公开(公告)号：CN103681196A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310443329.0

申请日：2013-09-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宇井明生 ,  林久贵 ,  富冈和广 ,  山本洋 ,  今村翼

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32422 ,  H01J37/04 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68764

Abstract: 在一个实施例中，等离子体处理设备包括：室；导入部；反电极；高频电源；和多个低频电源。基板电极被设置在室中，基板被直接地或者间接地放置在基板电极上，并且基板电极具有多个电极元件组。导入部将处理气体导入到室中。高频电源输出用于使处理气体离子化、以生成等离子体的高频电压。多个低频电源将多个20MHz以下的低频电压施加到多个电极元件组中的每一电极元件组，多个20MHz以下的低频电压具有相互不同的相位，用于导入来自等离子体的离子。还提供一种等离子体处理方法。

公开(公告)号：CN115935869A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210888697.5

申请日：2022-07-27

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 山本洋 ,  长谷川光平 ,  原琢磨

IPC: G06F30/3308 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78

Abstract: 实施方式提供能够提高精度的半导体装置的模拟方法、半导体装置的模拟装置、半导体装置的模拟程序产品及数据结构。实施方式的模拟方法是半导体装置的模拟方法。半导体装置包含第一电极、第二电极、配置于第一电极与第二电极之间的半导体部分、配置于半导体部分内的绝缘部件、配置于绝缘部件内的第三电极以及在绝缘部件内配置于第一电极与第三电极之间的第四电极。半导体部分包含与第一电极连接的第一导电型的第一半导体层、与第二电极连接的第一导电型的第二半导体层以及与第一半导体层及第二半导体层相接的第二导电型的第三半导体层。使连接在第二电极与第四电极之间的第一电阻的值根据第一电极与第二电极之间的第一电压的值而变化。

公开(公告)号：CN115863327A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202210155556.2

申请日：2022-02-21

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 山本洋

IPC: H01L25/18 ,  H01L25/07 ,  H01L23/495

Abstract: 一种电力密度提高的半导体装置，具备具有初级侧电路和包含第1半导体封装的次级侧电路的DC－DC转换器，第1半导体封装收容有包含第1及第2半导体元件的第1半导体元件组，第1及第2半导体元件层叠，第1半导体封装包含第1引线框，在第1半导体元件组为MOSFET的情况下，使第1与第2半导体元件的源极电极在第1及第2半导体元件的层叠方向对置而电连接，在第1半导体元件组为IGBT的情况下，使第1与第2半导体元件的发射极电极在第1第2半导体元件的层叠方向对置而电连接，或在第1半导体元件组为二极管的情况下，使第1与第2半导体元件的阴极电极在第1及第2半导体元件的层叠方向对置而电连接，第1引线框位于第1与第2半导体元件之间。