公开(公告)号：CN1319882A

公开(公告)日：2001-10-31

申请号：CN01111758.3

申请日：2001-03-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤康彦 ,  盐原英志 ,  佐藤基之 ,  大西廉伸 ,  富田宽 ,  大岩德久 ,  大内淳子 ,  林久贵

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/085 ,  G03F7/09 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/32139

Abstract: 图案形成方法,它包括:在基片上形成碳原子含量≥80%(重量)的膜或气相淀积膜即下层膜的步骤;在下层膜的表面上施行密合性促进处理的步骤或在下层膜上形成密合性促进膜的步骤;在下层膜的表面上形成中间膜的步骤;在中间膜上形成抗蚀剂膜的步骤;对抗蚀剂膜进行图案曝光形成抗蚀剂图案的步骤;将抗蚀剂图案复制到中间膜上形成中间膜图案的步骤;将此中间膜图案复制到上述下层膜上而形成下层膜图案的步骤。

公开(公告)号：CN1244956C

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN01111758.3

申请日：2001-03-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤康彦 ,  盐原英志 ,  佐藤基之 ,  大西廉伸 ,  富田宽 ,  大岩德久 ,  大内淳子 ,  林久贵

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/085 ,  G03F7/09 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/32139

Abstract: 图案形成方法，它包括：在基片上形成碳原子含量≥80%(重量)的膜或气相淀积膜即下层膜的步骤；在下层膜的表面上施行密合性促进处理的步骤或在下层膜上形成密合性促进膜的步骤；在下层膜的表面上形成中间膜的步骤；在中间膜上形成抗蚀剂膜的步骤；对抗蚀剂膜进行图案曝光形成抗蚀剂图案的步骤；将抗蚀剂图案复制到中间膜上形成中间膜图案的步骤；将此中间膜图案复制到上述下层膜上而形成下层膜图案的步骤。