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发明公开
半导体器件及其制造方法无效

公开(公告)号：CN101079449A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200710104835.1

申请日：2007-05-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田中正幸 , 石田浩一

IPC: H01L29/788 , H01L29/51 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/314

CPC classification number: H01L27/115 , H01L27/11521

Abstract: 本发明的一种方式的半导体器件，具备：半导体基板；在上述半导体基板上形成的第1绝缘层；在上述第1绝缘层上形成、成为浮栅的第1导电层；在上述第1导电层上形成、成为电极间绝缘膜的第2绝缘层，其由以硅和氧为主要成分的第1膜、以硅和氮为主要成分的第2膜和以硅和氧为主要成分的第3膜这3层构成，且上述第2膜的上述硅与氮的组分比相对于化学量论组成是硅过剩的；以及在上述第2绝缘层上形成、成为控制栅的第2导电层。

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