公开(公告)号：CN103681196A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310443329.0

申请日：2013-09-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 宇井明生 ,  林久贵 ,  富冈和广 ,  山本洋 ,  今村翼

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32422 ,  H01J37/04 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32697 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68764

Abstract: 在一个实施例中，等离子体处理设备包括：室；导入部；反电极；高频电源；和多个低频电源。基板电极被设置在室中，基板被直接地或者间接地放置在基板电极上，并且基板电极具有多个电极元件组。导入部将处理气体导入到室中。高频电源输出用于使处理气体离子化、以生成等离子体的高频电压。多个低频电源将多个20MHz以下的低频电压施加到多个电极元件组中的每一电极元件组，多个20MHz以下的低频电压具有相互不同的相位，用于导入来自等离子体的离子。还提供一种等离子体处理方法。