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公开(公告)号：CN100459058C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN03812720.2
申请日：2003-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31138 , H01L21/31116 , H01L21/31144
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，在将无机材料膜作为掩模对有机材料膜进行蚀刻的情况下，能够与蚀刻图案相对应，维持高蚀刻速率，以良好的蚀刻形状、良好的面内均匀性，并且不产生无机材料膜的膜剥离地进行蚀刻。在处理容器(1)内，通过蚀刻气体的等离子，将无机材料膜作为掩模，对被处理体上形成的有机材料膜进行蚀刻时，在通过蚀刻而应开口的区域的比例以面积比计为40%以上的蚀刻图案的情况下，使用含有NH3气体和O2气体的混合气体作为蚀刻气体，在通过蚀刻而应开口的区域的比例以面积比计为小于40%的蚀刻图案的情况下，使用NH3气体作为蚀刻气体。
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公开(公告)号：CN1244956C
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN01111758.3
申请日：2001-03-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/30
CPC classification number: H01L21/31144 , G03F7/085 , G03F7/09 , H01L21/3081 , H01L21/32139
Abstract: 图案形成方法，它包括：在基片上形成碳原子含量≥80%(重量)的膜或气相淀积膜即下层膜的步骤；在下层膜的表面上施行密合性促进处理的步骤或在下层膜上形成密合性促进膜的步骤；在下层膜的表面上形成中间膜的步骤；在中间膜上形成抗蚀剂膜的步骤；对抗蚀剂膜进行图案曝光形成抗蚀剂图案的步骤；将抗蚀剂图案复制到中间膜上形成中间膜图案的步骤；将此中间膜图案复制到上述下层膜上而形成下层膜图案的步骤。
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公开(公告)号：CN102446737B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201110281390.0
申请日：2011-09-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32082 , H01J37/32146 , H01J37/32174
Abstract: 使用基板处理设备的基板处理方法包括第一步骤和第二步骤。第一步骤是施加来自包括在设备中的脉冲电源的负电压脉冲。第二步骤是对于在负电压脉冲和在负电压脉冲之后的来自脉冲电源的正电压脉冲之间的时段，施加浮动电位。另外，设备包括室、第一电极、第二电极、RF电源和脉冲电源。第二电极被设置成第二电极面向第一电极以保持基板。RF电源将具有50MHz以上的频率的RF电压施加到第二电极。脉冲电源将具有RF电压的电压波形重复地施加到第二电极。
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公开(公告)号：CN103681196A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310443329.0
申请日：2013-09-25
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32422 , H01J37/04 , H01J37/32091 , H01J37/3211 , H01J37/32165 , H01J37/3244 , H01J37/32568 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J37/32834 , H01J2237/3341 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/67069 , H01L21/6831 , H01L21/68764
Abstract: 在一个实施例中，等离子体处理设备包括：室；导入部；反电极；高频电源；和多个低频电源。基板电极被设置在室中，基板被直接地或者间接地放置在基板电极上，并且基板电极具有多个电极元件组。导入部将处理气体导入到室中。高频电源输出用于使处理气体离子化、以生成等离子体的高频电压。多个低频电源将多个20MHz以下的低频电压施加到多个电极元件组中的每一电极元件组，多个20MHz以下的低频电压具有相互不同的相位，用于导入来自等离子体的离子。还提供一种等离子体处理方法。
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公开(公告)号：CN102446737A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110281390.0
申请日：2011-09-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32082 , H01J37/32146 , H01J37/32174
Abstract: 使用基板处理设备的基板处理方法包括第一步骤和第二步骤。第一步骤是施加来自包括在设备中的脉冲电源的负电压脉冲。第二步骤是对于在负电压脉冲和在负电压脉冲之后的来自脉冲电源的正电压脉冲之间的时段，施加浮动电位。另外，设备包括室、第一电极、第二电极、RF电源和脉冲电源。第二电极被设置成第二电极面向第一电极以保持基板。RF电源将具有50MHz以上的频率的RF电压施加到第二电极。脉冲电源将具有RF电压的电压波形重复地施加到第二电极。
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公开(公告)号：CN101277580A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810090518.3
申请日：2008-03-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32137 , H01J37/32165
Abstract: 本发明提供一种在平行平板型等离子处理装置中具有适于基板加工的离子能量，还可使该离子能量宽度减小来精细控制加工形状的基板的等离子处理装置以及等离子处理方法。等离子处理装置构成为包括：内部保持真空的室；配置于其内部、并构成为在主面上保持要处理的基板的RF电极；以及与该RF电极相对配置的对置电极；用于对所述RF电极外加规定频率的RF电压的RF电压外加装置；以及用于对所述RF电极外加规定的脉冲电压以便其与所述RF电压叠加的脉冲电压外加装置。所述脉冲电压外加装置具有调整所述脉冲电压的所述外加的定时、并设定不外加所述脉冲电压的停止时间的控制机构。
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公开(公告)号：CN1732558A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200380107612.0
申请日：2003-12-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社东芝
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31138 , H01J37/32522 , H01J37/32633 , H01J37/32642 , H01J37/32688 , H01J2237/3341
Abstract: 在处理容器(1)内设置构成平行平板电极的支持电极(2)和相对电极(16)。使形成有机类材料膜的基板(W)支持在支持电极(2)上。对该支持电极(2)施加用于形成等离子体的频率在40MHz以上的高频电力，从而在支持电极(2)和相对电极(16)之间形成高频电场。将处理气体供给到处理容器(1)内，利用高频电场形成处理气体的等离子体。通过该等离子体，以无机类材料膜作为掩模对基板(W)上的有机类材料膜进行等离子体蚀刻。处理气体含有例如Ar等来自基态的电离能量或来自准稳态的电离能量在10eV以下而且最大电离截面积在2×10－16cm2以上的电离促进气体。
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公开(公告)号：CN1551307A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410038156.5
申请日：2004-05-11
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/31 , H01L21/311 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/76807 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L21/76831
Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法和等离子体蚀刻装置的清洁方法。本发明的目的是防止低介电常数绝缘膜劣化，能有效地剥离低介电常数绝缘膜上堆积的抗蚀剂掩模。其解决方案是具备：在半导体基板1上形成低介电常数绝缘膜5的工序，在低介电常数绝缘膜上形成抗蚀剂图案6的工序，和以抗蚀剂图案作为掩模蚀刻低介电常数绝缘膜的工序，和通过铵离子进行的等离子体处理来剥离抗蚀剂图案6的工序。
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