公开(公告)号：CN1404150A

公开(公告)日：2003-03-19

申请号：CN02132217.1

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 野口充宏 ,  合田晃 ,  齋田繁彦 ,  田中正幸

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  G11C11/34 ,  G11C17/00

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明具有包含第1绝缘层，电荷积蓄层和第2绝缘层三层的栅极绝缘膜，和在这个栅极绝缘膜上形成的栅极，包含可以电写入/擦除信息的存储单元，电荷积蓄层由硅氮化膜或硅氧氮化膜构成，第1绝缘层和第2绝缘层分别由硅氧化膜或有比上述电荷积蓄层多的氧组成的硅氧化膜构成，第2绝缘层的厚度比5(nm)大，栅极由包含p型杂质的p型半导体构成。

公开(公告)号：CN100334734C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN02132217.1

申请日：2002-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 野口充宏 ,  合田晃 ,  齋田繁彦 ,  田中正幸

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  G11C11/34 ,  G11C17/00

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明具有包含第1绝缘层，电荷积蓄层和第2绝缘层三层的栅极绝缘膜，和在这个栅极绝缘膜上形成的栅极，包含可以电写入/擦除信息的存储单元，电荷积蓄层由硅氮化膜或硅氧氮化膜构成，第1绝缘层和第2绝缘层分别由硅氧化膜或有比上述电荷积蓄层多的氧组成的硅氧化膜构成，第2绝缘层的厚度比5(nm)大，栅极由包含p型杂质的p型半导体构成。