体装置。半导体装置具备：半导体封装，半导体封装具有具备第一电极、第二电极和第一控制电极的n型沟道常断晶体管、具有电连接于第二电极的第三电极、第四电极和第二控制电极的常通晶体管、具有电连接于第二控制电极的第一阳极和电连接于第三电极的第一阴极的第一二极管及具有电连接于第一电极的第二阳极和电连接于第二电极的第二阴极的齐纳二极管；第一端子，设于半导体封装，电连接于第一电极；多个第二端子，电连接于第一电极，排列于第一方向上；第三端子，电连接于第四电极；多个第四端子，电连接于第一控制电极，排列于第一方向上；以及多个第五端子，电连接于第二控制电极，排列于第一方向上。
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公开(公告)号：CN114242712A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202110878854.X
申请日：2021-08-02
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L29/778 , H01L29/78
Abstract: 实施方式的半导体装置具备：第一氮化物半导体层，具有第一面和第二面；第一源极电极，设置于第一面；第一漏极电极，设置于第一面；第一栅极电极，设置于第一源极电极与第一漏极电极之间的第一面；第二氮化物半导体层，设置于第二面，具有第三面和第四面，与第一氮化物半导体层相比带隙小，该第三面与第二面对置；以及第一半导体器件，设置于第四面，具有为第四面以下的大小且与第四面对置的第五面，包含与第二氮化物半导体层相比带隙的第一半导体材料。
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公开(公告)号：CN109524451B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201810163425.2
申请日：2018-02-27
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明的实施方式提供栅极区域中的接触电阻低的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备第一导电型的漏极层、第一导电型的漂移层、第二导电型的基底区域、第一导电型的源极区域、场板电极、栅极区域和第三绝缘膜。漂移层被形成在漏极层的上表面。基底区域被形成在漂移层的上表面。场板电极在从源极区域的上表面贯通基底区域而到达漂移层的沟槽内沿着沟槽隔着第一绝缘膜而形成。栅极区域在沟槽内隔着第二绝缘膜形成，并且，形成为在沿着沟槽的方向上在上表面具有凹部的U形，在U形的双方的端部各自的上表面上，凹部侧即内侧的端部的位置比第二绝缘膜侧即外侧的端部的位置更高。第三绝缘膜在源极区域及栅极区域的上表面及凹部内形成。
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公开(公告)号：CN103325828B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201210315907.8
申请日：2012-08-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/0727 , H01L21/8252 , H01L27/0207 , H01L27/0605 , H01L27/0629 , H01L29/0619 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/41758 , H01L29/7786 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H02M3/155 , H02M3/33569 , H02M2001/007 , H01L2924/00
Abstract: 根据1个实施方式，氮化物半导体元件具备：导电性基板；第1氮化物半导体层，直接或经由缓冲层设在导电性基板之上，由无掺杂的氮化物半导体构成；第2氮化物半导体层，设在第1氮化物半导体层之上，由具有比第1氮化物半导体层大的带隙的无掺杂或n型的氮化物半导体构成；异质结场效应晶体管，具有源电极、漏电极及栅电极；肖特基势垒二极管，具有阳电极及阴电极；第1及第2元件分离绝缘层；框架电极。该框架电极与源电极及导电性基板电连接，将异质结场效应晶体管及肖特基势垒二极管的外周包围。
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公开(公告)号：CN102694019B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201110255497.8
申请日：2011-08-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L23/3171 , H01L29/0661 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/41758 , H01L29/4236 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供氮化物半导体器件及其制造方法。氮化物半导体器件具备第1半导体层、第2半导体层、第1电极、第2电极、第3电极、第1绝缘膜和第2绝缘膜。第2半导体层设置在第1半导体层之上。第2半导体层包含具有比第1半导体层的禁带宽度还宽的禁带宽度的氮化物半导体。第2半导体层具有孔部。第1电极设置在孔部内。第2电极设置在第2半导体层之上。第3电极在第2半导体层之上，在第2电极之间夹着第1电极地设置，与第2半导体层电连接。第1绝缘膜是含有氧的膜。第1绝缘膜设置在第1电极和孔部的内壁之间及第1电极和第2电极之间，与第3电极分离设置。第2绝缘膜是含有氮的膜。第2绝缘膜在第1电极和第3电极之间与第2半导体层相接地设置。
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