公开(公告)号：CN106103801B

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201480076969.5

申请日：2014-09-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大野博司 ,  寺田贵洋 ,  田中正幸

IPC: C23C26/00 ,  B29C64/135 ,  B33Y30/00

Abstract: 提供能够提高功能部的布局的自由度的光照射装置及层压造型装置。实施方式的光照射装置是层压造形装置用的。上述光照射装置具备聚光部及功能部。上述聚光部将多个第一光束聚光。上述功能部的至少一部分位于上述多个第一光束之间或者被上述多个第一光束包围的位置。上述聚光部是第三透镜。上述功能部的一部分位于上述多个第一光束的位于上述第三透镜的中心侧的位置。

公开(公告)号：CN106029263B

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201480076272.8

申请日：2014-09-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大野博司 ,  中野秀士 ,  寺田贵洋 ,  田中正幸

IPC: B22F3/105

Abstract: 本发明的实施方式涉及层叠造型装置用的喷嘴及层叠造型装置。例如能得到关于粉体的供给、粉体及烟气的排出(回收)等能够改善的新的结构。实施方式的层叠造型装置用的喷嘴具备射出部、材料供给部和排气部。从射出部，射出能量线。在材料供给部，设有供给材料的粉体的材料供给口。在排气部设有将气体排出的排气口。材料供给口和排气口隔开间隔对置，能量线的光路位于材料供给口与排气口之间；射出部朝向从材料供给口朝向排气口的、包含材料的流而射出能量线。

公开(公告)号：CN106103801A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201480076969.5

申请日：2014-09-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大野博司 ,  寺田贵洋 ,  田中正幸

IPC: C23C26/00 ,  B29C67/00

CPC classification number: G02B19/0028 ,  B22F3/1055 ,  B22F2003/1056 ,  B29C64/153 ,  B29C64/20 ,  B29C64/209 ,  B29C64/255 ,  B29C64/264 ,  B29C64/268 ,  B29C64/321 ,  B29C64/393 ,  B29K2105/251 ,  B33Y30/00 ,  B33Y50/02 ,  C23C24/10 ,  G02B19/0047 ,  Y02P10/295

Abstract: 实施方式的光照射装置是层压造形装置用的。光照射装置具备聚光部及功能部。聚光部将多个第一光束聚光。功能部的至少一部分位于多个第一光束之间或者被多个第一光束包围的位置。

公开(公告)号：CN101079449A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200710104835.1

申请日：2007-05-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田中正幸 ,  石田浩一

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11521

Abstract: 本发明的一种方式的半导体器件，具备：半导体基板；在上述半导体基板上形成的第1绝缘层；在上述第1绝缘层上形成、成为浮栅的第1导电层；在上述第1导电层上形成、成为电极间绝缘膜的第2绝缘层，其由以硅和氧为主要成分的第1膜、以硅和氮为主要成分的第2膜和以硅和氧为主要成分的第3膜这3层构成，且上述第2膜的上述硅与氮的组分比相对于化学量论组成是硅过剩的；以及在上述第2绝缘层上形成、成为控制栅的第2导电层。

公开(公告)号：CN100334734C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN02132217.1

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 野口充宏 ,  合田晃 ,  齋田繁彦 ,  田中正幸

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  G11C11/34 ,  G11C17/00

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明具有包含第1绝缘层，电荷积蓄层和第2绝缘层三层的栅极绝缘膜，和在这个栅极绝缘膜上形成的栅极，包含可以电写入/擦除信息的存储单元，电荷积蓄层由硅氮化膜或硅氧氮化膜构成，第1绝缘层和第2绝缘层分别由硅氧化膜或有比上述电荷积蓄层多的氧组成的硅氧化膜构成，第2绝缘层的厚度比5(nm)大，栅极由包含p型杂质的p型半导体构成。

公开(公告)号：CN1288277C

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN02129077.6

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 胜井修二 ,  田中正幸 ,  上村昌己 ,  赤堀浩史 ,  水岛一郎 ,  中尾隆 ,  山本明人 ,  齐田繁彦 ,  纲岛祥隆 ,  见方裕一

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/306

CPC classification number: H04L12/66 ,  Y10S438/905

Abstract: 本发明提供一种干洗系统，包括：自动判定装置，根据包括半导体制造设备的累积膜种类信息、累积膜厚信息、批的到达预料时期信息、批的成膜预定膜厚信息、批的紧急度信息、批的后工序设备信息和附带设备动作信息的信息，按照由计算机决定的算法，对于对半导体晶片进行处理的设备、对处理预定的批最佳的设备、实施干洗的设备和维修附带设备的设备自动地进行判定；决定装置，以上述自动判定装置的自动判定为基础，对上述各个设备，进行对半导体晶片的处理的时期、对预定的批进行处理的时期、实施干洗的时期、维修附带设备的时期的决定；输出装置，按照上述决定装置对上述各个时期的决定，输出上述各个设备的下次的处理内容。

公开(公告)号：CN1269223C

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200310100341.8

申请日：2003-10-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田中正幸

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/085 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76828 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件具有含有不使金属硅化物构成的导电层劣化的硅氮化膜的绝缘膜。在硅化镍等金属硅化物的导电层9上均匀形成有以含碳的硅氮化膜为主成分的绝缘膜10。含碳的硅氮化膜通过氮化源和硅源的反应而成膜。作为硅源使用的六甲基乙硅烷具有甲基，所以在通过反应而形成的硅氮化膜中含有碳和氢。因此，如果含有甲基则膜本体变得稀疏，从而比介电常数下降，抑制了被称为RC延迟的晶体管的速度下降。通过使用含碳的硅氮化膜，在工序中金属硅化物的导电层不劣化。作为硅源，举出具有氨基、在自由基中具有碳化物的氨基等的物质。

公开(公告)号：CN1463045A

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN03138135.9

申请日：2003-05-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田中正幸 ,  小泽良夫 ,  斋田繁彦 ,  合田晃 ,  野口充宏 ,  三谷祐一郎 ,  纲岛祥隆

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/105 ,  H01L21/31 ,  H01L21/283 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/022 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/792

Abstract: 采用改善硅氮化膜的构成或形成方法的办法，提供特性等优良的半导体器件。该半导体器件具备：半导体衬底101；栅极电极104、105、106；在半导体衬底和栅极电极间形成的第1绝缘膜103；包括沿着栅极电极的上表面或侧面形成的包括氮、硅和氢的下层一侧硅氮化膜107，和在下层一侧硅氮化膜上边形成的含有氮、硅和氢的上层一侧硅氮化膜108的第2绝缘膜，其特征在于：上述下层一侧的硅氮化膜中的氮(N)和硅(Si)之间的组成比N/Si，比在上述上层一侧的硅氮化膜中的氮(N)和硅(Si)之间的组成比N/Si更高。

公开(公告)号：CN1403626A

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：CN02141417.3

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田中正幸 ,  中尾隆 ,  牛久幸広

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4412

Abstract: 本发明提供一种可以延长寿命、提高生产效率的真空排气系统。包括：具有多个监视区域的排气泵系统2；分别设在监视区域上的分别独立地检测监视区域中的排气泵系统2的状态的传感器101、102、103、……、104；分别设在监视区域中加热器201、202、203、……、204；分别接收来自传感器101、102、103、……、104的数据信号D1、D2、D3、……、Dm，比较该数据信号与阈值，当来自特定的传感器的数据信号超过了阈值时，只向配置了特定的传感器的监视区域的加热器选择性地供给加热用电力的监视·控制装置1。

公开(公告)号：CN107430986A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201580077808.2

申请日：2015-09-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 寺田贵洋 ,  田中正幸 ,  加藤视红磨 ,  出浦香织 ,  町田守宽

IPC: H01L21/027 ,  B05C5/00 ,  B05C11/08

Abstract: 根据本发明的实施方式的喷嘴设置有本体。本体中设置有：供应口，液体通过供应口被供应；排出口，液体通过排出口向下排出；以及流路，其在供应口与排出口之间延伸。流路设置有存储部和排气部。存储部包括：第一部分，液体在第一部分中朝排出口向下流动；以及第二部分，其设置在第一部分的下游，并且液体在第二部分中朝排出口向上流动。排气部能够在液体处于没有从排出口排出而被存储在存储部中的情况下将位于第二部分的上游的气体排出。