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公开(公告)号：CN100380103C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN03160083.2
申请日：2003-09-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G01M15/12 , G05B23/0221 , G05B23/0283
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有能够进行高灵敏度且稳定的高精度的寿命预测的旋转机的制造装置。在旋转机(3)中，在旋转机的振动的变动不同的位置配置有测定时间序列振动数据的加速度计(36a、36b)。借助频率解析装置(37)，对由加速度计(36a、36b)所测定的时间序列振动数据进行频率解析。在时间序列数据记录部(5)中，根据经频率解析的时间序列振动数据，将与解析对象频率对应的特征量的变动制作成评价用诊断数据，并记录评价用诊断数据。用寿命判定单元(6)，利用评价用诊断数据预测旋转机(3)的寿命。
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公开(公告)号：CN1471142A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN03148584.7
申请日：2003-07-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/02304 , H01L21/3144 , H01L21/3145 , H01L21/31612 , H01L21/3185 , H01L21/76224 , H01L21/823475
Abstract: 不用添加等离子照射等新的工序，解除形成氧化硅膜时的基底依赖性，实现良好埋入特性。在覆盖栅电极21而形成的膜密度低的氮化硅膜23上，通过在含有TEOS和O3的气氛中温度500℃以下成膜氧化硅膜24，使基底依赖性消失，获得优良的埋入特性。
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公开(公告)号：CN1403214A
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN02129077.6
申请日：2002-08-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B08B11/00 , H01L21/302 , G05B19/05
CPC classification number: H04L12/66 , Y10S438/905
Abstract: 本发明提供一种干洗系统，该干洗系统根据各种信息，借助于计算机进行综合处理，效率良好地自动地判定对于半导体制造设备来说究竟是进行晶片处理还是进行清洗处理。具体的解决手段涉及用至少含有ClF3等卤族气体除去淀积在半导体制造设备的反应室5内的淀积膜的干洗。第1发明，是对于半导体制造设备来说，自动地判定设备是立即实施成膜等的处理还是必须马上进行清洗的系统。第2发明，在使用至少含有ClF3等卤族气体除去淀积在要形成CVD膜等的半导体制造设备的反应室内的淀积膜时使得存在金属、金属化合物、有机系气体等。可以提高选择比、缩短清洗时间。第3发明，是进行目的为对设备进行效率良好的清洗的控制的系统。
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公开(公告)号：CN100380591C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN02802932.1
申请日：2002-07-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , C23C16/52 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/4405 , C23C16/52
Abstract: 一种制造半导体器件的设备和方法及上述设备中用的清洁方法。该设备包括：保持要处理的晶片的处理室，将生产气体引入处理室的进气管，从处理室将该气体排放到处理室的外部的排气管，成分测量装置，用于测量在处理室中的气体的成分或者从处理室中的气体、要被引入到处理室的气体和从处理室中排放的气体中选择的至少两种气体的成分，浓度测量装置，该浓度测量装置测量在处理室中的气体的每种成分的浓度或者每种成分的浓度。
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公开(公告)号：CN1208815C
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN03148584.7
申请日：2003-07-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/02304 , H01L21/3144 , H01L21/3145 , H01L21/31612 , H01L21/3185 , H01L21/76224 , H01L21/823475
Abstract: 不用添加等离子照射等新的工序，解除形成氧化硅膜时的基底依赖性，实现良好埋入特性。在覆盖栅电极21而形成的膜密度低的氮化硅膜23上，通过在含有TEOS和O3的气氛中温度500℃以下成膜氧化硅膜24，使基底依赖性消失，获得优良的埋入特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1630934A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN02802932.1
申请日：2002-07-16
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , C23C16/52 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/4405 , C23C16/52
Abstract: 一种制造半导体器件的设备和方法及上述设备中用的清洁方法。该设备包括：保持要处理的晶片的处理室，将生产气体引入处理室的进气管，从处理室将该气体排放到处理室的外部的排气管，成分测量装置，用于测量在处理室中的气体的成分或者从处理室中的气体、要被引入到处理室的气体和从处理室中排放的气体中选择的至少两种气体的成分，浓度测量装置，该浓度测量装置测量在处理室中的气体的每种成分的浓度或者每种成分的浓度。
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公开(公告)号：CN1288277C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN02129077.6
申请日：2002-08-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C23C16/44 , H01L21/306
CPC classification number: H04L12/66 , Y10S438/905
Abstract: 本发明提供一种干洗系统，包括：自动判定装置，根据包括半导体制造设备的累积膜种类信息、累积膜厚信息、批的到达预料时期信息、批的成膜预定膜厚信息、批的紧急度信息、批的后工序设备信息和附带设备动作信息的信息，按照由计算机决定的算法，对于对半导体晶片进行处理的设备、对处理预定的批最佳的设备、实施干洗的设备和维修附带设备的设备自动地进行判定；决定装置，以上述自动判定装置的自动判定为基础，对上述各个设备，进行对半导体晶片的处理的时期、对预定的批进行处理的时期、实施干洗的时期、维修附带设备的时期的决定；输出装置，按照上述决定装置对上述各个时期的决定，输出上述各个设备的下次的处理内容。
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公开(公告)号：CN1299323C
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN02160294.8
申请日：2002-08-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67253
Abstract: 提供一种半导体器件制造方法、制造装置及其清洗方法和制造系统，不管处理种类如何，难以受到处理环境制约，并且可以适当状态进行处理，可容易地得到优良的半导体器件。其中，将监测装置(8)配置成监测部(29)的外侧暴露于反应容器(2)内，并开始处理，其中监测装置(8)包括：由可透过和反射包含规定波长的光的材料形成的监测部(29)；形成为将向该监测部(29)照射包含规定波长的光的光照射部(16)、接收监测部(29)的照射光的反射光的光接收部(30)、照射光和反射光与反应容器(2)内的气氛和引入反应容器(2)内的物质分离的光路保护体(15)。测定反射光的强度，根据监测部(29)上淀积的淀积物的淀积量求出晶片(3)上淀积的膜的厚度。
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公开(公告)号：CN1281866C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN03134791.6
申请日：2003-09-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G05B23/0229 , G01H1/003 , G05B23/0283
Abstract: 本发明的课题在于提供一种以廉价的装置，简单、稳定且高精度地对旋转机的寿命进行预测的寿命预测系统。该系统包括：测定旋转机(3)的振动的时间序列加速度数据的振动仪(7)；用含有以包括旋转机的转子的叶片扇数的公式与旋转机固有的基准振动频率的乘积表示的第1解析频率的频带、对所测定的模拟信号的时间序列加速度数据进行滤波的带通滤波器(8)；以及根据经滤波的上述第1解析频率的时间序列加速度数据的特征量，预测上述旋转机的寿命的数据处理单元(6)。
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公开(公告)号：CN1497180A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN03134791.6
申请日：2003-09-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G05B23/0229 , G01H1/003 , G05B23/0283
Abstract: 本发明的课题在于提供一种以廉价的装置，简单、稳定且高精度地对旋转机的寿命进行预测的寿命预测系统。该系统包括：测定旋转机(3)的振动的时间序列加速度数据的振动仪(7)；用含有以包括旋转机的转子的叶片扇数的公式与旋转机固有的基准振动频率的乘积表示的第1解析频率的频带、对所测定的模拟信号的时间序列加速度数据进行滤波的带通滤波器(8)；以及根据经滤波的上述第1解析频率的时间序列加速度数据的特征量，预测上述旋转机的寿命的数据处理单元(6)。
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